公开(公告)号：KR1020090053965A

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：KR1020097009583

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 게이트 절연막, 산화막, 산질화막, 반도체,

公开(公告)号：KR100746120B1

公开(公告)日：2007-08-13

申请号：KR1020067008751

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 반도체, MOS, 산화막, 산질화막, 희가스

公开(公告)号：KR1020060061404A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020067008751

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: Method for fabricating the structure of an electronic device (e.g. a high-performance MOS semiconductor device) having good electric characteristics in which an SiO2 film and an SiON film are employed as an insulation film having an extremely small thickness (e.g. 2.5 nm or less) and polysilicon, amorphous silicon or SiGe is employed for an electrode. Under existence of a processing gas containing oxygen and a rare gas, a wafer W principally comprising Si is irradiated with microwave through a planar antenna member SPA to form a plasma containing oxygen and a rare gas (or a plasma containing nitrogen and a rare gas or a plasma containing nitrogen, a rare gas and hydrogen). An oxide film (or an oxide nitride film) is formed on the wafer surface using that plasma and an electrode of polysilicon, amorphous silicon or SiGe is formed, as required, thus forming the structure of an electronic device.

Abstract translation: 制造具有良好电气特性的电子器件（例如，高性能MOS半导体器件）的结构的方法，其中使用SiO 2膜和SiON膜作为具有极小厚度（例如2.5nm或更小）的绝缘膜， 并且多晶硅，非晶硅或SiGe用于电极。 在存在含有氧气和稀有气体的处理气体的情况下，通过平面天线构件SPA对主要包含Si的晶片W进行微波照射，以形成含有氧气和稀有气体的等离子体（或包含氮气和稀有气体的等离子体或 含有氮气，稀有气体和氢气的等离子体）。 根据需要，使用等离子体形成在晶片表面上的氧化膜（或氧化物氮化物膜），并且根据需要形成多晶硅，非晶硅或SiGe的电极，从而形成电子器件的结构。

公开(公告)号：KR1020030070126A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：KR1020037009626

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.

公开(公告)号：KR100994387B1

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：KR1020097009583

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 게이트 절연막, 산화막, 산질화막, 반도체,

公开(公告)号：KR1020070116696A

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020077026777

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: Method for fabricating the structure of an electronic device (e.g. a high-performance MOS semiconductor device) having good electric characteristics in which an SiO2 film and an SiON film are employed as an insulation film having an extremely small thickness (e.g. 2.5 nm or less) and polysilicon, amorphous silicon or SiGe is employed for an electrode. Under existence of a processing gas containing oxygen and a rare gas, a wafer W principally comprising Si is irradiated with microwave through a planar antenna member SPA to form a plasma containing oxygen and a rare gas (or a plasma containing nitrogen and a rare gas or a plasma containing nitrogen, a rare gas and hydrogen). An oxide film (or an oxide nitride film) is formed on the wafer surface using that plasma and an electrode of polysilicon, amorphous silicon or SiGe is formed, as required, thus forming the structure of an electronic device.

Abstract translation: 制造具有良好电气特性的电子器件（例如，高性能MOS半导体器件）的结构的方法，其中使用SiO 2膜和SiON膜作为具有极小厚度（例如2.5nm或更小）的绝缘膜， 并且多晶硅，非晶硅或SiGe用于电极。 在存在含有氧气和稀有气体的处理气体的情况下，通过平面天线构件SPA对主要包含Si的晶片W进行微波照射，以形成含有氧气和稀有气体的等离子体（或包含氮气和稀有气体的等离子体或 含有氮气，稀有气体和氢气的等离子体）。 根据需要，使用等离子体形成在晶片表面上的氧化膜（或氧化物氮化物膜），并且根据需要形成多晶硅，非晶硅或SiGe的电极，从而形成电子器件的结构。

公开(公告)号：KR100782954B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020047012721

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/3185 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12806

Abstract: 전자 디바이스용 기재 상에 절연막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 공정에 포함되는 절연막 특성을 제어하는 2 이상의 공정을 동일한 동작 원리하에서 행하여, 기재 표면의 절연막을 형성한다. 대기에의 노출을 피하여, 세정, 산화, 질화, 박막화 등의 처리를 실시함으로써, 세정도가 높은 절연막의 형성이 가능해진다. 또한, 동일한 동작 원리를 이용하여 절연막의 형성에 관한 여러 가지 공정을 실행함으로써, 장치 형체의 간략화를 실현하여, 특성이 우수한 절연막을 효율적으로 형성할수 있다.

公开(公告)号：KR100582481B1

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020037009815

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100574148B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：KR1020037015809

申请日：2002-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마신 ,  나카지마안리 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  이마이마사유키 ,  요네카와츠카사

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3211 ,  Y10S438/909

Abstract: 형성하는 실리콘의 질화막 또는 산질화막의 막의 면내의 균일성을 향상시키고, 또한, 그 때의 생산 능률을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 산질화막으로 이루어지는 제 1 막을 형성하는 공정과, 테트라클로로실란 단분자층 1층으로 이루어지는 제 2 막을 형성하는 공정과, 제 2 막을 질화 처리하여 질화규소 단분자층 1층으로 이루어지는 제 3 막을 형성하는 공정을 갖는다. 제 2 막을 형성하는 공정 및 제 3 막을 형성하는 공정을 소정 회수 반복하여 소정의 막두께의 질화규소막을 형성한다. 제조 장치는, 선반이 층층이 쌓인 형상의 웨이퍼 포트에 복수의 실리콘 기판이 배치되어, 프로세스 가스 공급관으로부터 반응관의 위쪽을 향해서 프로세스 가스가 공급된다.

Abstract translation: 改善氮化物膜或在形成氮氧化硅膜的膜面的均匀性，并且还提供一种用于制造能够改善当时生产效率的半导体装置的方法。 形成由氧化硅膜或硅衬底上的氮氧化硅膜，形成第二膜的由四氯硅烷单分子层1层的工序中的第一膜的步骤中，一第二个第一通过氮化膜3由硅氮化物单分子层1，层的 从而形成电影。 重复形成第二膜的步骤和形成第三膜的步骤预定次数以形成具有预定膜厚度的氮化硅膜。 制造装置中，布置在晶片端口上的多个硅基板的搁板状层叠层状，并且处理气体朝向从处理气体供给管的反应管的顶部被提供。

公开(公告)号：KR1020040108697A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020047015355

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

Abstract: 성막 물질을 함유하는 가스, 및 희가스를 적어도 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, 복수의 슬릿을 갖는 평면 안테나 부재를 통한 마이크로파 조사에 근거한 플라즈마를 이용하여, 전자 디바이스용 기재의 표면에 성막을 실시한다. 양호한 전기 특성을 갖는 절연막을 갖는 전자 디바이스용 기재를 형성할 수 있는 절연막을 형성할 수 있다.