公开(公告)号：KR1020010051688A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067623

申请日：2000-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노다카히로 ,  고바야시신지 ,  에사키유키히코 ,  모리카와마사테루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A device and a method for treating substrate are provided to remove the swelling of a coating liquid due to the surface tension formed on the outer peripheral part of a substrate in a coating. CONSTITUTION: A projected parts(72a) corresponding to the outer peripheral part of the wafer(W) and projected to the under side compared to the other part are provided on the back surface of a straightening plate(72) provided in a drying device(33). The velocity of air flow generated in a treating chamber(S) when evacuating is increased in the peripheral part of the wafer(W) because the gap between the wafer(W) and the projected parts(72a) is made narrower. As a result, the swelling of the coating liquid on the peripheral part of the wafer(W) which is generated in the coating, is swept away and removed by the air flow.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的装置和方法，以消除由于在涂层中在基板的外周部分上形成的表面张力引起的涂布液的溶胀。 构成：设置在干燥装置（20）的矫正板（72）的背面，设有与其他部分相比较的与晶片（W）的外周部相对应且投影到下侧的突出部（72a） 33）。 由于晶片（W）和突出部（72a）之间的间隙较窄，所以在排出的处理室（S）中产生的空气流的速度在晶片（W）的周边部分增加。 结果，在涂层中产生的晶片（W）的周边部分上的涂布液的膨胀被空气流扫除并除去。

公开(公告)号：KR101856786B1

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：KR1020120021863

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지 ,  이와오후미꼬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67748

Abstract: 본발명의과제는, 패턴마스크의거칠기를개선하기위해처리를행하는방법에있어서, 패턴마스크의용해를방지하는동시에, 기판의면내에서당해패턴마스크의표면을균일하게평활화시키는것이다. 패턴마스크가형성된기판을처리용기내의스테이지에적재하는공정과, 상기패턴마스크를팽윤시키기위해상기기판의중앙부에용제가스를공급하면서기판의주위로부터배기하는스텝과, 이어서당해기판의중앙부에, 용제를건조시키기위한건조용가스를공급하면서기판의주위로부터배기하는스텝을복수회 반복하는공정을행한다. 용제가스가기판상을흐르는방향과, 건조용가스가기판상을흐르는방향이서로일치함으로써기판의면내에서용제가많이공급되는개소가건조용가스에의해빠르게건조되어, 용제가스의공급과건조용가스의공급을반복함으로써, 패턴마스크내부로의용제의침투를억제할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130076753A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020120154364

申请日：2012-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium are provided to soften the rough surface of a resist pattern by planarizing only fine protruding parts on the surface of a resist pattern. CONSTITUTION: The vapor atmosphere of solvent is formed on a processing container (11). A loading part is installed in the processing container. A heating part (21) heats a substrate loaded on the loading part. A solvent supply part supplies a gas including the vapor of the solvent to the processing container. An exhaust part exhausts the vapor of the processing container. [Reference numerals] (100) Control part; (71) Solvent; (73) Exhaust hole; (AA,BB) Exhausting

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，基板处理装置和存储介质，以通过在抗蚀剂图案的表面上仅平坦化微细的突出部来软化抗蚀剂图案的粗糙表面。 构成：溶剂的蒸汽气氛形成在处理容器（11）上。 装载部件安装在处理容器中。 加热部件（21）加热装载部件上的基板。 溶剂供应部件将包括溶剂蒸气的气体供给到处理容器。 排气部排出处理容器的蒸汽。 （附图标记）（100）控制部; （71）溶剂; （73）排气孔; （AA，BB）排气

公开(公告)号：KR101186058B1

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：KR1020107025187

申请日：2009-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/26 ,  G03F7/168

Abstract: 본 발명은 기판에 형성된 레지스트막에 대해 처리하는 레지스트 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 레지스트 처리 장치는, 내부를 진공으로 유지할 수 있는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되고, 레지스트막이 형성된 기판이 배치되는 배치대와, 화학적으로 비활성인 제1 가스 및 제2 가스를 함유하는 혼합 가스를 미리 정해진 유량으로 상기 배치대를 향해 분출시키는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 상기 미리 정해진 유량으로 분출되는 상기 혼합 가스가 상기 처리 용기 내에서 분자선이 될 수 있는 진공도로 상기 처리 용기를 배기시킬 수 있는 배기부를 포함한다.

公开(公告)号：KR101853141B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020120154364

申请日：2012-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은기판에용제를공급하여, 레지스트패턴표면의거칠기를개선하는데에있어서, 높은면내균일성으로레지스트패턴의표면의요철을평탄화하는것을과제로한다. 레지스트패턴이형성된웨이퍼(W)를처리용기(11) 내로도입하고, 용제분위기내에서웨이퍼(W)를가열플레이트(21) 상에서가열한후, 승강핀(24)에의해웨이퍼(W)를가열플레이트(21)로부터상승시켜냉각시키고레지스트패턴표면(91)을용제로팽윤시킨다. 승강핀(24)에의해웨이퍼(W)를가열플레이트(21) 상에강하시켜가열하고, 용제를휘발시켜, 레지스트패턴표면(91)을건조시킨다. 이들냉각과가열을, 처리용기(11)의배기를행하지않고용제분위기를형성한채, 복수회반복한다.

公开(公告)号：KR1020110095242A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020117008849

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/67706

Abstract: 본 발명의 과제는 EUV 노광 장치 내의 오염을 저감시키는 동시에, 처리량의 향상을 가능하게 하는, 레지스트 도포 현상 장치와 EUV 노광 장치 사이에 적합한 인터페이스 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것이다. 인터페이스 장치(30)는 개폐 가능한 제1 반송구(1V3)를 통해 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하는 감압 가능한 제1 반송실(1b), 제2 반송구(4V1)를 통해 제1 반송실(1b)과의 사이에서 기판을 전달하고, 제3 반송구(4V13)를 통해 도포 현상 장치(20)와의 사이에서 기판을 전달하는 복수의 로드 로크실(4a 내지 4d), 제4 반송구(1V1)를 통해 제1 반송실(1)과의 사이에서 기판을 전달하고, 제2 반송실(1a), 제2 반송실(1a)과 연통하는 제5 반송구를 통해 기판을 전달하고, 기판을 가열하는 복수의 가열 모듈(2a 내지 2c), 제2 반송실(1a)과 연통하는 제6 반송구를 통해 기판을 전달하고, 기판을 냉각하는 복수의 냉각 모듈(3a 내지 3c)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040017271A

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：KR1020047000004

申请日：2002-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지 ,  기타노다카히로 ,  모리카와마사테루 ,  이시자카노부카즈 ,  고가노리히사 ,  미나미도모히데 ,  스기모토신이치 ,  오쿠라준 ,  구리시마히로아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67253 ,  B05C5/0216 ,  B05C5/0291 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 미리 제품기판과 같은 기판에 대하여 노즐에 의해 스캔하면서 도포액을 공급하여 도포액의 선을 형성하여, 이것을 예를 들어 CCD 카메라로 촬상하여 도포액의 접촉각을 구하여, 이 접촉각에 기초하여 기하학 모델을 이용하여, 실제 도포를 할 때의 스캔속도에 있어서의 도포액 노즐의 토출유량과, 피치의 허용범위와의 관계데이터를 구한다. 그리고 미리 목표막두께마다 도포액 노즐의 토출유량과 피치와의 관계 데이터를 작성해 두고, 양자의 관계데이터에 기초하여 피치를 결정한다.