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公开(公告)号：KR102201953B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190051365
申请日：2019-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 노광후의기판을기판보유지지부에수평하게보유지지하는공정과, 상기기판의표면중심부에근접하도록당해기판에대향하는원형의제1 대향면의배치와, 상기기판의표면주연부에근접하도록당해기판에대향하는원형의제2 대향면의배치를각각행하는공정과, 상기제1 대향면에개구하는제1 토출구로부터근접하는상기기판의중심부로의현상액의토출과, 상기제2 대향면에개구하는제2 토출구로부터근접하는상기기판의주연부로의현상액의토출을각각행하는공정과, 상기현상액을토출하는제1 대향면을회전하는상기기판에근접한상태에서당해기판의주연부를향하여이동시킴과함께, 상기현상액을토출하는제2 대향면을당해회전하는기판에근접한상태에서당해기판의중심부를향하여이동시키고, 제1 대향면에서토출된현상액에의해형성되는액막의계면과, 제2 대향면에서토출된현상액에의해형성되는액막의계면을접합시켜서, 기판의표면전체를현상액으로피복하는피복공정과, 상기기판의표면전체가현상액으로피복된후에, 상기기판의회전및 당해기판으로의현상액의토출을정지하는공정을구비하도록현상을행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101979967B1
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：KR1020140097311
申请日：2014-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
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公开(公告)号：KR101831784B1
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：KR1020120135225
申请日：2012-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 기판의이면을세정하는기판세정장치및 기판세정방법으로서, 기판의이면을세정하는세정수단및 기판을보지하는기판보지수단을세정할수 있는기판세정장치및 기판세정방법을제공하는것이다. 기판의이면을세정하는기판세정장치로서, 상기이면의제 1 영역에접촉하여상기기판을보지하는제 1 기판보지수단과, 상기제 1 영역이외의상기이면의제 2 영역에접촉하여상기기판을보지하는제 2 기판보지수단과, 상기제 1 기판보지수단또는상기제 2 기판보지수단에의해보지된상기기판의이면을세정하는제 1 세정수단과, 상기기판과접촉하는상기제 2 기판보지수단의접촉면을세정하는제 2 세정수단을가지는것을특징으로하는기판세정장치에의해상기의과제가달성된다.
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公开(公告)号：KR1020170113147A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170034722
申请日：2017-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/3028 , G03F7/3021 , G03F7/3092 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/6715
Abstract: 본발명은레지스트막이형성되고, 노광된후의반도체장치제조용기판의면내에있어서레지스트패턴의치수의균일성이높아지도록현상처리를행하는것을과제로한다. 상기기판의표면에현상액을공급하여현상하는현상공정과, 이어서, 상기기판으로부터상기현상액의일부를뿌리쳐제거하기위해, 상기기판이중심축둘레의제1 회전방향으로회전하도록, 그기판의회전수를상승시키는제1 회전공정과, 이어서, 상기기판에잔류하는상기현상액을그 기판으로부터뿌리쳐제거하기위해, 상기기판을상기제1 회전방향과는반대의제2 회전방향으로회전시키는제2 회전공정을실시한다. 그에의해, 기판의면내의각 부에있어서의현상시간이불균일해지는것을막을수 있기때문에, 기판의각 부에균일성높은치수로레지스트패턴을형성할수 있다.
Abstract translation: 发明内容本发明的目的是进行显影处理，从而形成抗蚀剂膜，并且曝光后用于半导体器件制造的基板表面中的抗蚀剂图案的尺寸的均匀性增加。 向所述基板的表面供应显影液并显影所述显影液的显影步骤;以及通过使所述基板围绕所述中心轴在第一旋转方向上旋转来显影所述显影液的显影步骤， 以及第二旋转步骤，在与第一旋转方向相反的第二旋转方向上旋转基板，以从基板去除残留在基板上的显影溶液， 经受处理。 由此，能够防止基板面内的各部分的显影时间不均匀，能够在基板的各部分高度均匀地形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR101431865B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020100064433
申请日：2010-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/3021 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 레지스트 패턴을 가늘게 할 수 있는 기술에 기여하는 현상 장치로서, 모듈 수(현상 장치의 수)를 삭감하는 것을 목적으로 한다.
배치대 위의 기판에 대하여 예컨대 공통의 노즐로부터 상온 현상액과 레지스트 패턴의 표층부를 개질하기 위한 고온 현상액을 전환하여 공급할 수 있도록 한다. 상온 현상액용의 공급로와 고온 현상액용의 공급로를 전환하여 양쪽 현상액을 순차 토출하도록 하여도 좋지만, 상온 온도 조절용 공급로와 고온 온도 조절용 공급로를 합류시켜, 전자의 공급로로부터 상온 현상액을 공급한 후, 양쪽 공급로의 유량비를 조정하고, 그 혼합액을 고온 현상액으로서 공급하여도 좋다. 또한 고온 현상액의 공급 시간은 현상액의 온도를 안정화시키기 위해 상온 현상액의 공급 시간보다 길게, 또한 현상액의 소비량 삭감을 위해 고온 현상액의 공급 유량을 상온 현상액의 공급 유량보다 적게 한다.-
公开(公告)号：KR1020130059294A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020120135225
申请日：2012-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/0209 , H01L21/67057
Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning device and a substrate cleaning method are provided to easily wash a substrate support unit for holding a substrate. CONSTITUTION: A first substrate support unit is contacted to the first area of the rear surface of a substrate to hold a substrate. A second substrate support unit is contacted to the second area of the rear surface of the substrate to hold the substrate. A first cleaning unit(21up) cleans the rear surface of the substrate by the first and the second substrate support unit. A second cleaning unit(21dw) washes the contact surface of the second substrate support unit touching the substrate. The first cleaning unit and the second cleaning unit are fixed using a cleaning support member(21sp).
Abstract translation: 目的：提供基板清洗装置和基板清洗方法，以容易地清洗用于保持基板的基板支撑单元。 构成：第一衬底支撑单元与衬底的后表面的第一区域接触以保持衬底。 第二基板支撑单元与基板的后表面的第二区域接触以保持基板。 第一清洁单元（21up）通过第一和第二基板支撑单元清洁基板的后表面。 第二清洁单元（21dw）洗涤接触基板的第二基板支撑单元的接触表面。 第一清洁单元和第二清洁单元使用清洁支撑构件（21sp）固定。
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