公开(公告)号：KR1020150077737A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130166516

申请日：2013-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  문재경 ,  장우진 ,  배성범 ,  박영락 ,  전치훈 ,  문석환 ,  장우영 ,  김정진 ,  장현규 ,  나제호 ,  남은수

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/47 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/475 ,  H01L29/778

Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。 提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面 去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。

公开(公告)号：KR101851620B1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：KR1020160040357

申请日：2016-04-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민기 ,  장현규 ,  정동윤 ,  고상춘 ,  이현수 ,  전치훈

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/772

Abstract: 본발명은 Sense-FET를사용한안정화회로구조를제안한다. 본발명에따른전력반도체모듈은 D-Mode FET와상기 D-Mode FET와동일한구조를가지며면적을달리하는 Sense-FET를포함한다. 전력반도체모듈은 Sense-FET의구동을위해필요한 E-Mode FET 뿐만아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는다이오드등과같은회로소자를포함하는안정화회로를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170057114A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160067678

申请日：2016-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  고상춘 ,  김민기 ,  나제호 ,  박영락 ,  박준보 ,  이현수 ,  이형석 ,  장현규 ,  정동윤

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L41/08

Abstract: 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.

Abstract translation: 提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。 混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气 设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽， 层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜， 并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。