Abstract:
PURPOSE: A substrate transfer apparatus, a substrate transfer method thereof, and a recording medium in which a program for executing the substrate transfer method is recorded are provided to detect a substrate position deviation amount with high precision, thereby easily correcting the deviation amount. CONSTITUTION: A maintenance part(3A) maintains a substrate(W). The maintenance part is installed in order to be transferred from/to a base. Four or more detection parts(5A,5B,5C,5D) respectively detect a location of a peripheral part of the substrate at different locations. The detection part is comprised of a light source and linear image sensors(52A,52B,52C,52D). A controller calculates the center position of the substrate based on the location of the peripheral part.
Abstract:
도포 유닛에 있어서 도포액의 종류는 같지만 목표 막두께가 다른 생산라인용 레시피와 막두께 측정용 레시피를 복수 준비하고, 이들 중 도포액의 종류 및 목표 막두께가 대응하는 것에 관하여 공통의 스핀커브에 링크시킨다. 그리고 막두께 측정용 레시피를 실행하여 막두께 측정 데이터마다 회전수의 보정치를 산출한다. 각 레시피의 회전수 설정치는 이 보정치를 사용함으로써 일괄하여 보정할 수 있다.
Abstract:
본 발명은, 기판의 주연부에 절결이 있는 기판을 포크에 의해 유지하고, 반송할 때에, 기판 위치의 어긋남량을 정밀도 좋게 검출할 수 있어, 그 어긋남량을 용이하게 보정할 수 있고, 포크의 상태를 동시에 확인하여 보정할 수 있는 기판 반송 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 베이스와, 베이스로부터 진퇴 가능하게 설치되고, 기판(W)을 유지하는 유지부(3A)와, 유지부(3A)가 기판(W)을 유지한 상태에서 후퇴했을 때에, 유지부(3A)가 유지하고 있는 기판(W)의 주연부의 위치를, 각각 상이한 위치에서 검출하는 4개 이상의 검출부(5)와, 검출부(5)가 주연부의 위치를 검출한 검출값에 기초하여, 검출부(5) 중 어느 것이 기판(W)의 주연부의 절결이 형성된 부분(WN)을 검출했는지 여부를 판정하여, 하나의 검출부(5)가 절결이 형성된 부분(WN)을 검출했다고 판정했을 때에, 하나의 검출부(5) 이외의 3개의 검출부(5)의 검출값에 기초하여, 다음 처리 유닛에 반송할 때에 처리 유닛의 기판(W)의 전달 위치에 보정하는, 제어부를 갖는다.
Abstract:
웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.
Abstract:
웨이퍼(W) 상에 형성된 절연막 재료 표면에 자외선을 조사하는 처리를 실시하는 것에 의해, 그 표면의 접촉각이 작아진다. 따라서, 그 위에 절연막 재료를 도포할 때에 재료가 부드럽게 확장하고, 상층 절연막 재료의 표면에 요철이 생기지 않게 된다. 이것에 의해, 기판 상에 절연막을 두껍게, 그리고 보다 평탄하게 형성할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: To reduce labor necessary for setting or for re-setting or correcting the number of rotation of a substrate and improve throughput by automating the above works, when coating film is formed by using spin coating method. CONSTITUTION: In a coating unit, a plurality of recipes for a production line and recipes for measuring film thickness where the kind of coating liquid is identical but target film thickness is different are prepared. Among the recipes, recipes with the kind of coating liquid and the target film thickness corresponding to each other are linked by a common spin curve. A recipe for measuring film thickness is performed, and a correction value of the number of rotation is calculated for each film thickness measuring datum. Setting values for the number of rotation of the respective recipes can be corrected collectively, by using the correction value.
Abstract:
PURPOSE: Provided is a substrate-treating device which can quickly perform treatment for obtaining desired characteristics, while the device suppresses the contamination by particles to the utmost. CONSTITUTION: When a wafer(W) is delivered from a main wafer transfer mechanism into a heat treatment chamber(151), the air pressure in the chamber(151) is made higher than the air pressure on the transfer mechanism side by blowing nitrogen gas into the chamber(151). Thereafter, a hermetically sealed space for heat treatment is formed in the chamber(151), and heat treatment is performed on the wafer(W), by stopping the blown-out nitrogen gas and setting the inside of the chamber(151) at an air pressure which is lower than the atmospheric pressure by starting a vacuum pump(170).