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公开(公告)号：KR1020170028849A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020160111667
申请日：2016-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , H05H1/46
Abstract: 포커스링의흡착특성을안정화시키는것을목적으로한다. 처리용기내에서기판을배치하는하부전극의주연부에배치되고, 상기하부전극의부재와접촉하는포커스링으로서, 상기포커스링의접촉면은실리콘함유재료, 알루미나(AlO) 또는석영중 어느하나로형성되고, 상기포커스링의접촉면및 상기하부전극의부재의접촉면중 적어도어느하나는 0.1 μm 이상의표면거칠기인포커스링이제공된다.
Abstract translation: 聚焦环设置在下电极的周边部分上，该下电极在处理容器中接收基板，从而与下电极的部件接触。 聚焦环包括与下电极的构件接触并由含硅材料，氧化铝和石英中的任一种制成的接触表面。 聚焦环的接触表面和下电极的构件的接触表面中的至少一个具有0.1微米或更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：KR1020140128955A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147018738
申请日：2013-02-06
Applicant: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6833 , B23Q3/15 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 상면을 판 형상 시료를 재치하는 재치면으로 함과 함께 정전 흡착용 내부 전극을 내장한 정전 척부와, 정전 척부를 냉각하는 냉각 베이스부를 구비하고, 정전 척부와 냉각 베이스부는 접착층을 통하여 접착 일체화되며, 정전 척부 및 냉각 베이스부에 형성된 냉각용 가스 구멍에, 절연애자와, 절연애자의 외주부에 동축적으로 설치된 절연애자로 이루어지는 2중관 구조의 절연애자를, 냉각용 가스 구멍측의 접착층의 노출면을 덮도록 설치하였다.
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公开(公告)号：KR1020140090196A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147012631
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC classification number: F25B43/02 , F04C18/00 , F04C29/042 , F25B1/053 , F25B13/00 , F25B31/004 , F25B49/02 , F25B2600/21 , H01J37/32724 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 냉매의 상 변화에 의해 주위와 열 교환하는 열 교환부(71)와, 냉매를 열 교환부(71)로부터 유입하고, 내부의 기름과 융합시키는 로터리 펌프(73)와, 기름에 융합된 냉매를 로터리 펌프(73)로부터 유입하고, 기름과 분리시키는 유수 분리기(74)를 구비하되, 기름과 분리된 냉매를 재차 열 교환부(71)로 순환시킴으로써 냉각 기능을 갖는 냉동 사이클을 구성하는 온도 제어 장치(70)가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101115659B1
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：KR1020090009726
申请日：2009-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사사키야스하루
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 정전 척을 구비한 기판 탑재대에 있어서는 정전 척 전극으로의 급전선의 주위를 절연재료로 둘러싸기 때문에, 전열이 나쁜 부분이 생긴다. 그래서, 이 부분의 전열을 보상하여, 기판 전체의 온도를 균일하게 하는 수단을 제공한다. 급전선 주위의 기판 탑재대 표면에 환상 볼록부를 형성하여, 기판과 탑재대의 간극의 공간을 내측 영역과 외측 영역으로 구획하고, 각 영역에 냉각 가스의 공급관과 배출관을 배치하여, 각각의 영역의 냉각 가스 압력을 독립적으로 제어할 수 있게 한다.
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公开(公告)号：KR1020120018089A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020110082320
申请日：2011-08-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A substrate processing device and a temperature controlling method are provided to efficiently control a temperature of a temperature control surface of a component member in a chamber by including a temperature control unit. CONSTITUTION: A substrate is loaded on a susceptor(12) in a chamber. A shower head faces the susceptor and a process space is located between the shower head and the susceptor. A water spray device(16) forms a wet surface on the rear surface of the susceptor as a temperature control surface. An evaporation chamber separates the wet surface from a surrounding atmosphere. A pressure control device evaporates water for forming the wet surface by controlling pressure in the evaporation chamber. The temperature of the surface of the susceptor is controlled by using latent heat of the water.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和温度控制方法，通过包括温度控制单元来有效地控制室内部件的温度控制面的温度。 构成：衬底被装载在腔室中的基座（12）上。 淋浴头面对感受器，并且处理空间位于淋浴头和感受器之间。 喷水装置（16）在基座的后表面上形成湿表面作为温度控制表面。 蒸发室将湿表面与周围的气氛分开。 压力控制装置通过控制蒸发室中的压力来蒸发用于形成湿表面的水。 通过使用潜热来控制感受器表面的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101037461B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020080084461
申请日：2008-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사사키야스하루
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 피처리기판의 온도 제어성이 좋고, 기판 전체에 있어서 국소적으로 전도열량이 급변하는 것 같은 특이점이 없는 기판탑재대를 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판탑재대 표면에, 열전달용 가스의 유입구와 유출구를 마련하고, 기판탑재대 표면과 기판과의 사이의 폐공간을 유로로 하여 정상적(定常的)인 가스류를 형성시키고, 이 유로에 각종의 장해물을 두는 것에 의해 가스의 유동성(콘덕턴스)을 조정하고, 가스의 유입구와 유출구 사이에 10Torr 내지 40Torr의 차압를 발생시킨다. 가스의 열전달율이 압력에 비례하기 때문에, 이 차압에 의해 피처리기판의 온도분포를 조절할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110040724A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020100099915
申请日：2010-10-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A temperature control system and temperature control method for a substrate mounting table are provided to prevent partial heat of a heating unit from being absorbed by a second heat medium, thereby quickly preventing a temperature increase of a substrate. CONSTITUTION: A chamber(11) receives a wafer for a semiconductor device. A cylindrical susceptor(12) is arranged in the lower part of the chamber. A heater unit(14) and a heat medium flow path(15) are embedded in the susceptor. A shower head(13) faces the susceptor in the upper part of the chamber. The shower head has a disk shape. The shower head includes a buffer chamber(17) and a plurality of gas holes(18) which connects the buffer chamber with a processing space.
Abstract translation: 目的：提供一种用于基板安装台的温度控制系统和温度控制方法，以防止加热单元的部分热被第二热介质吸收，从而快速防止基板的温度升高。 构成：室（11）接收用于半导体器件的晶片。 圆柱形基座（12）布置在腔室的下部。 加热器单元（14）和热介质流路（15）嵌入在基座中。 淋浴头（13）面向腔室上部的基座。 淋浴头具有盘形。 淋浴头包括缓冲室（17）和连接缓冲室与处理空间的多个气孔（18）。
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公开(公告)号：KR1020090024075A
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020080084461
申请日：2008-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사사키야스하루
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: A substrate mounting table, and the substrate processing apparatus and temperature control method are provided to generate the desired gas pressure difference in the platform by the necessary minimum gas for the heat transmission and to control the uniform temperature of the substrate. The substrate(2) is mounted on the platform (1). The surface of the platform is concave. The gap(3) is formed between the concave part and the substrate. The peripheral convex portion(4) is installed at the circumference of the concave part. The inlet port(6) for the heat transmission is installed at the peripheral region of the concave part. The outlet port(7) for the heat transmission is installed at the center part of the concave part. The passage(5) is formed in the surface of the substrate platform.
Abstract translation: 提供基板安装台以及基板处理装置和温度控制方法，以通过用于传热的必要的最小气体来产生平台中期望的气体压力差并且控制基板的均匀温度。 基板（2）安装在平台（1）上。 平台的表面是凹的。 在凹部和基板之间形成间隙（3）。 周边凸部（4）安装在凹部的周边。 用于传热的入口（6）安装在凹部的周边区域。 用于传热的出口（7）安装在凹部的中心部分。 通道（5）形成在基板平台的表面中。
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公开(公告)号：KR1020080076802A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020080013475
申请日：2008-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/68757 , C23C16/4581 , H01J37/20 , H01L21/67366 , H01L21/6875
Abstract: A substrate mounting stage and a method for treating a surface thereof are provided to prevent particles due to contact between a wafer and a surface of an electrostatic chuck. A substrate mounting stage(12) having a substrate mounting plane for mounting substrates is implemented in a substrate treatment unit for processing a treatment on the substrates. An arithmetic average roughness of the substrate mounting plane is more than a first predetermined value. An initial wear height of the substrate mounting plane is less than a second predetermined value. The first predetermined value is 0.45. The second predetermined value is 0.35. A roughness curve skewness of the substrate mounting plane is less than -1.5.
Abstract translation: 提供了基板安装台及其表面处理方法，以防止晶片与静电卡盘的表面之间的接触造成的颗粒。 在基板处理单元中实现具有用于安装基板的基板安装面的基板安装台（12），用于对基板进行处理。 基板安装面的算术平均粗糙度大于第一预定值。 基板安装面的初始磨损高度小于第二预定值。 第一预定值为0.45。 第二预定值为0.35。 基板安装面的粗糙度曲线偏度小于-1.5。
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公开(公告)号：KR101718378B1
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020110007187
申请日：2011-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 사사키야스하루
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 기판재치장치의온도조절기능등을평가하고자하는조건또는상황에따라간편하게평가가능한기판재치장치의평가장치및 그평가방법, 그리고이에이용하는평가용기판을제공한다. 재치면에놓인피처리기판을고정및 온도제어하는기판재치장치의평가장치로서, 상기기판재치장치를내부에설치하는감압가능한기밀챔버와, 상기피처리기판대신에상기재치면에재치되며, 자기발열시키는저항가열체를구비한평가용기판과, 상기평가용기판의온도를측정하는온도측정수단을구비한다.
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