公开(公告)号：KR100892789B1

公开(公告)日：2009-04-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR100837890B1

公开(公告)日：2008-06-13

申请号：KR1020067025601

申请日：2005-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H05B3/143

Abstract: 처리 장치는 매설된 히터의 가열에 기인해서 균열이 발생하는 것을 방지한 탑재대를 갖는다. 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재대(32A)는 복수의 영역(32Aa, 32Ab)을 갖고, 복수 영역의 각각에 대하여 독립적으로 복수의 히터 중 하나가 매설된다. 인접한 영역 중 한쪽(32Aa)에 매설된 히터(35Aa)는 다른 쪽의 영역(32Ab) 내로 연장되는 부분(35Aa
2 )을 갖고, 인접한 영역 중 다른 쪽의 영역(32Ab)에 매설된 히터(35Ab)는 한쪽의 영역(32Aa) 내로 연장되는 부분(35Ab
2 )을 갖는다.

Abstract translation: 处理设备具有安装台，其防止由于嵌入式加热器的加热而产生裂缝。 其上安装晶片W的安装台32A具有多个区域32Aa和32Ab，并且多个加热器中的一个独立地嵌入到多个区域中的每一个中。 掩埋在相邻区域32Aa中的一个中的加热器35Aa具有延伸到另一个区域32Ab中的部分35Aa，

公开(公告)号：KR100727733B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100710450B1

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020047000768

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 본 발명은, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 공간을 갖는 처리 용기와, 원료 가스 또는 환원 가스가 공급되는 동시에 공급된 가스를 확산시켜서 상기 처리 공간내에 공급하는 분리 구획된 복수의 확산실을 갖는 샤워 헤드부를 구비한 처리 장치로의 가스 도입 방법이다. 본 방법은, 상기 원료 가스 및 상기 환원 가스와 상기 복수의 확산실의 조합 중, 상기 환원 가스가 공급되는 확산실의 압력과 상기 원료 가스가 공급되는 확산실의 압력의 차압이 보다 커지는 조합을 선택하는 선택 공정과, 상기 선택 공정에 있어서 선택된 조합에 기초하여, 상기 각 가스를 각각의 확산실로 공급하는 공급 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060086893A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980087180A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019960009008A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019950026563

申请日：1995-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 하타노다츠오 ,  무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

Abstract: 드라이 크리닝기능을 가지는 막형성장치는, 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 금속 또는 금속화합물을 막형성하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 공급계와, 피처리체에 처리가스 중의 성분을 퇴적시켜서 막형성하는 가열장치와, 이 막형성처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝한다. 삼염화 질소(NCl
3 )를 함유하는 크리닝가스, 또는 삼불화 염소(ClF
3 ) 또는 삼불화 질소(NF
3 )와 같은 불화물을 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 공급계와, 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 처리실내로 도입하는 후처리 가스 공급계를 구비한다.

公开(公告)号：KR101063105B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

公开(公告)号：KR100945323B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020080116392

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: 웨이퍼 W를 수용하는 챔버(31) 내에 있어서, 적어도 표면이 Ni함유 재료로 이루어지는 샤워헤드(40)로부터 TiCl
4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜 챔버(31) 내에 배치된 웨이퍼 W의 표면에 Ti막을 성막함에 있어, 샤워헤드(40)의 온도를 300℃ 이상 450℃ 미만의 온도로 하고, TiCl
4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는 TiCl
4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 해서 소정 매수의 웨이퍼 W에 대해 Ti막을 성막하고, 그 후, 샤워헤드(40)의 온도를 200~300℃로 해서 챔버(31) 내에 ClF
3 가스를 도입해서 챔버(21) 내를 클리닝한다.

公开(公告)号：KR1020090028804A

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

Abstract translation: 在称为气体喷淋头等的气体供给装置中，通过使气流的流速分布更均匀，抑制了诸如十字形颗粒的致密区域的出现，并且加工条件的自由度增加 从圆盘方向的中心到外周部分比以前。 形成在气体供给装置的喷淋板中的气体供给孔的布置图案被设定为使得这些孔布置在大量同心圆上，并且同心圆上的气体供应孔和最靠近气体供应的气体供应孔 孔和同心圆分别向内和向外邻近该同心圆，并不排列在同心圆的径向方向上。