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公开(公告)号：KR100345449B1
公开(公告)日：2002-07-26
申请号：KR1020000083171
申请日：2000-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/20
Abstract: 본 발명은 외부의 온도 변화에 영향을 받지 않는 원자선 천이를 반도체 레이저 소자에 적용하여 반도체 레이저 소자의 파장 선택을 안정화 하는데 목적이 있다. 상기 목적 달성을 위하여 본 발명의 반도체 레이저 소자는 요오드, 니오디움, 어븀, 프레시디움 등이 도핑된 폴리머로 이루어진 도파로(5)가 반도체로 이루어진 이득 도파로 영역부(3)와 반도체로 이루어진 파장선택 격자영역부(4) 사이에 브루스터각(6)(7)을 갖도록 접촉된다. 폴리머로 이루어진 도파로(5)와 접촉된 이득 도파로 영역부(3)와 파장선택 격자영역부(4)는 공진기 거울(1)(2) 사이에 설치된다. 이득 도파로 영역부(3)와 상기 파장선택 격자영역부(4)에는 전원 공급용 전극(8)(9)이 각각 접촉된다.
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公开(公告)号：KR100331687B1
公开(公告)日：2002-04-09
申请号：KR1019990055387
申请日：1999-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/127 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546
Abstract: 본발명은반도체기술에관한것으로, 특히화합물반도체초미세구조제작에관한것이며, 더자세히는자발형성양자점(self-assembled quantum dots)과전류차단층(current blocking structure)의자기정렬성장방법에관한것이다. 본발명은 S-K 성장방식을사용하여화합물반도체양자점구조를형성함에있어서, 양자점크기의균일성을확보하고, 기판평면에서의위치제어가용이한반도체소자제조방법을제공하는데그 목적이있다. 본발명은 TSL(tilted superlattice) 구조를이용하여 InAs 양자점이성장될부분을양자점의크기로제한하므로써양자점의크기분포를균일하게유도하며, 장벽층성장시 InAs 양자점배열구조사이에성장되는비정질 GaAs층을전류차단구조로이용할수 있는자기정렬성장법을제안하였다. 본발명은양자점의정렬효과외에양자점의크기분포균일성을높일수 있으며, 양자점구조의소자응용에필수적으로요구되는전류차단구조를별도의공정없이동시에구현할수 있다는기술적장점을가지고있다.
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公开(公告)号：KR100171376B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950052670
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨아세나이츠의 PN 접합구조의 형성방법에 관한것으로 특히, 사전 열분해 공정을 거치지 않은 V 족 화합물의 원료 기체와 사전열분해 공정을 거친 Ⅲ 족의 화합물을 원료기체로 하여 N 형 전도특성을 갖는 인듐갈륨아세나이드와 P 형의 전기전도도를 나타내는 InGaAs 를 성장온도의 조절만으로 형성하는 방법에 관한것이다.
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公开(公告)号：KR1019980044527A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062620
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
초 고진공용 선형이동장치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 이동 축을 안테나 또는 낚시대 형태의 접히는 축을 사용하여 선형이동장치의 불필요한 후방 공간을 제거하여 공간을 효율적으로 활용할 뿐 아니라, 후방측으로 돌출하는 것을 제거하여 안전성을 확보한 초고진공용 선형 이동장치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 횡측으로 관통된 공간부가 형성된 몸체; 상기 몸체의 공간부에 직각방향으로 관통되어 선형이동을 조정하는 회전 손잡이; 상기 몸체의 공간부 내에 장착되며, 회전손잡이의 축에 끼워져 연동하는 수단; 일단이 상기 몸체의 공간부의 소정위치에 삽입, 고정되며, 접고 펼치는 형태의 다단봉으로 형성된 가이드 로드; 일단은 상기 연동수단에 고정되며, 타단은 가이드 로드의 선단부에 고정되어 가이드 로드에 선형이동력을 제공하는 수단; 및 상기 가이드 로드의 외주면을 감싸며, 그의 선형이동에 따라 수축 및 팽창하는 밸로우즈 실을 포함하는 초고진공용 선형이동장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
초고진공하에서 수축 및 팽창을 통한 선형이동제어를 수행하기 위한 것임.-
公开(公告)号：KR1019980043447A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061305
申请日：1996-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명은 불활성기체의 저에너지 이온 빔을 이용하여 GaAs 등의 화합물 반도체 및 Si 등의 반도체 박막을 낮은 성장온도에서 기판의 국부적인 영역에만 선택적으로 성장하는 방법에 관한 것으로서, 종래 기술에서 고온 공정이 수반되는 불순물의 확산, 계면에서의 물질확산, 비균형 열 팽창에 따르는 결함이 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판 위에 소정 패턴의 유전체 마스크를 형성한 후, 그 결과물 전면에 불활성 기체의 저에너지 이온을 원료물질과 동시에 공급하여 상기 유전체 마스크가 형성되지 않은 부분에 반도체 박막을 형성하는 공정을 수행함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 공정을 일괄적으로 수행함으로써 특성이 우수한 소자를 제작할 수 있는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100141254B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019930029090
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/34
Abstract: 본 발명은 반도체레이저장치에 있어서 화합물반도체기판상에 GaAs 버퍼층을 성장시킬 때 생성되는 V자의 홈을 이용하여 GaAs/AlGaAs 양자우물과 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 방법은 GaAs기판(10)상에 소정의 온도에서 GaAs버퍼층(20)을 성장하여 상기 버퍼층(20)의 표면에 결정방향이 (111)의 면을 갖는 V자형상의 사각형 홈(21)을 형성하는 공정과, 상기 버퍼층(20)상에 상기 소정 온도보다 상대적으로 낮은 온도에서 AlGaAs장벽층(30)을 형성하는 공정과, 상기 장벽층(30)상에 GaAs활성층(40)을 형성하되, 상기 GaAs활성층은 결정방향이 (100)의 면에서보다 (111)의 면에서 빠른 속도로 형성되어 양자우물(41)과 양자점(42)이 동시에 형성되게 하는 공정과, 상기 활성층(40)상에 AlGaAs장벽층(50)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020160047387A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020150127775
申请日：2015-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체막의성장방법은제1 반도체막상에개구부들을포함하는제1 마스크패턴을형성하는단계; 상기개구부들을통해노출된상기제1 반도체막의표면으로부터제2 반도체막을성장시켜서, 오목부및 돌출부를포함하는상기제2 반도체막을형성하는단계; 상기돌출부의상면이노출되도록상기오목부내부를제2 마스크막으로채우는단계; 상기제2 마스크막및 상기돌출부의상면을덮는제3 마스크막을형성하는단계; 상기돌출부상면상에제3 마스크패턴이잔류될수 있도록상기제2 마스크막을제거하면서상기제2 마스크막상에중첩된상기제3 마스크막의일부를제거하는단계; 및상기제3 마스크패턴에의해상기돌출부의상면이차단된상태에서, 상기오목부를통해노출된상기제2 반도체막의표면으로부터제3 반도체막을성장시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施方案提供一种能够减少裂纹和缺陷密度的半导体膜的生长方法。 根据本发明实施例的用于生长半导体膜的方法包括以下步骤：在第一半导体膜上形成具有开口部分的第一掩模图案; 通过从通过所述开口部暴露的所述第一半导体膜的表面生长所述第二半导体膜，形成具有凹部和突出部的第二半导体膜; 在露出突出部的上表面的同时用第二掩模膜填充凹部的内部; 形成覆盖所述第二掩模膜和所述突出部的上表面的第三掩模膜; 除去重叠在第二掩模膜上的第三掩模膜的一部分，同时移除第二掩模膜，以便允许第三掩模图案残留在突出部分的上表面上; 以及在突出部分的上表面被第三掩模图案阻挡的状态下，通过凹部暴露的第二半导体膜的表面生长第三半导体膜。
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公开(公告)号：KR1020150138977A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140066119
申请日：2014-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 본발명은광 추출효율을높일수 있는반도체발광소자및 그의제조방법에관한것으로, 기판상에형성된버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 n형반도체층, 상기 n형반도체층이드러나도록상기 n형반도체층의일부영역상에형성된활성층, 상기활성층상에형성된 p형반도체층, 상기 p형반도체층상에형성된투명전도성층, 상기투명전도성층의측벽으로부터상기활성층의측벽을따라형성된제1 메사면, 상기제1 메사면을따라형성된패시베이션층, 및상기패시베이션층을따라형성되어탈출광을되반사시키는금속반사막을포함함으로써탈출광을되반사시켜광 추출효율을높인다.
Abstract translation: 本发明涉及能够提高光提取效率的发光装置及其制造方法。 发光器件包括形成在衬底上的缓冲层，形成在缓冲层上的n型半导体层，形成在n型半导体层的一部分上以暴露类型半导体层的有源层，p型半导体 在所述有源层上形成的层，形成在所述p型半导体层上的透明导电层，沿着所述透明导电层的侧壁沿所述有源层的侧壁形成的第一台面表面，沿着所述第一台面表面形成的钝化层 以及沿着钝化层形成并反射逃逸光的金属反射层。 因此，通过反射逃逸光来提高光提取效率。
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公开(公告)号：KR1020150081024A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000572
申请日：2014-01-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/64 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은수직형 UV-LED 제조방법을제공한다. 상기방법은기판상에순차적으로적층된버퍼층, n-컨택층및 p-컨택층을포함하는 UV-LED 에피구조를형성하고, 기판으로부터 n-컨택층까지연장한비아홀을형성하고, 비아홀측벽에제공되고상기 n-컨택층에노출되는절연스페이스를형성하고, 그리고비아홀과 n-형컨택층과연결하는금속전극을형성하는공정을수행하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造垂直UV-LED的方法。 该方法包括形成依次层压在基板上的包括缓冲层，n接触层和p接触层的UV-LED外延结构的步骤; 形成从所述基板延伸到所述n接触层的通孔的步骤; 形成设置在所述通孔的侧壁上并暴露于所述n接触层的绝缘空间的步骤; 以及形成将通孔与n接触层连接的金属电极的工序。 因此，该方法能够提高散热性能。
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