公开(公告)号：KR100906509B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: SiO
2
용량 환산 막두께가 1.45㎚ 이하인 하프늄 실리케이트계 재료로 이루어지는 게이트 절연막(4)을 실리콘 기판(1) 상에 형성하는 방법이 개시된다. 이 방법은, 실리콘 기판(1)의 표면을 세정하고 실질적으로 산소가 존재하지 않은 청정면으로 하는 공정과, 아미드계 유기 하프늄 화합물과 실리콘 함유 원료를 이용한 CVD 프로세스에 의해, 실리콘 기판(1)의 청정면에 하프늄 실리케이트막(2)을 성막하는 공정과, 하프늄 실리케이트막(2)에 산화 처리를 실시하는 공정과, 산화 처리를 실시한 후의 하프늄 실리케이트막(2)에 질화 처리를 실시하는 공정을 갖는다. 이 방법에 의하면, 막두께가 얇더라도 표면 거칠기가 양호한 게이트 절연막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100810777B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020067011923

申请日：2004-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: 처리 용기 내에서 피처리 기판 표면에 소정의 처리 온도로 산화막을 형성하는 성막 방법은, 상기 기판을 상기 소정의 처리 온도까지 승온하는 승온 공정을 포함하고, 상기 승온 공정은, 상기 기판을, 상기 기판의 온도가 450℃의 온도에 도달하기 전에, 산소를 포함하는 분위기 중에 유지하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100801770B1

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：KR1020067008883

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 처리용기 내부를 진공 배기한 상태로 운전을 정지하고 있었던 경우 등에 있어서, 운전을 재개하려고 해도, 플라즈마가 용이하게 착화하지 않는 현상이 생기는 문제를 해결한다.
처리용기(21) 중에 산소를 포함하는 가스를 유통시키고, 상기 처리용기(21) 내부를 배기하면서 상기 산소를 포함하는 가스에 자외광을 조사한다. 그 후, 리모트 플라즈마원(26)을 구동하여, 플라즈마를 착화시킨다.

公开(公告)号：KR100980528B1

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：KR1020087014405

申请日：2006-11-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아키야마고지 ,  야마자키가즈요시 ,  가와노유미코

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 반도체 기판인 Si기판(1) 상에, 게이트 절연막(2)을 형성하고, 계속해서 게이트 절연막(2) 상에, W(CO)
6 가스를 포함하는 성막 가스 이용한 CVD에 의해, W계막(3a)을 형성한다. 그 후, 환원성 가스의 존재하에서 산화 처리하고, W 계막(3a)중의 W는 산화시키지 않고 C만을 선택적으로 산화시켜서 W계막(3a)중에 포함되는 C농도를 감소시킨다. 그 후, 필요에 따라서 열처리를 실시한 후, 레지스트 도포, 패터닝, 에칭 등을 실행하고, 또한 이온 주입 등에 의해 불순물 확산 영역(10)을 형성하고, MOS 구조의 반도체 장치를 형성한다.

公开(公告)号：KR1020080075191A

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：KR1020087014896

申请日：2006-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  아키야마고지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: This invention provides a method for modifying a highly dielectric thin film provided on the surface of an object using an organometallic compound material. The method comprises a provision step of providing the object with the highly dielectric thin film formed on the surface thereof, and a modification step of applying ultraviolet light to the highly dielectric thin film in an inert gas atmosphere while maintaining the object at a predetermined temperature to modify the highly dielectric thin film. According to the above constitution, the carbon component can be eliminated from the highly dielectric thin film, and the whole material can be thermally shrunk to improve the density, whereby the occurrence of defects can be prevented and the film density can be improved to enhance the specific permittivity and thus to provide a high level of electric properties.

Abstract translation: 本发明提供一种使用有机金属化合物材料修饰在物体表面上设置的高电介质薄膜的方法。 该方法包括向物体提供在其表面上形成的高电介质薄膜的设置步骤，以及将惰性气体气氛中的高电介质薄膜施加紫外光，同时将物体保持在预定温度至 修改高介电性薄膜。 根据上述结构，可以从高电介质薄膜中除去碳成分，并且整个材料可以热收缩以提高密度，从而可以防止缺陷的发生，并且可以提高膜密度以提高 比介电常数，从而提供高水平的电性能。

公开(公告)号：KR1020080025081A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020077030143

申请日：2007-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아루가미키 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: A method of substrate treatment comprising, with the use of a sheet-feed substrate treating apparatus provided with a first treatment position for introducing of nitrogen atoms in a highly dielectric film and a second treatment position for heat treatment of the highly dielectric film, sequentially delivering multiple substrates to be treated one by one to the first and second treatment positions to thereby sequentially carry out the nitrogen atom introduction treatment and heating treatment on the highly dielectric film of the substrates to be treated, wherein after the treatment in the first treatment position, treatment of the resultant substrates in the second treatment position is begun within 30 sec. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 一种基板处理方法，其特征在于，使用具有用于在高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置的片材进给基板处理装置和用于高介电膜的热处理的第二处理位置，顺序地输送 将待处理的多个基板一个接一个地处理到第一处理位置和第二处理位置，从而对要处理的基板的高电介质膜依次进行氮原子引入处理和加热处理，其中在第一处理位置处理之后， 在第二处理位置处理所得到的基材在30秒内开始。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020060131970A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming gate insulating film (4) of a hafnium silicate material having an SiO2 capacity- converted film thickness of

Abstract translation: 一种在硅衬底（1）上形成SiO 2电容转换膜厚度<= 1.45nm的硅酸铪材料的栅极绝缘膜（4）的方法。 该方法包括清洗硅衬底（1）的表面从而获得其中基本上不存在氧的清洁表面的步骤; 通过使用酰胺有机铪化合物和硅原料的CVD工艺，在硅衬底（1）的清洁表面上形成硅酸铪膜（2）; 氧化硅酸铪膜（2）; 并对经过氧化的硅酸铪膜（2）进行氮化。 通过该方法，可以获得即使膜薄的栅极绝缘膜，表面粗糙度也优异。

公开(公告)号：KR1020060086398A

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1020067008883

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: A method to solve such a problem that plasma will not ignite in restarting operation of a processing container that has not been operated with the inside kept drawn to vacuum. Gas containing oxygen is passed in a processing container (21), and ultraviolet light is irradiated to the gas while gas inside the processing container (21) is being discharged. After that, a remote plasma source (26) is driven to ignite plasma.

Abstract translation: 一种解决在没有被内部保持抽吸到真空中的处理容器的重新启动操作中等离子体不会点燃的问题的方法。 含有氧的气体通过处理容器（21），并且在处理容器（21）内的气体被排出时，对气体照射紫外线。 之后，驱动远程等离子体源（26）以点燃等离子体。

公开(公告)号：KR1020050106093A

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：KR1020057016664

申请日：2003-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: It is intended to efficiently nitride an extremely thin oxide film or oxonitride film of 0.4 nm or less thickness while minimizing a film increase. In particular, oxygen radicals are generated through oxygen radical generating mechanism so as to oxidize a silicon substrate with the generated oxygen radicals, thereby forming an oxide film on the silicon substrate, and further nitrogen radicals are generated through nitrogen radical generating mechanism so as to nitride the surface of the oxide film, thereby forming an oxonitride film.

Abstract translation: 旨在有效地氮化极薄的氧化膜或氧氮化钛膜，其厚度为0.4nm或更小，同时使膜增加最小化。 特别地，通过氧自由基产生机制产生氧自由基，以便利用所产生的氧自由基氧化硅衬底，从而在硅衬底上形成氧化膜，并且通过氮自由基产生机制产生另外的氮自由基，从而氮化物 氧化膜的表面，从而形成氧氮化物膜。