公开(公告)号：KR1020000019472A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980037585

申请日：1998-09-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김은규

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing quantum dots is provided to easily control distribution and position of quantum dots by preventing a substrate from being damaged. CONSTITUTION: A method of manufacturing quantum dots comprises the steps of: evaporating a gallium oxidation layer on a GaAs substrate; forming a pattern by applying and developing polymethylmethacrylate(PMMA) on the gallium oxidation layer and forming a mask pattern for patterning the gallium oxidation layer by wet-etching using PMMA with the pattern as an etching mask; and eliminating the PMMA with the pattern and growing the quantum dots on the exposed GaAs substrate between the gallium oxidation layers with the pattern.

Abstract translation: 目的：制造量子点的方法是通过防止基板的损坏来容易地控制量子点的分布和位置。 构成：制造量子点的方法包括以下步骤：在GaAs衬底上蒸发镓氧化层; 通过在镓氧化层上施加和显影聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）形成图案，并通过使用图案作为蚀刻掩模的PMMA通过湿法蚀刻形成图案化镓氧化层的掩模图案; 并且以图案消除PMMA，并且在具有图案的镓氧化层之间的暴露的GaAs衬底上生长量子点。

公开(公告)号：KR100239677B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960069419

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01S5/10

Abstract: 본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈에 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈에 파고 그 위에 양자세선 또는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 표면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 없게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분으르 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈에 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한, 고효율의 광전소자, 광전소가 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100234005B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019970005288

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990038232A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970057886

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  민석기

IPC: H05H13/00

Abstract: 본 발명은 플라즈마 발생시 생성되는 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 방법으로서, 가스펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마의 과도적 특성을 조사하여 서로 다른 플라즈마 종들의 과도적 광방출(transient optical emission) 모습으로부터 일정한 시간폭을 갖는 두 세 가지 다른 시간영역을 도입하는 것을 포함한다. 또한 가스펄스 도입시, 의무주기의 변화에 따라서도 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는데, 이는 가스펄스 플라즈마의 과도적 특성과 밀접한 관련이 있다. 즉, 가스 펄스 도입시간 영역에서는 비교적 낮은 전자 온도(1.2 eV)가 관측되고, 가스펄스 도입중단 후 약 0.65초 후의 시간영역에서는 비교적 높은 전자온도(2.5 eV)가 관측되는데, 이는 플라즈마와 중성분자간의 재결합 충돌이 영향을 주므로써 나타나는 현상이다. 따라서 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 적절한 시간영역 및 의무주기를 선택함으로서 플라즈마 관련 반도체 제조공정을 비롯한 산화물 및 질소화합물 등의 결정성장분야에서 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100182372B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950051992

申请日：1995-12-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  이민석

IPC: C23C16/40

Abstract: 본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In
2 O
3 )박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내는 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019980068606A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005290

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형홈의 가장깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019960026134A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033313

申请日：1994-12-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  박용주

IPC: H01L21/203

Abstract: 본 발명은 열적으로 안정된 반도체소자용 게이금속(gate metal) 및 금속배선 제작을 위해 반도체와 금속사이의 접촉베리어(contact barrier)에 대한 열적안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 갈륨비소반도체 위에 쇼트키장벽을 형성하고 열처리 수행시 300℃정도의 낮은 온도에서도 금속과 반도체 사이의 반응에 의한 접합장벽의 열화현상을 지연시켜줌으로써 열적안정성을 실현하려는 데 그 목적이 있다.
따라서, 본 발명 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법은 갈륨비소반도체의 쇼트키접촉용 금속으로 비저항이 작고 안정된 산화물인 산화루테늄의 접촉안정성을 높이기 위하여 갈륨비소반도체의 표면에 수소화를 실시함으로써, 반도체 표면에 존재할 수 있는 결함 및 불순물들의 전기적 이온상태를 중성화시켜 접촉베리어에 영향을 미치는 계면고정효과(interface pinning effect)를 방지할 수 있고, 접촉게면의 산화반응을 억제하게 되어 열적안정성을 유지하게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100491073B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020010088866

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  최원준 ,  한일기 ,  김은규 ,  이정일 ,  박세기

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 얇은 AlGaAs 삽입층을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 관한 것으로, InGaAs 양자점 형성 후에 10 nm 이하의 두께를 갖는 삽입층을 성장시킴으로써 이루어진다. 본 발명에 따른 방사파장의 조작방법은, InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 있어서, 상기 InGaAs/GaAs 양자점을 형성하는 단계, 및 상기 InGaAs/GaAs 양자점 위에 AlGaAs 삽입층을 곧바로 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 AlGaAs 삽입층의 유무에 따라서 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 광루미네선스의 피크 위치가 변화된다. 상기 AlGaAs 삽입층의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 기저준위의 피크가 장파장 방향으로 이동하여 서서히 포화된다. 상기 AlGaAs 삽입층에 결함이 있으면, 상기 InGaAs/GaAs 양자점에 존재하는 긴장(strain)을 완화시킨다. 본 발명은 광통신에 많이 이용되는 1.33μm ∼ 1.55μm 대역의 통신용 레이저에 응용이 가능한 기술로써 상온에서 1.33μm의 방사파장을 볼 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR100379617B1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：KR1020010015609

申请日：2001-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김효진 ,  김태환

IPC: H01L29/15

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127

Abstract: Disclosed is a method of forming a quantum dots array. In the method of the present invention, a structure of wire-like quantum dots with good quality is formed in materials having an inconsistency in the lattice constant on a tilted substrate by using the binding property of atomic bonding due to chemical bonding steps of the tilted substrate, and the spacing of the wire-like quantum dots is varied by using the step width of the tilted substrate which is transformed due to a partial pressure of a source gas and the thickness of a buffer layer. The invention allows materials having an inconsistency in the lattice constant to be freely formed in the form of quantum wires with a growing technique only and accordingly to be used as base materials in use for manufacture of novel concept of optoelectronic devices which have not been obtained so far.

Abstract translation: 公开了一种形成量子点阵列的方法。 在本发明的方法中，通过使用由于倾斜的化学键合步骤引起的原子键合的键合性质，在倾斜基板上的晶格常数不一致的材料中形成具有良好质量的线状量子点的结构 并且通过使用由于源气体的分压和缓冲层的厚度而变形的倾斜基板的台阶宽度来改变线状量子点的间隔。 本发明允许具有晶格常数不一致的材料仅以增长技术以量子线的形式自由形成，并且因此用作用于制造尚未如此获得的光电子器件的新概念的基材 远。

公开(公告)号：KR100377498B1

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020000053649

申请日：2000-09-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김은규 ,  김광무

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/127 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/3412 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/962

Abstract: A method for aligning quantum dots effectively controls a growth position of the quantum dots for obviating an irregularity of a position of spontaneous formation quantum dots, and thus aligns the quantum dots in one-dimension (1-D) or two-dimension (2-D). A semiconductor device fabricated using the method manufactures a superlattice layer layer for adjusting an internal strain distribution by alternately depositing two semiconductor materials having different lattice constant, and grows spontaneous formation quantum dots on the superlattice layer. As a result, a strained force caused by the superlattice layer influences on the quantum dots so that the quantum dots can be regularly aligned.

Abstract translation: 用于对齐量子点的方法有效地控制量子点的生长位置以消除自发形成的量子点位置的不规则性，并且因此使一维（1-D）或二维（2-维） d）。 使用该方法制造的半导体器件通过交替地沉积具有不同晶格常数的两种半导体材料来制造用于调整内部应变分布的超晶格层层，并且在超晶格层上生长自发形成的量子点。 结果，由超晶格层引起的应变力影响量子点，使得量子点可以规则对齐。