公开(公告)号：KR100913847B1

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：KR1020070127619

申请日：2007-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  우에다다케히로 ,  고바야시요시유키 ,  오오하시가오루

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68757

Abstract: 기판이 탑재되는 탑재면과, 상기 탑재면에 개구하여 해당 탑재면 상에 가스를 공급하는 복수의 가스 토출 구멍과, 상기 가스 토출 구멍으로 가스를 공급하기 위한 가스 공급로를 갖고, 상기 탑재면을 피복하는 세라믹 용사층이 마련된 기판탑재대의 제조 방법에 있어서, 상기 기판탑재대의 제조 방법은 적어도 상기 가스 토출 구멍과 대향하는 부위의 상기 가스 공급로의 내벽에 제거 가능한 피막을 형성하는 공정과, 상기 탑재면에 세라믹 용사층을 형성하는 세라믹 용사 공정과, 상기 피막을 제거하는 피막 제거 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
기판 탑재대의 제조 방법, 세라믹 용사, 용사 잔류물

公开(公告)号：KR1020050053629A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020057003159

申请日：2000-12-04

Applicant: 도카로 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다요시오 ,  다케우치준이치 ,  하마쿠치다츠야 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지

IPC: C23C4/00

CPC classification number: H01J37/32477 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/024 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0286 ,  B01J2219/0894 ,  C09D1/00 ,  C23C4/00 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/24999

Abstract: A plasma processing container internal member excellent in chemical corrosion and plasma erosion resistance under an environment containing halogen gases, and an advantageous production method therefor, the member being formed by coating the front surface of a substrate by a multi-layer composite layer consisting of a metal coating formed as an under-coat, an Al2O3 coating formed as an intermediate layer on the under-coat, and a Y2O3 spray deposit formed as a top-coat on the intermediate layer.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理容器内部部件，其在含有卤素气体的环境下的耐化学腐蚀性和耐等离子体腐蚀性优异的等离子体处理容器内部部件及其有利的制造方法，所述部件通过由多层复合层涂覆基板的前表面而形成， 形成为底涂层的金属涂层，形成在底涂层上作为中间层的Al2O3涂层和形成为中间层上面涂层的Y2O3喷雾沉积物。

公开(公告)号：KR1020040007592A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037015213

申请日：2002-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  나카야마히로유키 ,  미츠하시고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C4/02

Abstract: 플라즈마 처리 용기에 배치된 플라즈마 처리 용기 내부재의 기재(101)의 표면에, 전처리로서, 케프라-코트(Kepla-Coat : 등록 상표) 처리에 의해서 케프라-코트층(111)을 형성한 후, 이것들의 전처리가 실시된 기재(101)의 표면에 용사 피막 형성 장치를 이용하여 플라즈마 용사 처리를 실시함으로써 용사 피막(121)를 형성한다.

公开(公告)号：KR101832436B1

公开(公告)日：2018-02-26

申请号：KR1020150130198

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  아부카와시코우 ,  나가이마사야 ,  가나자와요시노리 ,  니야데츠야

IPC: H01J37/32 ,  C23C4/11 ,  C23C28/04

CPC classification number: C23C4/06 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/131 ,  C23C28/042

Abstract: 불화이트륨제의용사피막으로부터의파티클의발생을억제한다. 플라즈마처리장치내에있어서플라즈마에노출되는부품이제공된다. 이부품은, 기재및 피막을가지고있다. 기재는, 예를들면, 알루미늄제또는알루미늄합금제이다. 기재의표면에는알루마이트막이형성되어있어도된다. 피막은, 기재또는상기기재상에마련된층을포함하는하지의표면상에불화이트륨의용사에의해형성되어있다. 이부품의피막내의기공률은 4 % 이하이며, 당해피막의표면의산술평균조도(Ra)는 4.5 μm 이하이다.

Abstract translation: 从而抑制了氟化钇喷涂层中颗粒的产生。 在等离子体处理装置中，设置暴露于等离子体的部分。 这部分具有基材和涂层。 基材例如由铝或铝合金制成。 可以在衬底的表面上形成防蚀铝膜。 通过将氟化钇喷涂在包括基材或设置在基材上的层的基材的表面上来形成涂膜。 该部分的膜中的孔隙率为4％以下，膜表面的算术平均粗糙度（Ra）为4.5μm以下。

公开(公告)号：KR1020160131916A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020160054485

申请日：2016-05-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드

Inventor： 나가야마노부유키 ,  이베히로유키 ,  츠즈키가즈유키

IPC: C23C4/04 ,  C23C4/10 ,  C23C4/134 ,  C04B35/50 ,  C04B35/515

CPC classification number: C23C4/11 ,  C23C4/04 ,  C23C4/134

Abstract: 내플라즈마침식성이더욱향상된용사피막을형성할수 있는용사용재료를제공한다. 여기에개시되는기술에의하면, 용사용재료가제공된다. 이러한용사용재료는, 구성원소로서희토류원소(RE), 산소(O) 및할로겐원소(X)를포함하는희토류원소옥시할로겐화물(RE-O-X)이 77질량% 이상의비율로포함되어있다. 그리고, 상기희토류원소의산화물을실질적으로포함하지않는것에의해특징지어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够形成具有较高抗等离子体侵蚀性的热喷涂的热喷涂材料。 热喷涂材料包含至少77质量％的稀土元素卤氧化物（RE-O-X），其包含稀土元素（RE），氧（O）和卤素原子（X）作为其元素组分。 其特征在于基本上不含稀土元素的氧化物

公开(公告)号：KR1020160033047A

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020150130198

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  아부카와시코우 ,  나가이마사야 ,  가나자와요시노리 ,  니야데츠야

IPC: H01J37/32 ,  C23C4/11 ,  C23C28/04

CPC classification number: C23C4/06 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/131 ,  C23C28/042

Abstract: 불화이트륨제의용사피막으로부터의파티클의발생을억제한다. 플라즈마처리장치내에있어서플라즈마에노출되는부품이제공된다. 이부품은, 기재및 피막을가지고있다. 기재는, 예를들면, 알루미늄제또는알루미늄합금제이다. 기재의표면에는알루마이트막이형성되어있어도된다. 피막은, 기재또는상기기재상에마련된층을포함하는하지의표면상에불화이트륨의용사에의해형성되어있다. 이부품의피막내의기공률은 4 % 이하이며, 당해피막의표면의산술평균조도(Ra)는 4.5 μm 이하이다.

Abstract translation: 根据本发明，防止了来自氟化钇的热喷涂膜的颗粒的产生。 提供了在等离子体处理装置中暴露于等离子体的成分。 该组件具有基底和膜。 基板例如由Al或Al合金制成。 可以在基材的表面上形成耐酸铝层。 通过将氟化钇喷涂到基材上或者在基材上制备的层的下表面上形成膜。 组分膜的孔隙率为4％以下。 相应膜的表面的算术平均照度（Ra）为4.5μm以下。

公开(公告)号：KR1020150048081A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：KR1020140146075

申请日：2014-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  그린, 트위드 테크놀로지스, 인코포레이티드

Inventor： 나가야마노부유키 ,  사토나오유키 ,  오카마사히코 ,  마츠오카야스유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32091

Abstract: (과제) 충분한열전도성을확보하는것. (해결수단) 포커스링은, 처리챔버내에서피처리기판을탑재유지하는탑재대의외주상부에착탈가능하게장착되는포커스링이다. 이포커스링은, 피처리기판을유지하는쪽의표면과탑재대의외주상부에장착되는쪽의이면을갖는링 형상의링 본체와, 링본체의이면에미리고정되고, 이링 본체를탑재대의외주상부에장착할때에, 링본체와탑재대의외주상부의사이에개재하도록장착된점착성의열전도시트를갖는다. 열전도시트는, 링본체에미리접착되어일체화된것이고, 열전도시트의한쪽의면에이 열전도시트와동질의미가황고무를도포한후, 이면을링 본체에접합하고, 링본체와함께가열처리하는것에의해링 본체에가황접착되는것에의해일체화된것이다.

Abstract translation: （问题）确保足够的导热性。 （解决方案）聚焦环可拆卸地安装在安装台的外周的上侧，以保持待处理基板的安装在处理室中。 该聚焦环包括一环形环形体，该环形体包括一侧的前表面，用于保持待处理的基底和一侧的后表面，该背面将安装在安装台的外周的上侧;以及 预先固定在环形体的后表面上的粘合性导热片，当将环体安装在环状体的上侧时，插入在环状体与安装台的外周的上侧之间 安装支架的外周。 导热片通过预先粘附在环体上而被一体化。 在与导热片材相同材料的未硫化橡胶涂覆在导热片的一个表面上之后，表面粘附在环体上。 通过加热导热片和环体，通过硫化和粘合在环体上将导热片与环体一体化。

公开(公告)号：KR1020150021889A

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：KR1020140105794

申请日：2014-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  사토나오유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715

Abstract: 배치대와 포커스 링 사이의 열 전달 효율을 향상시켜, 포커스 링의 온도를 가변적으로 제어하는 것을 목적으로 한다.
기판을 배치하는 배치대와, 상기 배치대의 주연부의 둘레에 놓여진 포커스 링, 을 갖는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 포커스 링과 상기 배치대가 대향하는 면에 마련된 복수의 자성 부재와, 상기 포커스 링과 상기 배치대가 대향하는 면 사이에 전열 가스를 도입하여, 상기 포커스 링을 온도 조정하는 온도 조절 수단, 을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 本发明是通过提高配置台和对焦环之间的传热效率来可变地控制聚焦环的温度。 提供了一种等离子体处理装置，包括：安装在聚焦环和配置台面对的表面上的多个磁性部件; 以及温度调节装置，通过将导热气体引导到聚焦环和配置台面对面的表面来调节聚焦环的温度，作为配备有布置基板的配置台的等离子体处理装置和焦点 环放置在配置表的外围部分上。

公开(公告)号：KR1020100047165A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020090102313

申请日：2009-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B08B7/04 ,  B08B5/04 ,  B08B6/00 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412

Abstract: PURPOSE: A vacuum exhaust method and a substrate processing device therefore are provided to prevent foreign materials from being attached on the surface of the mount stand by absorbing and removing at least one of out-gasses and foreign materials. CONSTITUTION: The surface of the mount stand is covered with a protection unit. A vacuum chamber(11) is hermetically sealed. A vacuum process chamber is decompressed. At least one of out-gasses or foreign materials is absorbed with a protection unit(25).

Abstract translation: 目的：提供一种真空排气法和基板处理装置，以通过吸收和去除至少一种排气和异物来防止异物附着在安装台的表面上。 规定：安装支架的表面覆盖有保护单元。 真空室（11）被密封。 真空处理室被减压。 至少一个外界气体或异物被保护单元（25）吸收。

公开(公告)号：KR100914589B1

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020070104008

申请日：2007-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마히데키 ,  오카야마노부유키 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 가동 비용을 감소시키고 장치의 가동률을 향상시키는 것이 가능한 기판 탑재대에 관한 것이다. 기판 탑재대로서의 하부 전극이 장치의 챔버 내에 배치되고, 하부전극 내에 정전 척이 통합되어 있다. 정전 척의 측벽 상에 용사 피막으로서 1000 내지 2000㎛ 범위의 막 두께를 갖는 예컨대 산화이트륨 막 등의 주기율표의 3A족 원소의 산화막이 형성된다.