公开(公告)号：KR1019980064234A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019970069898

申请日：1997-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이토아츠미 ,  다고겐지 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 종형열처리로(15)에 열처리해야할 복수의 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 피치로 지지하는 웨이퍼보트가 복수의 지주(2)와, 상기 웨이퍼의 주연부를 지지하기 위한 상기 지주에 형성된 웨이퍼 지지홈(6) 및, 상기 웨이퍼와 거의 동일한 크기 또는 그 이상의 크기로 형성되고, 상하에 이웃한 상기 웨이퍼 지지홈에 설치된 막 두께 균일화판을 구비하고 있다. 이것에 의해, 웨이퍼의 상면 대향면의 막 재료를 동일한 것으로 하여, 형성되는 막 두께의 균일화가 달성된다.

公开(公告)号：KR102060059B1

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：KR1020170047124

申请日：2017-04-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오이카와준지 ,  콘타유 ,  토하라아츠시 ,  오시마키요미 ,  시마무라아키노리 ,  하야시데루유키

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR102022764B1

公开(公告)日：2019-09-18

申请号：KR1020170088760

申请日：2017-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤타유우 ,  하야시데루유키 ,  오시마기요미

IPC: B05C11/00 ,  B05C11/10 ,  B05C5/02 ,  G01N35/00

公开(公告)号：KR101994164B1

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：KR1020180074876

申请日：2018-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시데루유키 ,  이시카와히라쿠

IPC: H01L51/52 ,  H01L21/02 ,  H01L51/56

公开(公告)号：KR1020120042867A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020127002277

申请日：2008-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아키타케 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/3476 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67778

Abstract: 본 발명은 피처리 기판을 수용하는 기판 수용 용기가 세트되는 반출입구를 거쳐서, 상기 기판 수납 용기와의 사이에서 상기 피처리 기판의 수수를 실행하는 반송실과, 상기 피처리 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 상기 반송실을 접속하는 로드록실과, 상기 반송실과 상기 로드록실 중의 적어도 하나의 실내에 상기 피처리 기판을 반입할 때에,반입하기 직전의 해당 피처리 기판의 온도가 반입하고자 하는 실의 실내온도보다도 높아지도록, 상기 피처리 기판의 온도와 그 실의 실내온도 중의 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR101124035B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020107007302

申请日：2009-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오이카와준지 ,  다무라아키타케 ,  하야시데루유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02041

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체보다 위쪽 위치로서, 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 횡방향으로 공급하는 복수의 이오나이저와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 상기 피처리체에 인가하는 수단을 포함하며, 상기 대칭으로 배치된 이오나이저는, 서로 마주 보도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.

公开(公告)号：KR1020120014589A

公开(公告)日：2012-02-17

申请号：KR1020117030057

申请日：2010-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  오노유지 ,  하야시데루유키

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3414

Abstract: 스퍼터링 처리 대상인 유기 박막이 성막된 기판에 대한, 스퍼터 공간으로부터의 광을 차광하여, 유기 박막 특성의 열화를 방지한 상태로 스퍼터링 처리를 행하는 스퍼터링 장치를 제공한다.
마주보게 배치되는 한쌍의 타겟 사이에 형성되는 스퍼터 공간의 측방에 배치되는 기판에 스퍼터링 처리를 행하는 스퍼터링 장치로서, 상기 한쌍의 타겟 사이에 전압을 인가하는 전원과, 상기 스퍼터 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 스퍼터 공간과 상기 기판 사이에 배치되는 차광 기구를 포함하는 스퍼터링 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101062514B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020080132188

申请日：2008-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아키타케 ,  하야시데루유키 ,  후지하라가오루

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: A pattern forming method includes (a) forming pairs of deposits on sidewalls of mask portions in first mask patterns by forming a thin film thereon, etching it to leave deposits, and exposing a top surface of a second-layer film between the deposits; (b) forming second mask patterns formed of mask portions corresponding to the deposits by removing the mask portion, plasma etching the second-layer film, and removing the deposits; (c) forming a thin film thereon, and etching it to leave deposits on sidewalls of mask portions facing each other and to expose a third-layer film between the deposits while leaving deposits between adjacent mask portions; and (d) forming grooves thereon by removing the second mask portion, and etching off the third-layer film.

公开(公告)号：KR101046799B1

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：KR1020097002675

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토미사코 ,  하야시데루유키 ,  후지와라가오루

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  G01R31/302 ,  G01N23/225

CPC classification number: G01N23/2251 ,  G01N21/956 ,  G01N2223/646 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/305 ,  G01R31/307 ,  G01R31/308 ,  G01R31/311 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상에 형성된 형상의 결함을 검사하는 결함 검사방법에 있어서, 기판 상의 분할된 복수개 영역에 각각 형성되는 소정의 패턴에 대하여, 광학식 방법으로 순차적으로 1차 검사를 실행하여 해당 복수개 영역으로부터 2차 검사를 실행하는 해당 영역을 선택한다. 선택된 영역에 대하여, 전자선을 이용한 2차 검사를 실행하여 결함을 검출한다.

公开(公告)号：KR1020100117622A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：KR1020107018825

申请日：2009-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라시게루 ,  하야시데루유키

IPC: G01N15/14 ,  G01N21/47 ,  G01N21/71 ,  G01N21/88

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N1/4044 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0681 ,  G01N2015/0693

Abstract: 본발명은 종래의 광산란법으로는 검출 불가능했던 미소한 유기계 입자 및 무기계 입자의 정확한 검출을 가능하게 하는 입자검출보조방법 및 입자검출방법을 제공한다. 반도체 제조공정에 있어서, 유기계 입자에 유기계 가스를 접촉시킴으로써, 해당 유기계 입자에 유기계 가스성분을 흡착 및 침투시키는 흡착침투공정과, 유기계 가스에 접촉시킨 유기계 입자에 가열가스를 접촉시킴으로써, 해당 유기계 입자를 발포 및 팽창시키는 발포공정과, 발포 및 팽창한 유기계 입자에 광을 조사하고, 해당 유기계 입자로부터의 산란광을 수광함으로써 상기 유기계 입자를 검출하는 유기계 입자 검출공정과, 무기계 입자 및 유기계 입자를 산화시킴으로써, 해당 유기계 입자를 분해함과 함께, 상기 무기계 입자를 팽창시키는 산화 공정과, 팽창한 무기계 입자에 광을 조사하고, 해당 무기계 입자로부터의 산란광을 수광함으로써, 상기 무기계 입자를 검출하는 무기계 입자 검출공정을 구비한다.