公开(公告)号：KR100803600B1

公开(公告)日：2008-02-15

申请号：KR1020060049989

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현

IPC: G06F15/02

Abstract: 휴대용 정보 기기가 개시된다. 본 발명의 휴대용 정보 기기는 휴대용 정보 기기 본체, 휴대용 정보 기기 본체에 마련되어 화상을 표시하는 디스플레이부와, 커서 또는 포인터의 조작 신호를 입력하기 위한 것으로, 디스플레이부의 시야를 가리지 않도록 디스플레이부와 별개의 위치에 마련되며, 디스플레이부의 배면 방향으로 노출되는 제1 위치 및 디스플레이부의 전면 방향으로 노출되는 제2 위치를 선택할 수 있도록 휴대용 정보 기기 본체에 대하여 회동 가능하게 마련되는 터치 패드부를 구비한다.

公开(公告)号：KR100763559B1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：KR1020060066770

申请日：2006-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현 ,  배병재 ,  김익수 ,  허장은 ,  이충만 ,  유동철

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: A method of forming a ferroelectric film and a method of manufacturing a ferroelectric capacitor using the same are provided to improve data retention characteristics of the ferroelectric film and to improve leakage current characteristics by preventing the generation of an unwanted impurity layer on the ferroelectric film due to the reaction of a residual gas on an oxygen gas using a second inert gas. At least one out of a predetermined gas containing oxygen or a first inert gas and a carrier gas are supplied into a reaction chamber in a predetermined flow rate range of 2.5 : 1.0 to 3.5 : 1.0(S20). A substrate is loaded into the reaction chamber and a ferroelectric film is formed on the substrate(S30). A second inert gas is supplied onto the ferroelectric layer while the substrate is unloaded from the reaction chamber(S40).

Abstract translation: 提供一种形成铁电体膜的方法和使用其制造铁电电容器的方法，以提高强电介质膜的数据保持特性，并通过防止由于铁电体膜产生不需要的杂质层而提高漏电流特性 使用第二惰性气体使残余气体在氧气上反应。 将含有氧气或第一惰性气体和载气的预定气体中的至少一种以2.5:1.0至3.5:1.0的预定流量范围供应到反应室中（S20）。 将基板装载到反应室中，在基板上形成铁电体膜（S30）。 在从反应室卸载基板的同时，向铁电体层供给第二惰性气体（S40）。

公开(公告)号：KR100729267B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020060051414

申请日：2006-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  허장은 ,  손윤호 ,  홍창기 ,  정용주 ,  고화영 ,  임동현

IPC: H01L21/304 ,  H01L27/105

Abstract: A CMP method and methods for manufacturing a ferroelectric capacitor and a ferroelectric memory device using the same are provided to polish stably a polishing object layer without the damage of a ferroelectric pattern using a slurry containing ceria. A ferroelectric pattern(11) containing a ferroelectric material with Ti and O2 is formed. The ferroelectric pattern is used as a polishing stop pattern. A polish object layer is formed on the ferroelectric pattern. The polishing object layer is performed with a CMP process by using a slurry containing ceria until the ferroelectric pattern is exposed to the outside.

Abstract translation: 提供了一种用于制造铁电电容器的CMP方法和制造方法以及使用该方法的铁电存储器件，以使用含氧化铈的浆料稳定地抛光抛光物层而不损害铁电图形。 形成包含具有Ti和O 2的铁电材料的铁电图案（11）。 铁电图案被用作抛光停止图案。 抛光物体层形成在铁电图案上。 通过使用含有氧化铈的浆料直到铁电体图案暴露于外部，通过CMP工艺来执行抛光目标层。

公开(公告)号：KR1020060102377A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020050023904

申请日：2005-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유동철 ,  배병재 ,  임지은 ,  임동현 ,  김명곤

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 이리듐을 포함하는 하부 전극을 형성한 다음, 하부 전극 상에 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 형성된 PZT를 포함하는 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 구리, 납 또는 비스무스가 약 2∼5 원자량%의 농도로 도핑된 스트론튬 루테늄 산화물 및 이리듐을 포함하는 상부 전극을 형성한다. 스트론튬 루테늄 산화물 등의 금속 산화물을 상부 전극 및/또는 하부 전극에 적용함으로써, 상부 및 하부 전극 사이에 위치하는 강유전체층의 유전 특성을 크게 개선할 수 있으며, 상부 전극 및 하부 전극을 형성하는 동안 야기되는 공정상의 파티클 문제를 해결할 수 있다. 또한, 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 제조된 PZT를 포함하는 강유전체층의 상부 및/또는 하부에 이리듐 및 스트론튬 루테늄 산화물을 포함하는 복합 구조의 전극을 형성함으로써, 이러한 강유전체 구조물을 포함하는 반도체 소자를 약 1.6V 이하의 낮은 전압에서도 충분한 신뢰성으로 구동시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100575158B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1020040048357

申请日：2004-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현

IPC: G06F1/16

CPC classification number: G06F3/16

Abstract: 본 발명은, 컴퓨터본체를 갖는 컴퓨터장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 컴퓨터장치는, 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 제1보조출력수단과; 상기 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 제2보조출력수단을 포함하고; 상기 컴퓨터본체는, 상기 컴퓨터본체 내에 마련되며 상기 오디오신호를 외부로 출력하기 위한 주출력수단과, 상기 제1보조출력수단과 상기 제2보조출력수단이 선택적으로 장착되며, 상기 제1보조출력수단과 상기 제2보조출력수단 중 어느 것이 장착되었는지를 감지하는 장착부와, 상기 장착부에 의해 상기 제1보조출력수단이 장착된 것으로 감지된 경우 상기 오디오신호를 상기 주출력수단 및 상기 제1보조출력수단을 통해 동시에 출력하도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 보조스피커를 장착하는 경우 메인스피커의 출력을 그대로 유지하여 음량을 보강할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170089861A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：KR1020177014532

申请日：2015-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤재 ,  김한기 ,  김상윤 ,  송영석 ,  오은미 ,  임동현 ,  장지호 ,  조재연

IPC: H04R5/02 ,  H04R5/04

CPC classification number: H04R5/04 ,  H04R3/12 ,  H04R5/02 ,  H04R2205/024 ,  H04R2420/07 ,  H04R2430/01

Abstract: 오디오신호를메인신호및 배경신호로분리하고, 메인스피커및 보조스피커의위치정보를획득하고, 위치정보에기초하여, 메인신호및 배경신호를믹싱하고, 믹싱된메인신호및 배경신호를각각메인스피커및 보조스피커로출력하는, 디바이스에서오디오신호를처리하는방법이개시된다.

Abstract translation: 分离所述音频信号转换成主信号和背景信号，以及主扬声器和获得二次扬声器的位置信息，位置信息，所述主信号和背景信号的混合的基础上，并且每个主扬声器的混合主信号和背景信号 并且提供了一种用于处理设备中的音频信号并将其输出到次要扬声器的方法。

公开(公告)号：KR1020170030359A

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：KR1020150127859

申请日：2015-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황선호 ,  박동규 ,  임동현

IPC: H04W4/06 ,  H04W4/00 ,  H04W76/00 ,  H04W80/12 ,  H04W88/02

Abstract: 사용자단말, 스피커, 음원공유시스템의제어방법이제공된다. 본사용자단말의제어방법은기 설정된웹 사이트에접속되어사용자단말과연결가능한스피커에대응되는스피커 ID가입력된경우, 음원공유어플리케이션을다운로드하며, 음원공유어플리케이션이실행되면, 음원을공유하기위한적어도하나의음악컨텐츠가포함된리스트를디스플레이하고, 리스트에포함된적어도하나의음악컨텐츠중 하나가선택되면, 선택된음악컨텐츠에대한정보를스피커로전송한다.

Abstract translation: 提供了一种用户终端，扬声器以及声源共享系统的控制方法。 当与用户终端可连接的扬声器相对应的扬声器ID连接到预设网站时，本用户终端的控制方法下载声源共享应用程序，并且当执行声源共享应用程序时， 显示包括一个音乐内容的列表，并且当列表中包括的至少一个音乐内容中的一个被选择时，关于所选择的音乐内容的信息被发送到扬声器。

公开(公告)号：KR101685022B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020100116251

申请日：2010-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  정석우 ,  임동현

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 기판상에하부(lower part) 및상부(upper part)를갖는하부전극이배치된다. 상기하부전극의하부(lower part)의측벽상에도전성스페이서가배치된다. 상기도전성스페이서의상면및 상기하부전극의상부(upper part)의측벽상에질화스페이서가배치된다. 상기하부전극의상부(upper part) 및상기질화스페이서상에저항변화체(resistance changeable element)가배치된다. 상기하부전극의상부(upper part)는질소를함유한다.

Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器件，以通过提供用于覆盖下电极的侧壁的氮化物间隔物和导电间隔物来最大化下电极的电流驱动性能。 构成：下电极在基板上包括上部（43N）和下部（43）。 导电间隔物（35）形成在下电极的下侧壁上。 氮化物间隔物（35N）形成在下电极的上侧壁和导电间隔物的上表面上。 电阻变化部（55）形成在下部电极和氮化物间隔物的上部。 下电极的上部包括氮。

公开(公告)号：KR1020160025391A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020140112589

申请日：2014-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박현 ,  임동현 ,  이순근 ,  이종명 ,  임한진

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76837 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91 ,  H01L29/413 ,  H01L2221/1094

Abstract: 베이스패턴들을노출하는가이드패턴들을형성하고, 제1 나노와이어성장공정을수행하여상기베이스패턴들상에제1 나노와이어들을형성하고, 상기제1 나노와이어들사이를채우는제1 몰딩절연층을형성하고, 상기나노와이어들을제거하여상기베이스패턴들의표면들을노출하는홀들을형성하고, 및상기홀 내에전도체를채워제1 전극들을형성하는것을포함하는반도체소자형성방법이설명된다.

Abstract translation: 说明的是使用纳米线形成半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成露出基底图案的引导图案; 通过执行第一纳米线生长过程在基底图案上形成第一纳米线; 形成填充所述第一纳米线之间的间隙的第一成型绝缘层; 通过去除纳米线形成露出基体图案的表面的孔; 以及通过在所述孔中填充导体来形成第一电极。 本发明的目的是提供使用纳米线的半导体器件的电容器结构及其形成方法。

公开(公告)号：KR101521998B1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020080086959

申请日：2008-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지타,타케히코 ,  임동현 ,  배병재 ,  김도형 ,  조성래 ,  이진일 ,  서주형 ,  박혜영

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/124 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1691

Abstract: 본발명은상변화막형성방법및 장치, 이를이용한상변화메모리소자의제조방법에관한것으로, 챔버에소스를공급하고그리고상기챔버로부터상기소스를퍼지하되, 상기소스의공급및 퍼지에따라상기챔버의압력을변동시키는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 원하는조성과두께에따른조성산포가우수한상변화막을형성할수 있게된다.