公开(公告)号：KR1020070057029A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020060119156

申请日：2006-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카고지 ,  미나미데루오미

IPC: G01F23/00

CPC classification number: G01F23/02 ,  G01F23/2927

Abstract: An apparatus for detecting a liquid level and a liquid processing apparatus including the same are provided to prevent bubble from entering a branched pipe even when liquid flows from a tank to a pipe and the branched pipe. In an apparatus for detecting a liquid level, a tank(5) is formed of fluorine resin such as PFA and is cylindrical so that the center of the bottom of the tank is concave. An opening in the upper end of the tank is closed by a case(11) formed of the fluorine resin such as the PFA. A processing liquid(L) is stored in the tank. In the tank, the supplying holes of processing liquid supply pipes(13) between which an opening and closing valve(V3) connected to a processing liquid supply source(12) is provided and the supplying holes of return pipes(9) are positioned to face the internal surface of the tank through holes provided in the case. Here, the reason why the supplying holes of the processing liquid supplying pipes and the return pipes face the internal surface of the tank is that the processing liquid supplied from the processing liquid supplying pipe or the return pipe collides with the internal surface of the tank to prevent the vapor from being generated.

Abstract translation: 提供了一种用于检测液面的装置和包括该液位的液体处理装置，以防止气体即使在液体从罐流到管道和分支管道时也进入分支管道。 在用于检测液位的装置中，罐（5）由氟树脂（如PFA）形成，并且是圆柱形的，使得罐的底部的中心是凹的。 通过由诸如PFA的氟树脂形成的壳体（11）封闭罐的上端的开口。 处理液（L）被储存在罐中。 在储罐中，设置处理液供给管（13）的供给孔，在该供给管（13）之间设有与处理液供给源（12）连接的开闭阀（V3），返回管（9）的供给孔位于 通过设在壳体中的孔面对油箱的内表面。 这里，处理液供给管和返回管的供给孔朝向箱体的内表面的原因是从处理液供给管或返回管供给的处理液与罐的内表面碰撞， 防止产生蒸气。

公开(公告)号：KR100681382B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020060008211

申请日：2006-01-26

Applicant: 소니 주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사다가즈미 ,  이와모또하야또 ,  미나미데루오미

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 건조 능력을 저하시키지 않고, 건조 시간을 단축하며, 건조 처리 능력을 향상시킴과 동시에, 유기물의 사용량을 저감시킴으로써, 자연 환경의 보호에 공헌하고, 잔류 유기물의 저감을 도모한다.
50장 정도의 반도체 웨이퍼(3)를 건조시키는, 제어된 IPA 건조 장치를 이용하여, 기화된 IPA를 노즐(13) 및 노즐 구멍(13a)을 통해 반도체 웨이퍼(3)에 분무함으로써 반도체 웨이퍼(3)를 건조시킬 때에, IPA 증기를 수직 하측 방향으로부터 반도체 웨이퍼(3)측을 향해 20°∼ 50°의 각도 θ로 분무하도록 한다. 이 때, IPA의 초기 토출량을 0.8 ∼ 1.5cc/s로 하고, 사용량을 70 ∼ 200cc/배치가 되도록 한다.
건조 장치, 수세조, 건조조, 반도체 웨이퍼, 오버플로우 수세조, 노즐, 노즐 구멍

公开(公告)号：KR101601341B1

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020110118816

申请日：2011-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是防止当通过使用挥发性干燥液干燥基底以粘附微细颗粒时在基底表面上产生水印。 通过供应处理溶液到基底上，所述处理液的形成的液体膜的基板。根据本发明，在基板至处理液体溶液处理hanhue挥发性衬底处理方法和衬底处理设备，用于处理的步骤的液体干燥处理 向形成有处理液的液膜的基板供给挥发性处理液的工序，停止向基板供给挥发性处理液的工序，通过除去挥发性处理液而使基板干燥的工序 其中，在提供挥发性处理液的步骤之前和在基板表面暴露于挥发性处理液之前，基板的表面温度高于露点温度之前，加热基板的步骤开始， 以便衬底被加热。

公开(公告)号：KR101254845B1

公开(公告)日：2013-04-15

申请号：KR1020090102797

申请日：2009-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미데루오미 ,  야부타다카시 ,  고사이가즈키

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02057

Abstract: 본 발명은 약액을 이용하여 하드마스크를 제거할 때에, 약액을 회수하여 재이용할 수 있는 액처리 방법을 제공한다.
웨이퍼에 형성된 피에칭막을, 소정 패턴으로 형성된 하드마스크층을 에칭 마스크로서 이용하여 에칭한 후, 하드마스크층 및 에칭시에 부착된 폴리머를 약액으로 제거하는 액처리 방법은, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 약액을 공급하여 하드마스크층을 제거하고, 처리 후의 약액을 폐기하는 제1 공정과, 제1 공정에 의한 하드마스크층의 잔존량이, 처리 후의 약액을 회수하여 재이용하는 것이 가능해지는 양이 되었을 때에, 폐기하던 처리 후의 약액을 회수하여 이 액처리에 제공하도록 전환하는 제2 공정과, 제2 공정 후, 웨이퍼를 회전시키면서, 약액을 회수하여 재이용하고, 약액에 의해 하드마스크층의 잔부 및 폴리머, 또는 폴리머를 제거하는 제3 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090023076A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020080069152

申请日：2008-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미데루오미 ,  이토노리히로 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: A liquid treatment device, the liquid processing method and the storage media are provided to prevent the strain from being generated in the processed substrate by removing the alkali component within the casing of the liquid treatment device. The liquid treatment device comprises the casing(5), the substrate supporting device(20), the process liquid supply mechanism(30), the drainage cup(12) and drain tube(13). The substrate supporting device maintains the wafer(W). The process liquid supply mechanism comprises the first chemical supply tool and dry solution feed mechanism. The first chemical supply supplies the tool hydrofluoric acid based processing liquid. The dry solution feed mechanism supplies organic solvent for drying. The controller(50) supplies the hydrofluoric acid based processing liquid and controls the dry solution feed mechanism to supply the organic solvent.

Abstract translation: 提供液体处理装置，液体处理方法和存储介质，以通过去除液体处理装置的壳体内的碱成分来防止在处理基板中产生应变。 液体处理装置包括壳体（5），基板支撑装置（20），处理液供给机构（30），排水杯（12）和排水管（13）。 基板支撑装置保持晶片（W）。 工艺液体供给机构包括第一化学品供给工具和干燥溶液进料机构。 第一种化学品供应工具为氢氟酸处理液。 干溶液进料机构提供有机溶剂进行干燥。 控制器（50）供应基于氢氟酸的处理液体并控制干溶液供给机构以供应有机溶剂。

公开(公告)号：KR100652097B1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1019990016133

申请日：1999-05-06

Applicant: 소니 주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사다가즈미 ,  이와모또하야또 ,  미나미데루오미

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 건조 능력을 저하시키지 않고, 건조 시간을 단축하며, 건조 처리 능력을 향상시킴과 동시에, 유기물의 사용량을 저감시킴으로써, 자연 환경의 보호에 공헌하고, 잔류 유기물의 저감을 도모한다.
50장 정도의 반도체 웨이퍼(3)를 건조시키는, 제어된 IPA 건조 장치를 이용하여, 기화된 IPA를 노즐(13) 및 노즐 구멍(13a)을 통해 반도체 웨이퍼(3)에 분무함으로써 반도체 웨이퍼(3)를 건조시킬 때에, IPA 증기를 수직 하측 방향으로부터 반도체 웨이퍼(3)측을 향해 20°∼ 50°의 각도 θ로 분무하도록 한다. 이 때, IPA의 초기 토출량을 0.8 ∼ 1.5cc/s로 하고, 사용량을 70 ∼ 200cc/배치가 되도록 한다.
건조 장치, 수세조, 건조조, 반도체 웨이퍼, 오버플로우 수세조, 노즐, 노즐 구멍

公开(公告)号：KR100580974B1

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020060008210

申请日：2006-01-26

Applicant: 소니 주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사다가즈미 ,  이와모또하야또 ,  미나미데루오미

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 건조 능력을 저하시키지 않고, 건조 시간을 단축하며, 건조 처리 능력을 향상시킴과 동시에, 유기물의 사용량을 저감시킴으로써, 자연 환경의 보호에 공헌하고, 잔류 유기물의 저감을 도모한다.
50장 정도의 반도체 웨이퍼(3)를 건조시키는, 제어된 IPA 건조 장치를 이용하여, 기화된 IPA를 노즐(13) 및 노즐 구멍(13a)을 통해 반도체 웨이퍼(3)에 분무함으로써 반도체 웨이퍼(3)를 건조시킬 때에, IPA 증기를 수직 하측 방향으로부터 반도체 웨이퍼(3)측을 향해 20°∼ 50°의 각도 θ로 분무하도록 한다. 이 때, IPA의 초기 토출량을 0.8 ∼ 1.5cc/s로 하고, 사용량을 70 ∼ 200cc/배치가 되도록 한다.
건조 장치, 수세조, 건조조, 반도체 웨이퍼, 오버플로우 수세조, 노즐, 노즐 구멍

Abstract translation: 干燥时间缩短，干燥处理能力提高，有机物的使用量减少，有助于保护自然环境，减少残留有机物。

公开(公告)号：KR1019990088064A

公开(公告)日：1999-12-27

申请号：KR1019990016133

申请日：1999-05-06

Applicant: 소니 주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사다가즈미 ,  이와모또하야또 ,  미나미데루오미

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: 건조능력을저하시키지않고, 건조시간을단축하며, 건조처리능력을향상시킴과동시에, 유기물의사용량을저감시킴으로써, 자연환경의보호에공헌하고, 잔류유기물의저감을도모한다. 50장정도의반도체웨이퍼(3)를건조시키는, 제어된 IPA 건조장치를이용하여, 기화된 IPA를노즐(13) 및노즐구멍(13a)을통해반도체웨이퍼(3)에분무함으로써반도체웨이퍼(3)를건조시킬때에, IPA 증기를수직하측방향으로부터반도체웨이퍼(3)측을향해 20°∼ 50°의각도θ로분무하도록한다. 이때, IPA의초기토출량을 0.8 ∼ 1.5cc/s로하고, 사용량을 70 ∼ 200cc/배치가되도록한다.

公开(公告)号：KR102172305B1

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：KR1020187031146

申请日：2017-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 바셋데렉 ,  프린츠월리스피. ,  로톤다로안토니오엘.피. ,  미나미데루오미 ,  후루카와다카히로

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101864001B1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR1020160016384

申请日：2016-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.