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公开(公告)号：KR1019950002179B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910008668
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/22
Abstract: The method includes the steps of growing epitaxial layer (2) of multilayer structure on a semiconductor substrate (1), depositing a thin fluoride film (3) on the layer (2), irradiating electron beams on the predetermined portion of the film (3) to convert the portion into a metal film (4), depositing a passivation film (5) thereon, and diffusing metallic impurities from the film (4), i.e., a diffusion source into the substrate (1), thereby the multilayered structure in a diffusion area being mixed mutually, and the multilayered structure in a protection area by the film (3) being maintained in the multilayer state.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底（1）上生长多层结构的外延层（2），在层（2）上沉积氟化薄膜（3），将电子束照射在薄膜（3）的预定部分上 ）将所述部分转换成金属膜（4），在其上沉积钝化膜（5），并将金属杂质从膜（4）扩散，即扩散源扩散到衬底（1）中，从而将多层结构 扩散区域相互混合，并且通过膜（3）保护区域中的多层结构保持在多层状态。
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公开(公告)号：KR1019940010147B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910006689
申请日：1991-04-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: The cracker cell for compound semiconductor epitaxy thin films includes a gas injection tube (9) and a thermal insulation reflector (10). The cell can dissociate the hydride gas with a high efficiency and with a low gas leakage and outgassings, by use of a gas injection tube made of stainless steel, a ceramic tube made of alumina, and a baffle and a thermal insulation reflector made of tantalum (Ta). It consists of a gas injection flange section (3) with a ceramic (7) and a stainless steel tube (14), a gas dissociation section (4) with baffle (17), and an electrical feedthrough flange section (2) with Cu wire (5) connecting lead wires of thermocouple (8) and lead wires (16) of heating filament (6).
Abstract translation: 用于化合物半导体外延薄膜的裂解器单元包括气体注入管（9）和绝热反射器（10）。 电池可以通过使用由不锈钢制成的气体注入管，由氧化铝制成的陶瓷管和挡板以及由钽制成的隔热反射器，以高效率和低气体泄漏和脱气的方式解离氢化物气体 （TA）。 它由具有陶瓷（7）和不锈钢管（14）的气体注入法兰部分（3），带有挡板（17）的气体解离部分（4）和具有铜的电馈通凸缘部分 电线（5）连接热电偶（8）的引线和加热丝（6）的引线（16）。
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公开(公告)号：KR1019940016455A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920023360
申请日：1992-12-04
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 다이아몬드 박막을 증착시키는 방법에 관한 것으로, 다공질 실리콘 위에 다이아몬드를 증착시키면 다공질 실리콘 표면의 미세한 돌출부의 존재로 다이아몬드 결정의 핵생성 밀도가 높아지는 원리를 이용하여, 실리콘 기판위에 치밀하고 평탄한 표면을 갖는 다이아몬드 박막을 증착시키는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019970051611A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052659
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H51/00
Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021180A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027344
申请日：1993-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/10
Abstract: 본 발명은 기판의 이방성 식각과 기판접합기술을 이용하여 광을 여러방향으로 분할시킬 수 있도록 하는 이방성 식각과 기판접합에 의한 광분할기 및 제작방법에 관한 것으로 서로 다른 방향을 갖는 〈100〉기판과〈410〉기판을 접합하여 한 기판을 식각한 다음 상기 식각영역을 틀로하여 광반사층을 형성한 뒤 다결정 규소 등의 물질을 채워 평탄화한 다음 상기 기판을 제거하므로서 광반사면을 갖도록하여 광신호 처리에서 들어오는 광신호를 피라미드형 광분할기의 상기 광반사면에 의하여 반사방향을 변화시켜 광신호를 분할하도록 하는 것이다.
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