公开(公告)号：KR1020090032963A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020080080928

申请日：2008-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  구마가이아키라 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/20

Abstract: A metal layer depositing method and a computer-readable recording medium are provided to improve the throughput by forming the desired silicide film into the process of depositing the titanium nitride film. A substrate processing apparatus(100) comprises a common return chamber(102) formed with the polygonal shape and a plurality of process chambers(104A~104D) which can absorb in a vacuum. The substrate processing apparatus comprises a carry-in side transfer room(110) of the rectangular shape having two load-lock chambers(108A,108B) capable of inhaling in the vacuum condition. The substrate processing apparatus comprises a plurality of induction pots(112A~112C) accommodating a plurality of silicon wafers(W) and the cassette, and an orienteer(114) rotating the wafer. The process chamber is connected through gate valves(106A~106D). Main chucks(105A~105D) accommodating the wafer are prepared in each process chamber.

Abstract translation: 提供金属层沉积方法和计算机可读记录介质以通过将所需的硅化物膜形成到沉积氮化钛膜的过程中来提高生产量。 基板处理装置（100）包括形成为多边形的公共返回室（102）和能够在真空中吸收的多个处理室（104A〜104D）。 基板处理装置包括矩形形状的携带侧传送室（110），其具有能够在真空条件下吸入的两个负载锁定室（108A，108B）。 基板处理装置包括容纳多个硅晶片（W）和盒的多个感应罐（112A〜112C）和旋转晶片的定向件（114）。 处理室通过闸阀（106A〜106D）连接。 在每个处理室中准备容纳晶片的主卡盘（105A〜105D）。

公开(公告)号：KR100886989B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070038216

申请日：2007-04-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이타카유키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  오카베신야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5093 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856

Abstract: 플라즈마를 이용한 CVD에 의해 개구 직경이 작고 및/또는 높은 아스펙트비의 홀을 갖는 피처리 기판에 Ti를 성막할 때에, 차지 업 데미지에 의한 소자의 파괴가 발생하기 어려운 Ti 막의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
한 쌍의 평행 평판 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(10) 및 전극(8)을 갖는 챔버(1) 내에, 개구 직경이 0.13㎛ 이하 및/또는 아스펙트비가 10 이상인 홀을 갖는 웨이퍼(W)를 배치하고, 처리 가스로서 TiCl
4 가스 및 H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하면서 샤워 헤드(10)에 고주파 전원(34)으로부터 고주파 전력을 공급하여 이들 사이에 플라즈마를 형성하며, 이 플라즈마에 의해 처리 가스의 반응을 촉진하여 웨이퍼에 Ti 막을 성막할 때에, Ar 가스 유량을 1600mL/min(sccm)미만으로 제어하여 플라즈마가 형성되었을 때의 상기 홀의 바닥부에 도달하는 이온량을 저감하면서 Ti 막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020070088386A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020070018558

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: A method for forming a Ti based film is provided to prevent the reaction between Ni and Ti in a gas spray member by using improved film forming conditions. A Ti based film is formed on a wafer in first a predetermined temperature range of a gas spray member in a TiCl4 gas pressure range of 0.1 to 2.5 Pa, wherein the wafer is arranged in a chamber The first predetermined temperature range of the gas spray member is 300 to 450 °C. The flow rate of a TiCl4 gas in the Ti based film forming process is in a range of 1 to 12 mL/min(sccm). A cleaning process is performed on an inner space of the chamber by using a fluorine based cleaning gas in a second predetermined temperature range of the gas spray member. The second predetermined temperature range of the gas spray member is 200 to 300 °C.

Abstract translation: 提供了一种用于形成Ti基膜的方法，以通过改进的成膜条件来防止气体喷涂部件中的Ni和Ti之间的反应。 首先在TiCl4气体压力范围为0.1〜2.5Pa的气体喷射构件的预定温度范围内在晶片上形成Ti基膜，其中晶片布置在腔室中。气体喷射构件的第一预定温度范围 为300〜450℃。 Ti基成膜工艺中TiCl 4气体的流量为1〜12mL / min（sccm）。 通过在气体喷射构件的第二预定温度范围内使用氟基清洁气体在室的内部空间上进​​行清洁处理。 气体喷射构件的第二预定温度范围为200至300℃。

公开(公告)号：KR1020060091006A

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：KR1020067014884

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: A film-forming method wherein a certain thin film is formed on a substrate to be processed (W) using plasma CVD comprises first and second steps performed alternately at least once. In the first step, a first plasma is generated in a process chamber (51) in which the substrate (W) is housed while supplying a compound gas containing a component for the thin film and a reducing gas into the process chamber (51). In the second step following the first step, a second plasma is generated in the process chamber (51) while supplying the reducing gas into the process chamber (51).

Abstract translation: 使用等离子体CVD在被处理基板（W）上形成某个薄膜的成膜方法包括交替进行至少一次的第一和第二工序。 在第一步骤中，在容纳基板（W）的处理室（51）中产生第一等离子体，同时向处理室（51）提供含有薄膜成分的复合气体和还原气体。 在第一步骤之后的第二步骤中，在处理室（51）中产生第二等离子体，同时将还原气体供应到处理室（51）中。

公开(公告)号：KR1020160004206A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020150093138

申请日：2015-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도다사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: 벽부(62)에의해에칭영역이구획된 SiO층(61)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭하는것에즈음하여, 러프니스및 마이크로로딩을개선한다. 처리용기(1)에탑재된웨이퍼(W)에대해, HF 가스와 NH가스를미리혼합한혼합가스를간헐적으로공급한다. 혼합가스를간헐적으로공급함으로써, 혼합가스와 SiO의반응생성물에의해형성되는보호막이혼합가스의공급정지기간에진공배기에의해승화(휘발)한다. 그때문에, 패턴의소밀에관계없이, 에칭속도가동일하여, 마이크로로딩이개선된다. 또한, HF 가스와 NH가스를미리혼합하여웨이퍼(W)에공급함으로써, 웨이퍼(W)의표면에부착되는 HF 농도의편차가억제되어, 러프니스가개선되는동시에, 마이크로로딩의가일층의개선을도모할수 있다.

Abstract translation: 当蚀刻区域被壁部分（62）分割的SiO 2层（61）被蚀刻直到到达较低层之前的中间步骤时，粗糙度和微载荷得到改善。 将与HF气体和NH 3气体混合的混合气体间歇地供给到安装在处理容器（1）中的晶片（W）。 随着混合气体间歇地供给，在停止供给混合气体的期间，通过真空排气使由SiO 2与混合气体的反应物形成的保护膜升华（挥发）。 因此，无论图案的密度如何，蚀刻速度都是相同的，微负载得到改善。 此外，由于HF气体和NH 3气体被预混合以供应到晶片（W），所以抑制附着在晶片表面（W）上的HF的浓度偏差，以改善粗糙度， 加载。

公开(公告)号：KR101282544B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020117013467

申请日：2009-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  C23C16/08 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C14/14 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865

Abstract: 성막 방법은 챔버내에 피처리 기판을 배치하는 공정과, 공급 경로를 통해 염소함유 가스를 포함하는 처리 가스를 챔버내에 공급하는 공정과, 처리 가스의 공급 경로에 Ti 함유부를 배치하고, 처리 가스를 챔버에 공급할 때에, 처리 가스중의 염소함유 가스를 Ti 함유부에 접촉시켜 염소함유 가스와 Ti 함유부의 Ti를 반응시키는 공정과, 챔버내의 피처리 기판을 가열하면서, 염소함유 가스와 Ti의 반응에 의해 생긴 Ti 전구체 가스를 피처리 기판상에 공급하고, 열 반응에 의해 피처리 기판의 표면에 Ti를 퇴적하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101163277B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020097007662

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  아마노후미타카 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843

Abstract: 저온 하에서도 양질의 Ti막을 포함하는 배리어층을 효율 좋게 형성할 수 있도록 하고, 그 Ti막과 하지의 계면 영역에 자기 정합적으로 TiSi
x 막을 형성할 수 있도록 한다.
TiSi
x 막(507)을 형성하는 공정에서는 티탄 화합물 가스를 처리실에 도입하여 티탄 화합물 가스를 Si 기판(502)의 Si 표면상에 흡착시키는 제 1 공정과, 티탄 화합물 가스의 처리실로의 도입을 정지하여, 처리실 내에 잔류하고 있는 티탄 화합물 가스를 제거하는 제 2 공정과, 수소 가스를 처리실에 도입하면서 처리실 내에 플라즈마를 생성하여, Si 표면에 흡착시킨 티탄 화합물 가스를 환원함과 동시에 Si 표면의 실리콘과 반응시켜 TiSi
x 막(507)을 형성하는 제 3 공정을 처리실에 아르곤 가스를 도입하지 않고 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR101139165B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020097008000

申请日：2007-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다카야마다카미츠

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 서셉터에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 상태에서 챔버내에 불소를 함유하는 클리닝 가스를 도입하여 챔버내를 클리닝하는 공정(공정 1)과, 서셉터에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 상태에서 서셉터를 가열하는 동시에 샤워헤드로부터 Ti를 포함하는 처리 가스를 챔버내에 토출시켜, 적어도 샤워헤드의 표면에 프리코트막을 형성하는 공정(공정 2)과, 그 후, 서셉터(2)를 가열한 상태에서 그 위에 웨이퍼(W)를 탑재하고, 챔버(1)내에 처리 가스를 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 대해 Ti계 막을 성막하는 공정(공정 3)을 포함하고, 프리코트막 형성 공정은 서셉터의 온도를 성막 공정시의 온도보다 낮게 해서 실행된다.

公开(公告)号：KR101063105B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

公开(公告)号：KR1020100138864A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020107007169

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가케가와다카시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: B24C1/00 ,  B24C11/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: B24C1/00 ,  B24C1/003 ,  B24C1/06 ,  B24C11/00 ,  C23C16/0254

Abstract: 본 발명의 방법은, 샤워 헤드 및 처리 용기 등의 금속 모재(母材)의 표면에, 비승화성 재료로 이루어지는 블라스트재(예컨대 알루미나)를 이용하여 블라스트 처리를 행하는 제1 블라스트 공정과, 상기 제1 블라스트 공정이 행해진 상기 금속 모재의 표면에, 승화성 재료로 이루어지는 블라스트재(예컨대 드라이아이스)를 이용하여 블라스트 처리를 행하는 제2 블라스트 공정을 포함한다. 제1 블라스트 공정에 의해 금속 모재의 표면을 적절하게 거칠게 함으로써 성막 처리 중에 생긴 부착막의 박리를 발생시키기 어렵게 하여, 부착막에서 유래하는 파티클의 발생을 방지하고, 제2 블라스트 공정에 의해 금속 모재의 표면에 부착되어 있는 비승화성 블라스트재의 잔사를 거의 확실하게 제거하여, 금속 모재로부터 탈락되는 비승화성 블라스트재의 잔사에서 유래하는 파티클의 발생을 방지한다.