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公开(公告)号：KR101291957B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020060134461
申请日：2006-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이노우에히사시
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/52
Abstract: 반응 용기 내에서 웨이퍼 보트에 의해 보유 지지된 기판에 실리콘 질화막을 성막하고 계속해서 반응 용기로부터 웨이퍼 보트를 반출한 후에, 다음에 처리해야 할 미처리 기판을 보유 지지한 웨이퍼 보트를 반응 용기로 반입할 때에, 웨이퍼 보트가 반응 용기 내로 반입되기 시작할 때부터 반응 용기의 반입출구가 폐쇄될 때까지의 동안, 반응 용기를 가열하기 위한 히터의 설정 온도를 연속적으로 상승시킨다. 이에 의해, 차가워진 웨이퍼 보트의 반입에 수반하는 반응 용기의 내벽 온도의 저하가 방지되고, 반응 용기 내벽에 부착한 반응 생성물 혹은 반응 부생성물의 예기하지 못한 바람직하지 않은 박리가 방지되고, 박리 부재에 의한 미처리 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
성막 장치, 반응 용기, 웨이퍼 보트, 기억 매체, 보트 엘리베이터-
公开(公告)号：KR101122833B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020070078012
申请日：2007-08-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345
Abstract: 반도체 처리용의 열처리 장치는, 간격을 두고 겹쳐 쌓여진 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역을 갖는 반응관을 구비한다. 상기 반응관의 벽의 외측에 일체로, 상기 처리 영역을 커버하는 범위에서 상하 방향으로 연장하는 가스 공급 덕트가 부설된다. 상기 반응관의 상기 벽의 측부에, 상기 처리 영역을 커버하는 범위에서 상하 방향으로 배열되는 동시에, 상기 가스 공급 덕트에 연통하는 복수의 가스 토출 구멍이 형성된다. 상기 가스 공급 덕트의 바닥부에, 상기 가스 공급 덕트 및 상기 복수의 가스 토출 구멍을 통해서 상기 처리 영역에 처리 가스를 공급하는 가스 공급계가 접속된다.
피처리 기판, 처리 영역, 측부, 가스 공급 덕트, 가스 토출 구멍-
公开(公告)号：KR101077695B1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020080101792
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: 복수매의피처리기판에대해함께플라즈마처리를실시하는반도체처리용종형플라즈마처리장치는, 처리가스의적어도일부를플라즈마화하는여기기구를구비한다. 여기기구는플라즈마발생영역을사이에두고대향하도록플라즈마생성박스에배치된제1 및제2 전극과, 제1 및제2 전극에플라즈마발생용고주파전력을공급하는고주파전원과, 고주파전원은제1 및제2 출력단자를구비하고, 제1 및제2 출력단자는각각접지및 비접지단자이다. 절환기구가배치되어, 제1 전원과제1 출력단자가접속되고또한제2 전극과제2 출력단자가접속된제1 상태와, 제1 전극과제2 출력단자가접속되고또한제2 전극과제1 출력단자가접속된제2 상태를절환한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090040227A
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：KR1020080101792
申请日：2008-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: A vertical plasma processing apparatus and a method for using the same are provided to improve throughput by reducing a frequency of a cleaning process by switching a non-ground side and a ground side. A processing container(4) has a processing region receiving a subject to be processed. A retaining support retains or supports a plurality of substrates in the processing container which loading the substrates in a vertical direction with a predetermined interval. A gas supply system supplies the process gas to the processing container. An exhaust system exhausts the gas in the processing container. An excitation device(66) converts a part of the process gas to the plasma. A plasma generating box(72) is mounted in the processing container by corresponding to the process region. A first electrode and a second electrode are arranged in the plasma generating box to face each other while interposing the plasma generating region.
Abstract translation: 提供了一种垂直等离子体处理装置及其使用方法，以通过切换非接地侧和接地侧来降低清洗处理的频率来提高生产率。 处理容器（4）具有接收待处理对象的处理区域。 保持支撑件保持或支撑处理容器中的多个基板，其以预定间隔在垂直方向上装载基板。 气体供应系统将处理气体提供给处理容器。 排气系统排出处理容器中的气体。 激励装置（66）将一部分处理气体转换成等离子体。 等离子体生成箱（72）通过对应于处理区域安装在处理容器中。 等离子体发生箱中的第一电极和第二电极被布置在彼此相对的同时插入等离子体产生区域。
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公开(公告)号：KR1020080012793A
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020070078012
申请日：2007-08-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/345
Abstract: A thermal treatment apparatus for a semiconductor treatment is provided to improve uniformity within a surface of a film thickness by decreasing a gap between an inner wall of a reactive tube and a target substrate. A reactive tube(3) has a process region(3A) for receiving plural target substrates. A supporting member supports the target substrate in the process region. An exhaust system exhausts an inner side of the process region. A heater(22) heats the target substrate in the process region. A gas supplying duct(60) is extended up and down at an external side of a wall of the reactive tube. A gas discharge opening(61) is formed on the wall of the reactive tube and communicated with the gas supplying duct. A gas supplying system(65) is connected to a bottom section of the gas supplying duct. The gas supplying system supplies process gas to the process region through the gas supplying duct and the gas discharge opening. The reactive tube has a transfer port for incoming and outgoing the supporting member on the bottom section of the reactive tube. The reactive tube has a flange(42) is formed in a body with the reactive tube surrounding the transfer port. The flange is arranged to be coupled to a cover(43) for opening and shutting the transport. A gas flow channel(73) is formed on a bottom section of the gas supplying duct to induce the process gas from the gas supplying system in the flange to the gas supplying duct.
Abstract translation: 提供了一种用于半导体处理的热处理设备，通过减小反应管的内壁和目标衬底之间的间隙来改善膜厚表面内的均匀性。 反应管（3）具有用于接收多个靶基板的工艺区域（3A）。 支撑构件在工艺区域中支撑目标衬底。 排气系统排出处理区域的内侧。 加热器（22）加热处理区域中的目标基板。 气体供给管道（60）在反应管的壁的外侧上下延伸。 气体排出口（61）形成在反应管的壁上并与气体供给管道连通。 气体供给系统（65）连接到气体供应管道的底部。 气体供给系统通过气体供给管道和气体排出口向处理区域供给处理气体。 反应管具有用于在反应管的底部上进出支撑构件的输送口。 反应管具有凸缘（42），其形成在主体中，反应管围绕传送端口。 凸缘被布置成联接到用于打开和关闭运输的盖（43）。 气体通道（73）形成在气体供给管道的底部，以将来自气体供给系统的处理气体引导到气体供给管道。
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公开(公告)号：KR102053489B1
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：KR1020160031992
申请日：2016-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/60
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公开(公告)号：KR101145477B1
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020070096489
申请日：2007-09-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C8/10 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/67109
Abstract: 반도체 처리용 산화 장치는 간격을 두고 적층된 상태에서 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역을 갖는 처리 용기와, 상기 처리 영역을 가열하는 히터와, 상기 처리 영역 내를 배기하는 배기계와, 상기 처리 영역에 산화성 가스를 공급하는 산화성 가스 공급계와, 상기 처리 영역에 환원성 가스를 공급하는 환원성 가스 공급계를 구비한다. 상기 산화성 가스 공급계는 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이로 연장되는 산화성 가스 노즐을 구비하고, 상기 산화성 가스 노즐은 상기 처리 영역에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐서 존재하는 복수의 가스 분사 구멍을 갖는다. 상기 환원성 가스 공급계는 상기 처리 영역의 상하로 배열된 복수의 존에 대응하여 다른 높이를 갖는 복수의 환원성 가스 노즐을 구비하고, 각 환원성 가스 노즐은 대응하는 존의 높이에 존재하는 가스 분사 구멍을 갖는다.
반도체 처리용 산화 장치, 피처리 기판, 환원성 가스 공급계, 환원성 가스 노즐, 히터-
公开(公告)号：KR1020070044798A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020067014057
申请日：2005-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 주위를 둘러싸도록 마련되고, 상기 처리 용기를 가열하는 동시에 급속 냉각 기능을 갖는 주요 히터와, 상기 처리 용기의 상부에 있어서 굴곡 형성된 배기구부와, 상기 배기구부를 가열하기 위해 마련된 보조 히터와, 상기 주요 히터의 급속 냉각시에 상기 보조 히터를 상기 배기구부로부터 퇴피시키기 위한 이동 기구와, 상기 배기구부 주변의 분위기를 강제 배기하기 위한 강제 배기 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치이다.
처리 용기, 배기구부, 주요 히터, 보조 히터, 종형 열처리 장치
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