公开(公告)号：KR1020100115347A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107015120

申请日：2010-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  스기타킷페이

IPC: H01L21/312 ,  B01J7/00 ,  H01L21/205 ,  C23C14/24

CPC classification number: B05D1/60

Abstract: 고체 원료를 가열하여 승화시켜 원료 가스를 발생시키는 가열부와, 가열부의 상방에 형성되며, 가열부에 고체 원료를 공급하는 공급부와, 가열부에서 발생시킨 원료 가스를 반송하는 캐리어 가스를 도입하는 가스 도입부와, 발생시킨 원료 가스를 캐리어 가스와 함께 도출하는 가스 도출부를 갖는다. 가스 도입부로부터 도입된 캐리어 가스가 가열부를 통과한다.

公开(公告)号：KR1020090125173A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097021159

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method for forming an SiOCH film which is characterized in that an SiOCH film is formed on a substrate by repeating, a plurality of times, a unit film forming process which includes a deposition step wherein an SiOCH film element is deposited by a plasma CVD method using an organosilicon compound as the raw material, and a hydrogen plasma processing step wherein the deposited SiOCH film element is treated with hydrogen plasma.

Abstract translation: 公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件 使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理工序，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020070119099A

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR1020060085953A

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020067009109

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR1020060066114A

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: Disclosed is a method for decreasing the dielectric constant of an insulating film which is formed by a chemical vapor deposition method and contains Si, O and CH. A process gas containing hydrogen atoms is supplied into a reaction chamber of a plasma processing apparatus. Microwaves are introduced into the reaction chamber for supplying uniform electromagnetic waves therein, thereby generating a plasma containing hydrogen radicals in the reaction chamber. Due to the hydrogen radicals contained in the plasma with which an insulating film is irradiated, the structure of the insulating film is changed and the dielectric constant of the insulating film is decreased. The microwaves are supplied into the reaction chamber via a radial slot antenna.

Abstract translation: 公开了一种降低由化学气相沉积法形成并含有Si，O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。 将含有氢原子的工艺气体供给到等离子体处理装置的反应室中。 将微波引入到反应室中以在其中提供均匀的电磁波，从而在反应室中产生含氢自由基的等离子体。 由于照射绝缘膜的等离子体中所含的氢原子，绝缘膜的结构发生变化，绝缘膜的介电常数降低。 微波经由径向缝隙天线供入反应室。

公开(公告)号：KR102117127B1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101200667B1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020097021159

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 유기 실리콘 화합물을 원료로 하여, 플라즈마 CVD법에 의해서 SiOCH막 요소를 퇴적하는 퇴적 공정과, 퇴적된 상기 SiOCH막 요소를 수소 플라즈마 처리하는 수소 플라즈마 처리 공정을 포함하는 단위 성막 처리 공정을 구비하고 있고, 상기 단위 성막 처리 공정이, 복수회 반복되는 것에 의해, 기판 상에 SiOCH막이 형성되는 것을 특징으로 하는 SiOCH막의 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR1020100017957A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020097027386

申请日：2008-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  가시와기유사쿠 ,  마츠모토다카시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: This invention provides a process for producing a semiconductor device, comprising a step (a) of activating an organic silane gas containing a phenyl group and silicon and free from nitrogen other than unavoidable impurities to produce plasma, and, in such a state that the temperature of a substrate is set at 200°C or below, exposing the substrate to the plasma to form a thin film containing a phenyl group and silicon on the substrate, and a step (b) of applying energy to the substrate to eliminate water from the thin film to form a low-permittivity film. This production process can provide an organic material-containing silicon oxide-type low-permittivity film which, when subjected to etching treatment, ashing treatment or other plasma treatment, does not cause any significant damage caused by the elimination of the organic matter.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使除了不可避免的杂质以外的含有苯基和硅并且不含氮的有机硅烷气体活化以产生等离子体的工序（a） 将基板设置在200℃以下，将基板暴露于等离子体，以在基板上形成含有苯基和硅的薄膜，以及向基板施加能量以从其中除去水的步骤（b） 薄膜形成低介电常数薄膜。 该制造方法可以提供含有机材料的氧化硅型低电容率膜，当进行蚀刻处理，灰化处理或其他等离子体处理时，不会引起由有机物质的消除引起的任何显着的损坏。

公开(公告)号：KR100933374B1

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：KR1020077023692

申请日：2007-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠 ,  미야타니고타로

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633

Abstract: 유기 실리콘 화합물 원료를 사용한 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 SiOCH 막의 표면을 산소 플라즈마 처리하여 표면 치밀화 층을 형성하고, 또한 수소 플라즈마 처리에 의해 표면 치밀화 층 아래의 SiOCH 막으로부터, CH
x 기나 OH기를 상기 표면 치밀화 층을 통하여 제어된 레이트로 방출시켜 안정하게 다공질 저유전율 막을 형성한다.

Abstract translation: 本发明提供一种稳定地形成多孔质介电体膜的方法：通过在使用有机硅化合物源的同时对通过等离子体CVD法形成的SiOCH膜的表面进行处理而形成表面致密化层的工序; 并且通过表面致密化层以受控速率通过氢等离子体处理从表面致密化层下面的SiOCH膜释放CH x基团或OH基团。

公开(公告)号：KR100900587B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: 본 발명은 유기 실란 가스를 이용한 플라즈마 CVD법에 의해 성막되는 절연막의 저유전율화와, 기계적인 강도의 유지를 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 피처리 기판에 유기 실란 가스를 함유한 제 1 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 피처리 기판상에 절연막을 성막하는 성막 단계와, 상기 성막 단계 후, 상기 피처리 기판에 H
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가스를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 절연막의 처리를 실행하는 후처리 단계를 갖는 기판 처리 방법으로서, 상기 후처리 단계의 플라즈마 여기는 마이크로파 플라즈마 안테나에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 이용하고 있다.