公开(公告)号：KR1020090058874A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：KR1020070125666

申请日：2007-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 엄용성 ,  문종태

IPC: H01L23/12 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: A laminated semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to reduce a size of the semiconductor package by bonding a MEMS device and an ASIC(Application Specific Integrated Circuit) or ROIC(Readout Integrated Circuit) device. A laminated semiconductor package includes a first wafer(100), a second wafer(200), and an interposed wafer(300). An MEMS(Micro Electro Mechanical System) device(110) is formed on the first wafer. The second wafer is located on the first wafer. An ASIC or ROIC device is formed on the second wafer. The interposed wafer is positioned between the first wafer and the second wafer. The interposed wafer electrically connects the MEMS device and the ASIC or ROIC device.

Abstract translation: 提供一种叠层半导体封装及其制造方法，通过结合MEMS器件和ASIC（专用集成电路）或ROIC（读出集成电路）器件来减小半导体封装的尺寸。 叠层半导体封装包括第一晶片（100），第二晶片（200）和插入晶片（300）。 在第一晶片上形成MEMS（微机电系统）装置（110）。 第二晶片位于第一晶圆上。 在第二晶片上形成ASIC或ROIC器件。 插入的晶片位于第一晶片和第二晶片之间。 插入的晶片将MEMS器件和ASIC或ROIC器件电连接。

公开(公告)号：KR1020060065449A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050041909

申请日：2005-05-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  김종희 ,  엄용성

IPC: H01S5/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S3/1301 ,  H01S3/1304

Abstract: 본 발명은 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자 및 이를 적용한 광 도파로소자에 대해 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자는 기판상에 레이저광을 발생하여 외부로 출력하는 표면방출레이저와; 상기 기판상에 표면방출레이저와 이웃하도록 형성되며 외부광을 수신하는 광 감지수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저 소자 및 이를 적용한 광 도파로소자는, 광통신용 표면방출레이저와 광 감지기를 동시에 집적하면서 표면방출레이저의 광 출력 성능에 영향을 주지 않고 넓은 파장 대역 응답이 가능한 양질의 광 감지기를 독립적으로 구동할 수 있다.
표면방출레이저, 광 감지수단, 광 도파로

公开(公告)号：KR1020050025387A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020030062417

申请日：2003-09-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  엄용성 ,  김종덕 ,  최광성 ,  이종현 ,  윤호경 ,  최병석 ,  문종태

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H04B10/43

Abstract: An optical transceiver is provided to improve receiving quality by reducing crosstalk between optical receiving and transmitting elements on a silicon substrate using a dummy ground line formed on the substrate. An operation transceiver includes a photoelectric transducer and an optical signal transfer unit. The photoelectric transducer is disposed on a substrate and includes a light transmitting device(2210), a high speed signal line(2220), and a bias line(2230) for the light transmitting device. The light transmitting device converts an electrical signal to an optical signal. A light receiving device(2260), a high speed signal line(2270), and a bias line(2280) for the light receiving device are also included in the photoelectric transducer. The light receiving device converts the optical signal to an electrical signal. A first dummy ground line(2290) is adjacent to the high speed signal line of the light transmitting device. A second dummy ground line(2295) is adjacent to the high speed signal line of the light receiving device. The optical signal transfer unit is connected to the photoelectric transducer and delivers the received optical signal to the light receiving device. The optical signal from the light transmitting device is transferred to an optical fiber by the optical signal transfer unit.

Abstract translation: 提供光收发器以通过使用形成在基板上的虚拟接地线减少硅衬底上的光接收和发射元件之间的串扰来提高接收质量。 操作收发器包括光电换能器和光信号传送单元。 光电传感器设置在基板上，包括用于光发射装置的光发射装置（2210），高速信号线（2220）和偏置线（2230）。 光发送装置将电信号转换为光信号。 光接收装置中还包括光接收装置（2260），高速信号线（2270）和用于光接收装置的偏置线（2280）。 光接收装置将光信号转换为电信号。 第一伪接地线（2290）与光发射装置的高速信号线相邻。 第二伪接地线（2295）与光接收装置的高速信号线相邻。 光信号传送单元连接到光电传感器并将接收到的光信号传送到光接收装置。 来自光发送装置的光信号由光信号传送单元传送到光纤。

公开(公告)号：KR102247062B1

公开(公告)日：2021-05-03

申请号：KR1020180088183

申请日：2018-07-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문승언 ,  이승민 ,  이재우 ,  임종필 ,  김정훈 ,  문석환 ,  엄용성 ,  임솔이

IPC: F25B21/02

Abstract: 본발명의실시예에따른냉각소자는그 내부에냉매를저장하며, 상부에밸브구조체가형성된냉매저장부상기냉매저장부상에배치되고, 그내부에유로가형성된방열구조체및 상기방열구조체의표면부터연장된방열핀을포함하는방열부; 상기냉매저장부및 상기방열부의사이에배치되고, 상기냉매저장부의내부와상기방열부의유로를연결하는연결부; 및상기냉매저장부, 상기방열부및 상기연결부를둘러싸도록배치되어, 상기냉매저장부, 상기방열부및 상기연결부를밀폐하는하우징을포함하되, 상기밸브구조체는온도변화에따라부피가변하는온도반응성물질을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150094125A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020140015017

申请日：2014-02-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이학선 ,  최광성 ,  엄용성 ,  배현철

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83859 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 반도체 소자의 제조 방법은, 다수의 제1 전극들을 가지며 투명한 기판을 마련하고, 다수의 제2 전극들을 갖는 반도체 칩을, 제1 전극 및 제2 전극 각각이 서로 마주하도록 기판 상에 배치한다. 기판 및 반도체 칩들 사이에 솔더 입자들 및 산화제를 포함하는 폴리머층을 형성하고, 제1 및 제2 전극들 사이의 솔더 입자들을 레이저를 이용하여 국부적으로 용융시켜 제1 및 제2 전극들 사이를 전기적으로 연결시키는 용융 솔더층을 형성한다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括：准备具有多个第一电极的透明衬底并在衬底上布置具有多个第二电极的半导体芯片以使第一电极和第二电极分别面对的步骤; 在衬底和半导体芯片之间形成包括焊料颗粒和氧化剂的聚合物层的步骤; 以及通过使用激光局部熔化第一和第二电极之间的焊料颗粒，形成电连接第一和第二电极的熔融焊料层的步骤。

公开(公告)号：KR1020140115111A

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：KR1020130029771

申请日：2013-03-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최광성 ,  엄용성 ,  배현철 ,  이학선

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: A method for forming a bump of a semiconductor device according to a concept of the present invention can comprise providing a substrate having pads; forming a bump maker layer covering the pads and including resin and solder particles; coagulating the solder particles on the pads after heat-processing the bump maker layer; exposing the coagulated solder particles after removing the resin; forming a resin layer covering the coagulated solder particles; and forming bumps on the pads after reflowing the coagulated solder particles.

Abstract translation: 根据本发明的概念形成半导体器件的凸点的方法可以包括提供具有衬垫的衬底; 形成覆盖所述焊盘并包括树脂和焊料颗粒的凸块制造器层; 在对凸块制造者层进行热处理之后，将焊料颗粒凝结在焊盘上; 去除树脂之后暴露凝固的焊料颗粒; 形成覆盖凝固的焊料颗粒的树脂层; 以及在回流凝固的焊料颗粒之后在焊盘上形成凸块。

公开(公告)号：KR1020130076197A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020110144690

申请日：2011-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최광성 ,  엄용성 ,  배현철 ,  문종태 ,  배호은

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: PURPOSE: A method for forming a solder bump is provided to form a bump having a low height by agglomerating solder powder in a metal part formed on a substrate. CONSTITUTION: A micro pattern layer (305) is formed on a substrate. A guide layer (307) is formed on the substrate. A solder formation material is firstly coated between the guide layers. Solder powder and resin are mixed with the solder formation material. The solder powder is agglomerated on a metal part (303).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成焊料凸块的方法，通过在形成在基板上的金属部件中凝集焊料粉末来形成具有低高度的凸块。 构成：在衬底上形成微图案层（305）。 在基板上形成引导层（307）。 焊料形成材料首先涂覆在引导层之间。 焊料粉末和树脂与焊料形成材料混合。 焊料粉末聚集在金属部件（303）上。

公开(公告)号：KR101232208B1

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：KR1020090083162

申请日：2009-09-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최광성 ,  엄용성 ,  배현철 ,  문종태 ,  주무정 ,  정성혜 ,  이종현 ,  임병옥

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 반도체 소자 적층 패키지가 제공된다. 이 패키지는 각각 적어도 하나의 관통 홀 및 적어도 관통 홀을 채우는 관통 전극을 포함하되, 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되는 적층된 반도체 소자들, 관통 전극들의 연결 부위를 제외한 적층된 반도체 소자들 사이에 제공된 접착 물질막, 및 적층된 반도체 소자들이 실장되고 본딩 전극을 갖는 상부면 및 상부면에 대향하는 하부면을 갖는 인쇄 회로 기판을 포함한다. 관통 전극은 금속간 화합물이고, 그리고 적층된 반도체 소자들 중 최하부 반도체 소자의 관통 전극과 인쇄 회로 기판의 본딩 전극은 서로 전기적으로 연결된다.
반도체, 실리콘, 관통 전극, 금속간 화합물, 적층

Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。

公开(公告)号：KR1020120126224A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110043857

申请日：2011-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주무정 ,  김주미 ,  엄용성 ,  전아람 ,  문종태

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01G9/2081 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dye sensitized solar cell is provided to improve economical efficiency, electric characteristics, and durability of a product by mutually welding electrodes of a sub module using metal paste. CONSTITUTION: One or more heating wires(730) are formed on the upper side of an electrode(712) of a sub module. Metal paste(740) is coated on the upper side of the electrode. Current flows in the one or more heating wires. The metal paste of the one or more heating wires is heated. The metal paste of the one or more heating wires is hardened. The heating wire is formed into a ribbon shape having wide width. [Reference numerals] (AA) Local cooling

Abstract translation: 目的：提供一种制造染料敏化太阳能电池的方法，通过使用金属糊相互焊接子模块的电极来提高产品的经济性，电特性和耐久性。 构成：在子模块的电极（712）的上侧形成有一个或多个加热线（730）。 金属膏（740）涂覆在电极的上侧。 电流在一个或多个加热线中流动。 一个或多个加热丝的金属膏被加热。 一个或多个加热丝的金属膏被硬化。 该加热线形成为宽度宽的带状。 （标号）（AA）局部冷却

公开(公告)号：KR101175682B1

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：KR1020090011106

申请日：2009-02-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 엄용성 ,  문종태 ,  오상원 ,  장건수

IPC: C09J9/02 ,  C09J5/00

Abstract: 이방성도전접착제용조성물, 및이를이용한솔더범프형성방법및 플립칩형성방법이제공된다. 상기조성물은저융점솔더입자및 열경화성고분자수지를포함한다. 상기이방성도전접착제는고분자수지및 경화제를혼합하여혼합물을형성하는단계와상기혼합물에변형제, 촉매또는환원제를혼합하는단계를포함한다.