公开(公告)号：KR1020050097969A

公开(公告)日：2005-10-10

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: A treating system comprising a reaction vessel having a substrate to be treated placed therein, a mechanism for supplying a treating gas into the reaction vessel when a substrate is treated, a mechanism for supplying a corrosive cleaning gas into the reaction vessel at cleaning, an exhaust-path member connected to the reaction vessel, a heating means for heating the reaction vessel and a specific part of the exhaust-path member, a means for detecting the temperature of the specific part, a temperature control means for controlling the heating means based on a detection value detected by the temperature detecting means so that the specific part reaches a specified target temperature, and a temperature changing means for changing the target temperature according to different steps --- substrate treating and cleaning. The target temperature is set by the temperature changing means to one at which the deposition of a reaction byproduct on the specific part can be prevented at substrate treating, while it is set to one at which the corrosion of the specific part can be prevented at cleaning.

Abstract translation: 一种处理系统，包括具有待处理基板的反应容器，用于在处理基板时将处理气体供应到反应容器中的机构，用于在清洁时将腐蚀性清洁气体供应到反应容器中的机构，排气 连接到反应容器的平台部件，用于加热反应容器和排气通道部件的特定部分的加热装置，用于检测特定部件的温度的装置，用于基于以下步骤控制加热装置的温度控制装置： 由温度检测装置检测出的特定部位达到规定的目标温度的检测值，以及根据不同的步骤改变目标温度的温度改变装置 - 基板处理和清洁。 目标温度由温度变化装置设定为在基板处理时可以防止在特定部分上沉积反应副产物的目标温度，同时将其设定为可以在清洁时防止特定部分的腐蚀的温度 。

公开(公告)号：KR101520368B1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：KR1020120112926

申请日：2012-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  가키모토아키노부 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/20

Abstract: (과제) 박막의 면내 균일성의 더 한층의 향상을 가능하게 하는, 박막을 형성하기 위한 시드층의 형성 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지(base) 상에, 박막의 시드가 되는 시드층을 형성하는 시드층의 형성 방법으로서, 아미노실란계 가스를 이용하여, 하지 상에, 아미노실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘을 흡착시키는 공정(스텝 11)과, 디실란 이상의 고차(高次) 실란계 가스를 이용하여, 아미노실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘이 흡착된 하지 상에, 디실란 이상의 고차 실란계 가스에 포함된 적어도 실리콘을 퇴적하는 공정(스텝 12)을 구비한다.

公开(公告)号：KR101344297B1

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020110009311

申请日：2011-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/0332

Abstract: 어모퍼스카본막을포함하는적층구조를하지층상에형성하는방법은, 상기하지층상에유기계실리콘가스를공급하고, 상기하지층의표면에 Si-C 결합을포함하는초기층을형성하는공정과, 상기초기층이표면에형성된상기하지층상에탄화수소화합물가스를포함하는성막가스를공급하고, 상기하지층상에상기어모퍼스카본막을열성막(熱成膜)으로형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020130121728A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：KR1020130044525

申请日：2013-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시카즈야 ,  후루사와요시카즈 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/28035

Abstract: Provided is an impurity diffusion method capable of vapor-diffusing a high doped impurity in a short time with regard to a thin film. A step (step 1) for supplying an object with the thin film to a process room, a step (step 3) for heating the object with the thin film to a vapor diffusion temperature, a step (step 4) for diffusing the impurity in the thin film formed in the vapor-diffusion-temperature-heated objects by supplying an inert gas and an impurity-containing gas including the impurity to the process room. In the fourth step, the inert gas, the impurity-containing gas, an impurity diffusion promotion gas for promoting the diffusion of the impurity into the thin film together are supplied to the process chamber. [Reference numerals] (AA) Intake;(BB,EE,GG) Exhaust;(CC) Temperature rising;(DD) Gaseous phase diffusion;(FF) Temperature lowering;(HH) Outtake;(II) Step1;(JJ) Step2;(KK) Step3;(LL) Step4;(MM) Step5;(NN) Step6;(OO) Step7;(PP) Step8;(QQ) Temperature;(RR) Gaseous phase diffusion temperature;(SS,UU) Atmospheric pressure;(TT) Gaseous phase diffusion pressure;(VV) Pressure;(WW) Inert gas;(XX) Impurity-containing gas;(YY) Impurity diffusion-promoting gas;(ZZ) Oxidizer-containing gas

Abstract translation: 提供了能够在短时间内相对于薄膜气相扩散高掺杂杂质的杂质扩散方法。 用于将物体供给到处理室的步骤（步骤1），用于将物体用薄膜加热到蒸气扩散温度的步骤（步骤3），用于使杂质扩散的步骤（步骤4） 通过向处理室供给包含杂质的惰性气体和含杂质气体，形成在蒸气扩散温度加热对象物中的薄膜。 在第四步骤中，将惰性气体，含杂质气体，用于促进杂质向薄膜扩散的杂质扩散促进气体一起供给到处理室。 （AA）进气（BB，EE，GG）排气;（CC）升温;（DD）气相扩散;（FF）降温;（HH）输出;（II）步骤1;（JJ） 步骤2;（KK）步骤3;（LL）步骤4;（MM）步骤5;（NN）步骤6;（OO）步骤7;（PP）步骤8;（QQ）温度;（RR）气相扩散温度;（SS，UU） 大气压;（TT）气相扩散压力;（VV）压力;（WW）惰性气体;（XX）含杂质气体;（YY）杂质扩散促进气体;（ZZ）含氧化气体

公开(公告)号：KR1020130047580A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020120112926

申请日：2012-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  가키모토아키노부 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method for forming a seed layer and a method for forming a silicon-containing thin film are provided to improve the uniformity of a thin film. CONSTITUTION: A seed layer is formed on a base(step 1). Silicon including aminosilane based gas is adsorbed onto the base by using aminosilane based gas(step 11). Silicone including desilane or higher silane gas is deposited on the base where the silicone is absorbed(step 12). A thin film including the silicon is formed on the seed layer(step 2). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a seed layer on a base; (CC) Adsorb at least silicon^*1 included in aminosilane based gas on the base; (DD) Deposit at least silicon^*2 included in higher-order silane-based gas than disilane on the base, on which the silicon^*1 is adsorbed; (EE) Step 11; (FF) Step 12; (GG) Step 1; (HH) Form a silicon-containing thin film on the seed layer; (II) Step 2; (JJ) End

Abstract translation: 目的：提供一种形成种子层的方法和形成含硅薄膜的方法，以提高薄膜的均匀性。 构成：在基底上形成种子层（步骤1）。 包括氨基硅烷基气体的硅通过使用氨基硅烷基气体吸附到基底上（步骤11）。 包含硅烷或更高硅烷气体的硅氧烷沉积在硅氧烷被吸收的基底上（步骤12）。 在种子层上形成包含硅的薄膜（步骤2）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）在基底上形成种子层; （CC）至少吸附在基体上的基于氨基硅烷的气体中的硅^ * 1; （DD）沉积硅基基气体中硅烷基气体中的至少硅^ * 2比硅烷上吸附有硅^ * 1的乙硅烷; （EE）步骤11; （FF）步骤12; （GG）步骤1; （HH）在种子层上形成含硅薄膜; （二）第二步; （JJ）结束

公开(公告)号：KR101594933B1

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: (과제) 보이드나심의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 도프공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피처리체의홈을매입하도록붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정에서성막된실리콘막을에칭한다. 도프공정에서는, 에칭공정에서에칭된실리콘막을붕소를포함하는불순물로도프한다. 제2 성막공정에서는, 도프공정에서도프된실리콘막을매입하도록, 붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다.

公开(公告)号：KR101458010B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020110131586

申请日：2011-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베마사히사 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: (과제) 트렌치의 미세화가 더욱 진전해도, 트렌치의 내부에, 팽창 가능한 막 및 산화 장벽이 되는 막을 형성하는 것이 가능한 트렌치의 매입 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 트렌치 내부에 산화 장벽막의 형성 공정(스텝 3), 산화 장벽막 상에 팽창 가능한 막의 형성 공정(스텝 4), 소성함으로써 수축하는 매입재로 트렌치를 매입하는 공정(스텝 5), 매입재의 소성 공정(스텝 6)을 포함하고, 스텝 3의 공정이, 아미노실란계 가스를 공급하여, 트렌치의 내부에 제1 시드층을 형성하는 공정(스텝 31), 제1 시드층 상에 질화 실리콘막을 형성하는 공정(스텝 32)을 포함하고, 스텝 4의 공정이, 아미노실란계 가스를 공급하여, 질화 실리콘막 상에 제2 시드층을 형성하는 공정(스텝 41)과, 제2 시드층 상에 실리콘막을 형성하는 공정(스텝 42)을 포함한다.

公开(公告)号：KR101408063B1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020130100355

申请日：2013-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 아몰퍼스 카본막을 포함하는 구조를 형성하는 배치 처리 방법은, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 800℃∼950℃의 예비 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 질소 가스 및 암모니아 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 예비 처리 가스를 공급하여 하지층의 표면으로부터 물을 제거하는 예비 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 주(主) 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 탄화수소 가스를 공급하여 하지층 상에 아몰퍼스 카본막을 성막하는 주(主) CVD를 행하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101326704B1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020100052663

申请日：2010-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 아몰퍼스 카본막을 포함하는 구조를 형성하는 배치 처리 방법은, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 800℃∼950℃의 예비 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 질소 가스 및 암모니아 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 예비 처리 가스를 공급하여 하지층의 표면으로부터 물을 제거하는 예비 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 주(主) 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 탄화수소 가스를 공급하여 하지층 상에 아몰퍼스 카본막을 성막하는 주(主) CVD를 행하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100094951A

公开(公告)日：2010-08-27

申请号：KR1020100014517

申请日：2010-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루사와요시카즈 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: PURPOSE: A method for using an apparatus for depositing a germanium contained film is provided to eliminate metal which is contained in the surface of quartz by supplying hydrogen gas and oxygen gas into a reaction container and using the active species of the hydrogen gas and the oxygen gas. CONSTITUTION: A cylindrical reaction container(2) is prepared. A cover(23) is installed to the lower side of the reaction container in order to hermetically close an opening(21) of a furnace. A flange(22) is integrated into the peripheral side of the opening of the furnace. A wafer boat(25) is loaded on the center part of the cover. Four struts(26) are installed to the wafer boat.

Abstract translation: 目的：提供一种使用用于沉积含锗膜的装置的方法，以通过将氢气和氧气供应到反应容器中并使用氢气和氧气的活性种类来消除石英表面中所含的金属 加油站。 构成：制备圆柱形反应容器（2）。 盖子（23）安装在反应容器的下侧，以便密封炉子的开口（21）。 一个法兰（22）整合在炉的开口的周边。 晶片舟（25）装载在盖的中心部分上。 四个支柱（26）安装在晶片舟上。