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公开(公告)号：KR1020110124304A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020117021177
申请日：2010-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/18
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101347430B1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020127006748
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020120135913A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020127027053
申请日：2011-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/76829 , C23C14/025 , C23C14/18 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/56 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/42 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 표면에 오목부를 갖는 피처리체의 표면에 오목부를 매립하도록 박막을 형성하는 박막의 형성 방법으로서, 상기 오목부를 포함하는 상기 피처리체의 표면에 매립용의 금속막을 형성해서 상기 오목부를 매립하는 공정과, 상기 금속막을 덮도록 해서 상기 피처리체의 표면의 전면(全面)에 확산 방지용의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 확산 방지용의 금속막이 형성된 상기 피처리체를 어닐하는 공정을 포함하는 박막의 형성 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120040749A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020127006748
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110117700A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020117020855
申请日：2010-03-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도 이상의 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110027693A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020107028339
申请日：2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , B01D53/14 , B01D53/72 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.
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