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公开(公告)号：KR1020150039084A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020140110915
申请日：2014-08-25
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C08L83/00 , C08L83/14 , C08L83/16 , C08J5/18 , C08J7/04 , C09D183/04 , H01L21/312
Abstract: 중량평균분자량이 20,000 내지 160,000 인실리콘함유중합체; 그리고용매를포함하는실리카계막 형성용조성물, 이를사용하여얻어지는실리카계막, 그리고상기실리카계막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种二氧化硅系膜形成用组合物，其特征在于，含有重均分子量为20000〜160000的含硅聚合物， 和溶剂，通过使用它们获得的二氧化硅基膜以及二氧化硅基膜的制造方法。
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12.发明公开실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140085119A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155327
申请日：2012-12-27
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , C08L83/04 , C08L83/08
Abstract: Provided is a composition for forming silica based insulating layer which includes polysilazane hydroxide or polysiloxazane hydroxide, and has 1200 ppm or less of concentrate of cyclic compound having 400 or less of weight-average molecular weight. The composition for forming silica based insulating layer can reduce thickness dispersion when forming the silica based insulating layer, thereby reducing film deficiency after chemical mechanical polishing (CMP) when manufacturing a semiconductor.
Abstract translation: 本发明提供一种二氧化硅系绝缘层形成用组合物，其包含聚硅氮烷氢氧化物或聚硅氧氮烷氢氧化物，并且具有1200ppm以下的具有400以下重均分子量的环状化合物的浓缩物。 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物可以在形成二氧化硅基绝缘层时减小厚度分散，从而在制造半导体时减少化学机械抛光（CMP）后的薄膜缺陷。
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公开(公告)号：KR101367252B1
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020110117090
申请日：2011-11-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: 알코올계 용매, 에스테르계 용매, 실란올계 용매, 알콕시실란계 용매, 알킬실라잔계 용매 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 전체 린스액에 대하여 0.01 중량% 내지 7 중량%로 포함하는 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130009509A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110070672
申请日：2011-07-15
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/318
CPC classification number: C08G77/62 , C01B21/087 , H01L28/90
Abstract: PURPOSE: A filter for filling a gap, a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing a semiconductor capacitor are provided to improve the uniformity of a thickness and the dispersion of solutions by including surfactant of 0.001 to 10 weight%. CONSTITUTION: A mold oxide layer(3) is formed on a semiconductor substrate(1). A gap exposing a contact plug of a semiconductor substrate by the photolithography of the mold oxide layer. A conductive layer(5) is formed on the semiconductor substrate and the mold oxide layer. A filling layer(7) is formed on the conductive layer. The conductive layer located on the upper side of the mold oxide layer is partially removed.
Abstract translation: 目的：提供用于填充间隙的过滤器，其制造方法和制造半导体电容器的方法，通过包括0.001至10重量％的表面活性剂来提高厚度的均匀性和溶液的分散性。 构成：在半导体衬底（1）上形成模具氧化物层（3）。 通过模具氧化物层的光刻法暴露半导体衬底的接触插塞的间隙。 在半导体衬底和模具氧化物层上形成导电层（5）。 在导电层上形成填充层（7）。 部分去除位于模具氧化物层上侧的导电层。
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15.发明公开
公开(公告)号：KR1020120071311A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020110107657
申请日：2011-10-20
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C08L83/04 , C09D183/04 , C08G77/04
Abstract: PURPOSE: A composition for forming a silica layer is provided to remarkably reduce defects and form a silica layer with improved insulation and gap-fill properties. CONSTITUTION: A composition for forming a silica layer comprises one selected from hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, and combinations thereof. The concentration of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane more than an average molecular weight of polystyrene of 50,000 is 0.1% or less. The number of particulates of the composition in the solution is 0-100 /cc. The weight average molecular weight of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane is 1,000-10,000. The total contents of the hydrogenated polysilazane and the hydrogenated polysiloxazane is 0.1-50 weight%.
Abstract translation: 目的：提供用于形成二氧化硅层的组合物以显着减少缺陷并形成具有改善的绝缘和间隙填充性能的二氧化硅层。 构成：用于形成二氧化硅层的组合物包括选自氢化聚硅氮烷，氢化聚硅氧氮烷及其组合的组合物。 氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的聚苯乙烯的平均分子量为50,000以下的浓度为0.1％以下。 溶液中组合物的颗粒数为0-100 / cc。 氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的重均分子量为1,000〜10000。 氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧氮烷的总含量为0.1-50重量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101711923B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020130120732
申请日：2013-10-10
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 규소함유화합물, 실리콘탄성체및 용매를포함하는절연막용조성물, 상기절연막용조성물로부터형성된절연막및 상기절연막을포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含含硅化合物，硅氧烷弹性体和溶剂的绝缘膜组合物，由其制成的绝缘膜，以及包含该组合物的电子器件。 根据本发明的实施方案，提供了一种用于形成具有改善的耐冲击性的绝缘膜的绝缘膜的组合物。
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17.发明公开개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权改性氢化聚硅氧烷，其中包含其的基于二氧化硅的绝缘层的组合物，用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的制造方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087998A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: Provided is a modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from the group consisting of polysilane, polycyclosilane and a silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane has small molar ratio of nitrogen atoms with respect to silicon atoms, and can markedly decrease layer shrinkage ratio during manufacturing a silica-based insulating layer when applied in a composition for manufacturing the silica-based insulating layer.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。 改性氢化聚硅氧氮烷相对于硅原子具有小的氮原子摩尔比，并且当在用于制造二氧化硅基绝缘层的组合物中时，在制造二氧化硅基绝缘层期间可以显着降低层收缩率。
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18.发明授权실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层和用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR101387740B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020110001802
申请日：2011-01-07
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 갖는 수소화 폴리실록사잔을 포함하고, 염소 농도 1ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물이 제공된다.
상기 화학식 1 및 2에서, R
1 내지 R
7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, R
1 내지 R
7 중 적어도 하나는 수소이다.-
公开(公告)号：KR101288574B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020090118751
申请日：2009-12-02
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , Y10S525/94
Abstract: 구조 중에 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지고 말단부에 하기 화학식 3으로 표현되는 부분을 가지는 수소화폴리실록사잔을 포함하고, 상기 수소화폴리실록사잔은 산소함유량이 0.2 내지 3 중량%이며, 하기 화학식 3으로 표현되는 부분은 구조 중의 Si-H 결합의 총 함량에 대하여 15 내지 35%로 포함되어 있는 갭필용 충전제 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다.
충전제, 수소화폴리실록사잔, 산소, 충전성, 평탄성-
公开(公告)号：KR1020130051759A
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020110117090
申请日：2011-11-10
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: PURPOSE: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane is provided to sharply peel the interference of the polyhydrosiloxazane thin film. CONSTITUTION: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane comprises an alcohol-based solvent, an ester-based solvent, a silanol-based solvent, an alkoxysilane-based solvent, an alkylsilazane-based solvent, and a combination thereof. The additives are selected from n-butanol, octanol, trimethylsilanol, triethylsilanol, hexamethyldisilazane, hexaethyldisilazane, tetraethoxysilane, tetraethoxysilane, tetramthoxysilane, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Residual film observation; (BB) Film thickness: 500nm; (CC) About 3mm; (DD) About 10mm
Abstract translation: 目的：提供多羟基硅氮烷的漂洗溶液，以便清除多羟基硅氮烷薄膜的干扰。 构成：多羟基硅氮烷的漂洗溶液包括醇系溶剂，酯系溶剂，硅烷醇系溶剂，烷氧基硅烷系溶剂，烷基硅烷系溶剂及其组合。 添加剂选自正丁醇，辛醇，三甲基硅烷醇，三乙基硅烷醇，六甲基二硅氮烷，六乙基二硅氮烷，四乙氧基硅烷，四乙氧基硅烷，四甲氧基硅烷及其组合。 （附图标记）（AA）残留膜观察; （BB）膜厚：500nm; （CC）约3mm; （DD）约10mm
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