公开(公告)号：KR100934511B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020070018558

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: A Ti film is formed on a surface of a wafer W placed inside a chamber 31, while injecting a process gas containing TiCl4 gas into the chamber 31 from a showerhead 40 made of an Ni-containing material at least at a surface. The method includes performing formation of a Ti film on a predetermined number of wafers W while setting the showerhead 40 at a temperature of 300° C. or more and less than 450° C., and setting TiCl4 gas at a flow rate of 1 to 12 mL/min (sccm) or setting TiCl4 gas at a partial pressure of 0.1 to 2.5 Pa, and then, performing cleaning inside the chamber 31, while setting the showerhead 40 at a temperature of 200 to 300° C., and supplying ClF3 gas into the chamber 31.

Abstract translation: 在设置于腔室31内的晶片W的表面上，至少在表面上从含Ni材料的喷头40向腔室31内喷射包含TiCl 4气体的处理气体，同时形成Ti膜。 该方法包括在预定数量的晶片W上形成Ti膜，同时将喷头40设置在300℃的温度下; C.或多于并少于450℃; 以1〜12mL / min（sccm）的流量设置TiCl 4气体，或者以0.1〜2.5Pa的分压设定TiCl 4气体，一边设置喷头40一边在腔室31内进行清洗 在200至300℃的温度下， 并且将ClF 3气体供应到腔室31中。

公开(公告)号：KR1020090048523A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020097008625

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100892789B1

公开(公告)日：2009-04-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: 반도체 처리용의 성막 처리 용기(4)내에 재치대 장치가 배설된다. 재치대 장치는 피처리 기판(W)을 재치하는 상면 및 상면으로부터 하강하는 측면을 갖는 재치대(16)와, 재치대(16)내에 배설되고, 또한 그 상면을 거쳐서 기판(W)을 가열하는 히터(18)를 포함한다. 재치대(16)의 상면 및 측면을 CVD 프리코트층(28)이 피복한다. 프리코트층(28)은 히터(18)의 가열에 유래하는 재치대(16)의 상면 및 측면으로부터의 복사열량을 실질적으로 포화시키는 두께 이상의 두께를 갖는다.

公开(公告)号：KR100837890B1

公开(公告)日：2008-06-13

申请号：KR1020067025601

申请日：2005-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H05B3/143

Abstract: 처리 장치는 매설된 히터의 가열에 기인해서 균열이 발생하는 것을 방지한 탑재대를 갖는다. 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재대(32A)는 복수의 영역(32Aa, 32Ab)을 갖고, 복수 영역의 각각에 대하여 독립적으로 복수의 히터 중 하나가 매설된다. 인접한 영역 중 한쪽(32Aa)에 매설된 히터(35Aa)는 다른 쪽의 영역(32Ab) 내로 연장되는 부분(35Aa
2 )을 갖고, 인접한 영역 중 다른 쪽의 영역(32Ab)에 매설된 히터(35Ab)는 한쪽의 영역(32Aa) 내로 연장되는 부분(35Ab
2 )을 갖는다.

Abstract translation: 处理设备具有安装台，其防止由于嵌入式加热器的加热而产生裂缝。 其上安装晶片W的安装台32A具有多个区域32Aa和32Ab，并且多个加热器中的一个独立地嵌入到多个区域中的每一个中。 掩埋在相邻区域32Aa中的一个中的加热器35Aa具有延伸到另一个区域32Ab中的部分35Aa，

公开(公告)号：KR100727733B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100710450B1

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020047000768

申请日：2003-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 본 발명은, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 공간을 갖는 처리 용기와, 원료 가스 또는 환원 가스가 공급되는 동시에 공급된 가스를 확산시켜서 상기 처리 공간내에 공급하는 분리 구획된 복수의 확산실을 갖는 샤워 헤드부를 구비한 처리 장치로의 가스 도입 방법이다. 본 방법은, 상기 원료 가스 및 상기 환원 가스와 상기 복수의 확산실의 조합 중, 상기 환원 가스가 공급되는 확산실의 압력과 상기 원료 가스가 공급되는 확산실의 압력의 차압이 보다 커지는 조합을 선택하는 선택 공정과, 상기 선택 공정에 있어서 선택된 조합에 기초하여, 상기 각 가스를 각각의 확산실로 공급하는 공급 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060086893A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1020060026867

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980087180A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980017960

申请日：1998-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  데즈카요시히로 ,  하야시가즈이치

IPC: H01L21/28

Abstract: 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 성막 가스가 웨이퍼를 지지하는 서셉터가 배치된 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 서셉터상에, 주성분으로서 티탄늄을 함유하는 제 1 사전-피복 막이 형성되며, 그 다음에 티탄늄과 질소를 함유하는 제 2 사전-피복 성막 가스가 처리 챔버로 제공되어 사전-피복 제 1 막상에, 주성분으로서 질화 티탄늄을 함유하는 제 2 사전-피복막을 형성한다. 웨이퍼는 제 2 사전-피복막 서셉터의 일부상에 장착된다. 티탄늄을 함유하는 제 1 성막 가스가 처리 챔버로 공급되고 동시에 서셉터를 가열함으로써 웨이퍼상에 주성분으로서 티탄윰을 함유하는 제 1 막을 형성하고, 그 다음에 질화 티탄늄을 함유하는 성막 가스를 처리 챔버로 공급하여 웨이퍼상의 제 1 막상에 주성분으로서 TiN을 함유하는 제 2 막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101063105B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020097002282

申请日：2007-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  사이토우데츠야

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: In a gas supply device called a gas shower head or the like, the occurrence of dense areas of particles such as cross-like particles is suppressed and the degree of freedom of process conditions is increased by making more uniform the flow velocity distribution of gas flows from the center to the outer peripheral parts of a board along the circumferential direction than before. The arrangement pattern of gas supply holes formed in the shower plate of the gas supply device is so set that these holes are arranged on a large number of concentric circles and that a gas supply hole on a concentric circle and gas supply holes nearest that gas supply hole and on concentric circles respectively inwardly and outwardly adjacent to that concentric circle are not arranged in the radial direction of the concentric circles.

公开(公告)号：KR100945323B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020080116392

申请日：2008-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C8/36 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/56

Abstract: 웨이퍼 W를 수용하는 챔버(31) 내에 있어서, 적어도 표면이 Ni함유 재료로 이루어지는 샤워헤드(40)로부터 TiCl
4 가스를 포함하는 처리 가스를 토출시켜 챔버(31) 내에 배치된 웨이퍼 W의 표면에 Ti막을 성막함에 있어, 샤워헤드(40)의 온도를 300℃ 이상 450℃ 미만의 온도로 하고, TiCl
4 가스 유량을 1~12mL/min(sccm)으로 하거나, 또는 TiCl
4 가스 분압을 0.1~2.5Pa로 해서 소정 매수의 웨이퍼 W에 대해 Ti막을 성막하고, 그 후, 샤워헤드(40)의 온도를 200~300℃로 해서 챔버(31) 내에 ClF
3 가스를 도입해서 챔버(21) 내를 클리닝한다.