公开(公告)号：KR100479986B1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1019970045908

申请日：1997-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  가네코노리히토 ,  아메미야마사아키 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/66

Abstract: 피검사체를 도입하는 도입스테이지에 피검사체가 올려놓아진다. 이 피검사체는 검사대 위에 반송되고, 피검사체에 측정광을 조사해서 피검사체의 표면에 형성되어 있는 박막의 두께가 측정된다. 피검사체의 도입스테이지와 상기 검사대의 사이에 덮개부재가 설치되고, 이 덮개부재에 의해 피검사체(W)의 반송공간과 검사대를 내장한 측정공간이 형성된다. 덮개부재에 의해 에워싸인 반송공간과 측정공간에 불순물이 극히 적은 순수가스가 순수가스 도입부로부터 도입된다.

公开(公告)号：KR100682190B1

公开(公告)日：2007-02-12

申请号：KR1020000051961

申请日：2000-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  다다요시히데 ,  이마이마사유키 ,  스에무라아사미 ,  히시야신고

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/308 ,  C23C16/56

Abstract: 실리콘 산질화물을 포함하는 절연막의 형성 방법은, 우선 실리콘 웨이퍼(W)에 산화 처리를 실시함으로써, 웨이퍼 표면상에 실리콘 산화막을 형성한다. 산화 처리에 있어서, 제 1 처리 시간 0.5 내지 30분에 걸쳐 실리콘 웨이퍼(W)를 수납한 처리실(41) 내의 분위기를 제 1 온도 700 내지 950℃ 및 제 1 압력 0.7 내지 (대기압-0.375)Torr로 설정하는 동시에, 처리실(41)내에 산화를 실행하기 위한 제 1 처리 가스를 공급한다. 제 1 처리 가스는 1 내지 5vol%의 수증기와 95 내지 99vol%의 질소 가스를 포함한다. 실리콘 산화막 형성 후에 실리콘 산화막의 적어도 일부를 실리콘 산질화물로 변환하기 위해서 어닐링(anneal) 처리를 한다. 어닐링 처리에 있어서, 제 2 처리 시간 1 내지 30분에 걸쳐, 처리실(41)내의 분위기를 제 2 가열 온도 800 내지 950℃ 및 제 2 압력 0.7 내지 680Torr로 설정하는 동시에, 처리실(41) 내에 질화를 실행하기 위한 제 2 처리 가스를 공급한다. 제 2 처리 가스는 10 내지 100vol%의 일산화질소 가스를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040007641A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037015809

申请日：2002-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마신 ,  나카지마안리 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  이마이마사유키 ,  요네카와츠카사

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3211 ,  Y10S438/909

Abstract: 형성하는 실리콘의 질화막 또는 산질화막의 막의 면내의 균일성을 향상시키고, 또한, 그 때의 생산 능률을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 산질화막으로 이루어지는 제 1 막을 형성하는 공정과, 테트라클로로실란 단분자층 1층으로 이루어지는 제 2 막을 형성하는 공정과, 제 2 막을 질화 처리하여 질화규소 단분자층 1층으로 이루어지는 제 3 막을 형성하는 공정을 갖는다. 제 2 막을 형성하는 공정 및 제 3 막을 형성하는 공정을 소정 회수 반복하여 소정의 막두께의 질화규소막을 형성한다. 제조 장치는, 선반이 층층이 쌓인 형상의 웨이퍼 포트에 복수의 실리콘 기판이 배치되어, 프로세스 가스 공급관으로부터 반응관의 위쪽을 향해서 프로세스 가스가 공급된다.

公开(公告)号：KR100290047B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019940004571

申请日：1994-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다나베신고 ,  니시히로노부 ,  미즈카미미쓰오 ,  이마이마사유키 ,  구레바야시다케시

IPC: H01L21/26

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 원형판 형상의 열처리체에 대하여 열처리를 하기 위하여 사용되는 열처리용 보트에 관한 것으로, 다수 개의 원판 형상의 피처리체를 상하로 소정간격을 두고 탑재하여 종형 열처리로 내에서 이 피처리체를 열처리하기 위하여 사용되는 열처리용 보트에 있어서, 이 피처리체의 테두리부 하면에 면접촉하여 이 피처리체를 지지하는 원판 형상 또는 링형상의 지지부재를 상하로 소정 간격을 두고 지지기둥에 설치한 것으로, 웨이퍼 보트(202)의 저부로부터 보온통(204)을 통하여 덮개부(205)에 의하여 열전도에 의하여 방열되어 가지만, 이 열의 흐름에 대하여 지지부재(271∼273) 및 지지부재(281-283)가 열전도 억제 영역으로서 기능하며, 결국 열전도로가 좁아져 있기 때문에, 아래쪽으로의 방열을 억제하는 작용을 한다. 이 결과, 웨이퍼 보트(202) 저부의 온도저하가 억제된다. 따라서 웨이퍼(W)의 테두리부로부터 지지기둥(221∼224)으로 도망가는 열량이 작게 되고, 웨이퍼(W)의 테두리부에 있어서의 열응력이 작게 되며, 미끄럼 발생이 억제된다.

公开(公告)号：KR100257302B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019940005495

申请日：1994-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4584

Abstract: 본 발명의 성막방법은 피처리체를 수용하는 처리용기 내에 적어제1도종류의 처리가스를 공급하는 처리가스 공급공정과, 처리용기 내에 공급되는 처리가스의 처리용기 내에 있어서의 화학반응의 초기상태를 반복 재현하면서 처리용기의 피처리체의 표면에 처리가스의 화학반응에 의하여 생성물에 의한 박막을 형성하는 박막형성공정으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1019980024359A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970045908

申请日：1997-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  가네코노리히토 ,  아메미야마사아키 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/66

Abstract: 피검사체를 도입하는 도입스테이지에 피검사체가 재치된다. 이 피검사체는 검사대상에 이재되고, 피검사체에 측정광을 조사해서 피검사체의 표면에 형성되어 있는 박막의 두께가 측정된다. 피검사체의 도입스테이지와 상기 검사대의 사이에 덮개부재가 설치되고, 이 덮개부재에 의해 피검사체(W)의 반송공간과 검사대를 내장한 측정공간이 형성된다. 덮개부재에 의해 애워싼 반송공간과 측정공간에 불순물이 극히 적은 순수가스가 순수가스도입부로부터 도입된다.

公开(公告)号：KR1019940022688A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940004571

申请日：1994-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다나베신고 ,  니시히로노부 ,  미즈카미미쓰오 ,  이마이마사유키 ,  구레바야시다케시

IPC: H01L21/26

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 원형판 형상의 열처리체에 대하여 열처리를 하기 위하여 사용되는 열처리용 보트에 관한 것으로, 다수 개의 원판 형상의 피처리체를 상하로 소정간격을 두고 탑재하여 종형 열처리로 내에서 이 피처리체를 열처리하기 위하여 사용되는 열처리용 보트에 있어서, 이 피처리체의 테두리부 하면에 면접촉하여 이 피처리체를 지지하는 원판 형상 또는 링형상의 지지부재를 상하로 소정 간격을 두고 지지기둥에 설치한 것으로, 웨이퍼 보트(202)의 저부로부터 보온통(204)을 통하여 덮개부(205)에 의하여 열전도에 의하여 방열되어 가지만, 이 열의 흐름에 대하여 지지부재(271)∼(273) 및 지지부재(281)∼(283)가 열전도 억제 영역으로서 기능하며, 결국 열전도로가 좁아져 있기 때문에, 아래쪽으로의 방열을 억제하는 작용을 한다. 이 결과, 웨이퍼 보트(202) 저부의 온도저하가 억제된다. 따라서 웨이퍼(W)의 테두리로부터 지지기둥(221)∼(224)으로 도망가는 열량이 작게 되고, 웨이퍼(W)의 테두리부에 있어서의 열응력이 작게 되며, 미끄럼 발생이 억제된다.

公开(公告)号：KR100574148B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：KR1020037015809

申请日：2002-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마신 ,  나카지마안리 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  이마이마사유키 ,  요네카와츠카사

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3211 ,  Y10S438/909

Abstract: 형성하는 실리콘의 질화막 또는 산질화막의 막의 면내의 균일성을 향상시키고, 또한, 그 때의 생산 능률을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 산질화막으로 이루어지는 제 1 막을 형성하는 공정과, 테트라클로로실란 단분자층 1층으로 이루어지는 제 2 막을 형성하는 공정과, 제 2 막을 질화 처리하여 질화규소 단분자층 1층으로 이루어지는 제 3 막을 형성하는 공정을 갖는다. 제 2 막을 형성하는 공정 및 제 3 막을 형성하는 공정을 소정 회수 반복하여 소정의 막두께의 질화규소막을 형성한다. 제조 장치는, 선반이 층층이 쌓인 형상의 웨이퍼 포트에 복수의 실리콘 기판이 배치되어, 프로세스 가스 공급관으로부터 반응관의 위쪽을 향해서 프로세스 가스가 공급된다.

Abstract translation: 改善氮化物膜或在形成氮氧化硅膜的膜面的均匀性，并且还提供一种用于制造能够改善当时生产效率的半导体装置的方法。 形成由氧化硅膜或硅衬底上的氮氧化硅膜，形成第二膜的由四氯硅烷单分子层1层的工序中的第一膜的步骤中，一第二个第一通过氮化膜3由硅氮化物单分子层1，层的 从而形成电影。 重复形成第二膜的步骤和形成第三膜的步骤预定次数以形成具有预定膜厚度的氮化硅膜。 制造装置中，布置在晶片端口上的多个硅基板的搁板状层叠层状，并且处理气体朝向从处理气体供给管的反应管的顶部被提供。

公开(公告)号：KR1020010030252A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000051961

申请日：2000-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라겐지 ,  다다요시히데 ,  이마이마사유키 ,  스에무라아사미 ,  히시야신고

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/308 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A method for forming an insulating film and a device therefor are provided to obtain an excellent electric characteristic by reducing accumulation of thermal hysteresis in an insulating film when the insulating film is produced by oxidizing a silicon layer. CONSTITUTION: A wafer(W) with a silicon layer is sent to a vertical heat treating furnace(41), a processing atmosphere is generated, for example, at 850 deg.C, and a silicon oxide film is formed, for example, by means of wet oxidation with steam. Then heat treatment(anneal process) is performed with the wafer(W) arranged in the heat treating furnace(41) under a processing atmosphere, for example, at 850 deg.C while introducing an N2O gas for a predetermined period of time.

Abstract translation: 目的：提供一种形成绝缘膜的方法及其装置，通过在通过氧化硅层制造绝缘膜时，通过减少绝缘膜中的热滞的累积来获得优异的电特性。 构成：将具有硅层的晶片（W）送入垂直热处理炉（41），例如在850℃下产生加工气氛，例如通过 用蒸汽湿氧化的方法。 然后，在加热气氛（例如850℃）下，在热处理炉（41）中配置的晶片（W）进行热处理（退火处理），同时引入N2O气体一定时间。

公开(公告)号：KR1019940022685A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940005495

申请日：1994-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명의 성막방법은 피처리체를 수용하는 처리용기 내에 적어도 1종류의 처리가스를 공급하는 처리가스 공급공정과, 처리용기 내에 공급되는 처리가스의 처리용기 내에 있어서의 화학반응의 초기상태를 반복 재현하면서 처리용기의 피처리체의 표면에 처리가스의 화학반응에 의하여 생성물에 의한 박막을 형성하는 박막형성공정으로 이루어진다.