자성 철합금이 함유된 알루미늄 피복용 클래드 및 그제조방법
    11.
    发明授权
    자성 철합금이 함유된 알루미늄 피복용 클래드 및 그제조방법 失效
    用于覆盖铝的含钢钢包覆材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR100515030B1

    公开(公告)日:2005-09-15

    申请号:KR1020030049827

    申请日:2003-07-21

    Abstract: 본 발명은 유도가열 특성 및 성형성이 우수한 주방용 Al 합금을 피복시키기 위한 클래드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 클래드는, 주방용 Al 합금 피복용 클래드로서, 상기 클래드는 오스테나이트계 스테인리스강/자성 철합금/오스테나이트계 스테인리스강의 적층구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.

    마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기 및 그의 제조 방법
    14.
    发明授权
    마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기 및 그의 제조 방법 失效
    用于包装微波器件的W-CU容器

    公开(公告)号:KR100215547B1

    公开(公告)日:1999-08-16

    申请号:KR1019970024735

    申请日:1997-06-14

    Abstract: 본 발명은, 크기가 2 내지 5㎛이고, 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 가지는 텅스텐 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하여 3 차원 성형체를 만드는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면 위에 동 판재를 올려놓고 1250℃에서 2 시간 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 제조되는 마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기로, 별도의 가공 공정 없이 열방산 특성이 우수하고 열팽창 계수가 GaAs와 유사하며, 스트립 와이어 연결이 가능한 용기를 제공하고, 그의 제조 방법을 제공한다.

    마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기 및 그의 제조 방법
    15.
    发明公开
    마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기 및 그의 제조 방법 失效
    用于微波器件的钨铜密封封装的容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019990001421A

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR1019970024735

    申请日:1997-06-14

    Abstract: 본 발명은, 크기가 2 내지 5㎛이고, 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 가지는 텅스텐 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하여 3 차원 성형체를 만드는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면 위에 동 판재를 올려놓고 1250℃에서 2 시간 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 제조되는 마이크로파 소자용 텅스텐-구리 밀폐 패키지용 용기로, 별도의 가공 공정 없이 열방산 특성이 우수하고 열팽창 계수가 GaAs와 유사하며, 스트립 와이어 연결이 가능한 용기를 제공하고, 그의 제조 방법을 제공한다.

    텅스텐-구리계 재료의 제조방법
    16.
    发明授权
    텅스텐-구리계 재료의 제조방법 失效
    W-Cu合金的制备方法

    公开(公告)号:KR1019960015218B1

    公开(公告)日:1996-11-04

    申请号:KR1019940002664

    申请日:1994-02-15

    Abstract: This W-Cu alloy is produced by the processes of (1) infiltration of copper in tungsten frame, repeatedly, (2) rapid heating of infiltrated W-Cu alloy at higher 1150deg.C than melting temperature 1083deg.C of copper for the holding time of over 5min, and (3) rapid cooling up to 800deg.C, for decreasing direct contact between tungsten particles, removing the residual porosity and homogenizing micro structure by contraction and expansion. This alloy comprises 65 to 85wt.% Cu and the balance of tungsten frame. The copper as the starting material is the powder of electrolytic copper of higher oxygen content or the ingot of oxygen-free copper of lower oxygen content.

    Abstract translation: 这种W-Cu合金是通过以下工序制造的:(1)在钨框架中铜的渗透反复,(2)浸渍的W-Cu合金在1150℃以上的快速加热比熔化温度为1083℃的铜为夹持 时间超过5min,(3)快速冷却至800℃,减少钨颗粒间的直接接触,消除残留孔隙度,并通过收缩和膨胀均匀化微观结构。 该合金包含65至85重量%的Cu和余量的钨骨架。 作为原料的铜是氧含量较高的电解铜粉末或含氧量较低的无氧铜锭。

    경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법
    18.
    发明授权
    경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법 有权
    固化剂HWANGCHIL组合物的制备方法及其制备方法

    公开(公告)号:KR101549468B1

    公开(公告)日:2015-09-03

    申请号:KR1020130147415

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 본발명은황금빛을나타내는천연수지인황칠을광 (전자빔, 감마선) 또는열 경화성단량체와배합하여, 라디칼반응이가능한황칠성분을가교된고분자사슬에화학적으로결합시키거나, 화학반응에참여가불가능한성분은물리적으로고분자그물망사이에고립시켜황칠의성질을유지하면서도, 경화시간단축, 내스크래치성, 내열성, 내용매성, 내염기성, 내산성등이우수한황칠고분자재료에관한것이다. 개발된광경화황칠고분자는우수한도막의성질뿐만아니라, 황칠색의농도를조율할수 있고, 경화시간을수분까지단축시킴으로공정의경제성을갖는다. 또한, 코팅공정이간단하여, 손잡이, 핸드폰, 아크릴제품, 유리용기, 손톱강화코팅소재, 화장품용기, 다기, 전자제품, 포장재, 식품및 보관용재료등에사용이가능하며, 은은한황금색은제품의고급화가요구되는곳에사용될수 있다.

    극소각 중성자 산란 장치
    19.
    发明公开
    극소각 중성자 산란 장치 有权
    超小型中空散射装置

    公开(公告)号:KR1020120021874A

    公开(公告)日:2012-03-09

    申请号:KR1020100080703

    申请日:2010-08-20

    Abstract: PURPOSE: A very small angle neutron scattering apparatus is provided to reduce the time for measuring the neutron scattering because a plurality of analyzers is installed in a path of the neutron light passed through a monochromator and sample. CONSTITUTION: A very small angle neutron scattering apparatus comprises a first previous monochromator(110), a first monochromator(120), and a first analyzer set(200). The previous monochromator is arranged in a path of the neutron light. The previous monochromator diffracts the neutron light passing through a neutron light path(101) at the Bragg scattering angle. The first monochromator is composed of a monocrystal diffracting diffracted the neutron light at the Bragg scattering angle by the previous monochromator toward a sample side. The first analyzer set is composed of two or more detectors and analyzers(210,220,230). The detector respectively detects the diffracted the neutron light at the Bragg scattering from each two or more analyzers.

    Abstract translation: 目的:提供非常小的角度中子散射装置,以减少测量中子散射的时间,因为多个分析仪安装在通过单色仪和样品的中子光路中。 构造:非常小的角度中子散射装置包括第一先前的单色仪(110),第一单色仪(120)和第一分析仪组(200)。 先前的单色仪布置在中子光的路径中。 先前的单色器以穿过中子光路(101)的中子光以布拉格散射角衍射。 第一单色仪由单晶衍射构成,由先前的单色仪将样品侧的布拉格散射角的中子光衍射。 第一台分析仪由两个或更多的检测器和分析仪组成(210,220,230)。 检测器分别检测来自每个两个或更多个分析器的布拉格散射处的衍射中子光。

    WSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법
    20.
    发明授权
    WSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법 失效
    WSI2-SIC纳米复合涂料及其制备方法

    公开(公告)号:KR100816671B1

    公开(公告)日:2008-03-27

    申请号:KR1020060131214

    申请日:2006-12-20

    Abstract: A WSi2-SiC nanocomposite coating layer and a manufacturing method thereof are provided to improve anti-oxidation characteristic of the coating layer in the high temperature condition by preventing micro crack from being formed in the nanocomposite coating layer. A method for manufacturing a WSi2-SiC nanocomposite coating layer comprises steps of vapor-depositing tungsten and carbon on the surface of tungsten or tungsten alloy to form a W2C coating layer, and vapor-depositing silicon on the surface of the W2C coating layer to form the WSi2-(17-19.3) vol.% SiC nanocomposite coating layer. The carbon is subject to chemical deposition using one selected from the group consisting of CO, CH4, C2H4 and CH2I2, and simultaneously the tungsten is subject to chemical deposition using WF6, WCl6 or W(CO)6. The silicon is subject to chemical deposition using SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl or SiH4.

    Abstract translation: 提供WSi2-SiC纳米复合涂层及其制造方法,以通过防止在纳米复合涂层中形成微裂纹来提高涂层在高温条件下的抗氧化性能。 制备WSi2-SiC纳米复合涂层的方法包括在钨或钨合金表面上气相沉积钨和碳以形成W2C涂层的步骤,并在W2C涂层的表面上气相沉积硅以形成 WSi2-(17-19.3)体积%SiC纳米复合材料涂层。 使用选自CO,CH4,C2H4和CH2I2的一种碳进行化学沉积,同时使用WF6,WCl6或W(CO)6进行化学沉积。 使用SiCl 4,SiH 2 Cl 2,SiH 3 Cl或SiH 4进行化学沉积。

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