Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a nano-sized glass frit is provided to obtain high producibility in low costs by using a solution method, and to easily control the size and composition for a solar cell electrode. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-sized glass frit comprises: a step of manufacturing glass frit nanoparticles by using a sol-gel synthesis method; and a step of mixing the glass frit nanoparticles, metallic nanoparticles, and organic vehicles. An electrode for a solar cell comprises a semiconductor substrate, an antireflection film formed on the substrate, a first conductive layer which is formed by spreading the conductive ink on the antireflective film, and a second conductive film formed of a conductive metal, on the first conductive layer. [Reference numerals] (AA) Raw material; (BB) Basic catalyst; (CC) React; (DD) Wash; (EE) Glass frit nanoparticles
Abstract:
PURPOSE: A conductive ink composition for silicon solar cell electrode formation is provided to apply to a non-contactable print process which does not give physical damages to a substrate. CONSTITUTION: A conductive ink composition for silicon solar cell electrode formation comprises 1-10 wt% of glass frit nano particle and 10-60 wt% of metal nano particle. The metal nano particle is a mixture or an alloy selected from silver, copper, gold, platinum, and nickel. A solar battery front electrode comprises a silicon semiconductor substrate(201), an emitter layer(202), a first conductive layer(204), and a second conductive layer which is formed on top of the first conductive layer(205).
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화주석 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1 내지 3이다.)
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체에 관한 것으로, 상기 인듐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화인듐 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3이다.)