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公开(公告)号：KR1020110119191A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038772
申请日：2010-04-27
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/003 , C01G23/006 , C01G35/006 , C01P2002/34 , C01P2004/64 , C23C4/04 , C23C16/404
Abstract: PURPOSE: A novel alkaline earth metal compound using modified glycine derivatives is provided to ensure easy maintenance and excellent thermal stability. CONSTITUTION: An alkaline earth metal compound is denoted by chemical formula 1. The alkaline earth metal compound of chemical formula 1 is prepared by reacting alkaline earth metal halide compound of chemical formula 2(MX_2) with sodium(bis-(alkoxyalkyl))glycinate or sodium(bis-(dialkylaminoalkyl))glycinate of chemical formula 3(NaOCOCH_2N &(CH_2)nY R_2). An alkaline earth metal oxide thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition.
Abstract translation: 目的：提供使用改性甘氨酸衍生物的新型碱土金属化合物，以确保易于维护和优异的热稳定性。 化学式1的碱土金属化合物是通过使化学式2（MX_2）的碱土金属卤化物与（双 - （烷氧基烷基））甘氨酸钠或 化学式3（NaOCOCH 2 N＆（CH 2）n Y R 2）的（双（二烷基氨基烷基））甘氨酸钠。 通过金属有机化学气相沉积形成碱土金属氧化物薄膜。
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公开(公告)号：KR101052360B1
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020080113183
申请日：2008-11-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G15/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Ga[OA-NR
1 R
2 ]
x [R
3 ]
3-x
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 내지 R
3 는 서로 독립적으로 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고; x는 1 내지 3의 정수이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 전구체로서 상온에서 액체 또는 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 휘발되는 특성을 나타내므로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 전구체, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)-
公开(公告)号：KR1020100135370A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053697
申请日：2009-06-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/06 , H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C07F3/06 , C23C16/407 , C23C16/45525 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A novel zinc amino alkoxide compound and a method for preparing the same are provided to use as a zinc ingredient in thin film deposition or alloy manufacturing. CONSTITUTION: A zinc amino alkoxide compuns is denoted by chemical formula 1[Zn(O-A-NR^1R^2)_2]. In chemical formula1, A is alkylene of C2-C5; A is one or more linear or branched alkyl group of C1-C5; and R1 and R2 are independently linear or branched alkyl group of C1-C5. The compound of chemical formula 1 is prepared by reacting zinc halide compound of chemical formula 3(ZnX_2) with an alkali metal salt of chemical formula 4(MO-A-NR^1R^2).
Abstract translation: 目的：提供一种新的锌氨基烷氧基化合物及其制备方法，用作薄膜沉积或合金制造中的锌成分。 构成：锌氨基烷氧基化合物由化学式1 [Zn（O-A-NR ^ 1R ^ 2）_2]表示。 在化学式1中，A是C 2 -C 5的亚烷基; A是C1-C5的一个或多个直链或支链烷基; 且R1和R2独立地为C1-C5的直链或支链烷基。 化学式1的化合物通过使化学式3的卤化锌化合物（ZnX 2）与化学式4的碱金属盐（MO-A-NR 1 1R 2）反应制备。
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公开(公告)号：KR101242772B1
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020110000493
申请日：2011-01-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 아미노 알콕사이드 리간드를 갖는 신규의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Bi[OA-NR
1 R
2 ]
3
[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 C
1 -C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]
본 발명에 따르는 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물은 비스무트 전구체로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 비스무트를 포함하는 물질의 박막의 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 비스무트 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120121194A
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020110039028
申请日：2011-04-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: PURPOSE: A novel antimony aminoalkoxide compound is provided to bind with oxygen ligand and to manufacture a thin film containing the antimony and to ensure excellent thermal stability and volatility. CONSTITUTION: An antimony aminoalkoxide compound is denoted by chemical formula 1(Sb[O-A-NR1R2]3). A compound of chemical formula 1 is denoted by chemical formula 2(Sb[O-CR3R4(CH2)m-NR1R2]3). A method for preparing the antimony amino alkoxide compounds comprises a step of reacting antimony halide compounds of chemical formula 3(SbX3) and alcohol alkali metal salt of chemical formula 4(M[O-A-NR1R2]). A method for forming a thin film comprises a step of forming a thin film containing antimony using an antimony amino alkoxide compounds as a precursor.
Abstract translation: 目的：提供新型的锑氨基烷氧基化合物与氧配位体结合并制造含有锑的薄膜，并确保优异的热稳定性和挥发性。 构成：化学式1（Sb [O-A-NR1R2] 3）表示锑氨基烷氧基化合物。 化学式1的化合物由化学式2（Sb [O-CR 3 R 4（CH 2）m -NR 1 R 2] 3）表示。 制备锑氨基醇盐化合物的方法包括使化学式3（SbX 3）的卤化锑化合物与化学式4的醇碱金属盐（M [O-A-NR1R2]）反应的步骤。 形成薄膜的方法包括使用锑氨基醇盐化合物作为前体形成含有锑的薄膜的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101187353B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100014231
申请日：2010-02-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 인듐 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 인듐 디알킬글리신 화합물에 관한 것으로 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 신규의 인듐 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1-C5의 알킬기이다.]-
公开(公告)号：KR101083103B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100038772
申请日：2010-04-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신 유도체를 이용한 신규의 알칼리 토금속 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 토금속 화합물에 관한 것이다.
[화학식 1]
본 발명에 따른 알칼리 토금속 화합물은 금속 산화물 박막 및 금속 산화물 나노입자 형성을 위한 전구체로 사용되며, 수분에 덜 민감하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 우수한 특성이 있다.-
公开(公告)号：KR1020100129591A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：KR1020090048234
申请日：2009-06-01
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/18 , C23C16/42 , H01L21/205
CPC classification number: C07F7/1804 , C23C16/24 , C23C16/401 , C23C16/45525 , H01L21/2053
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a novel silicon alkoxide compound is provided to ensure volatile characteristic at low temperature and to use as a silicon ingredient. CONSTITUTION: A silicon alkoxide compound is denoted by chemical formula 1. The silicon alkoxide compound is prepared by reacting alkali metal salt of chemical formulas 5(M^2O-A^2-OR^3) and 4(M^1O-A^1-OR^1) with a silicon compound of chemical formula 3([R^4]3-a-bX^1bX^2aSi-SiX^1nX^2m[R^2]3-n-m). A silicon-containing thin film is produced using the silicon alkoxide compound as a precursor. The silicon-containing thin film is formed by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) or atom layer deposition(ALD).
Abstract translation: 目的：提供一种制备新的硅烷氧化物化合物的方法，以确保低温下的挥发性特征并用作硅成分。 构成：硅烷氧化物化合物由化学式1表示。硅烷氧化物化合物通过使化学式5（M 2 O-A 2 2- OR 3）和4（M 1 O-A ^ 1-OR 1）与化学式3的硅化合物（[R 4] 3-a-bX 1，1b 3）2 Si-SiX 1 1 X 2 2 [[R 2] 3-nm）反应。 使用硅醇盐化合物作为前体制造含硅薄膜。 含硅薄膜由金属有机化学气相沉积（MOCVD）或原子层沉积（ALD）形成。
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公开(公告)号：KR101187700B1
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020100014241
申请日：2010-02-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 갈륨 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 디알킬글리신 화합물에 관한 것으로 수분에 민감하지 않고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 신규의 갈륨 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1-C5의 알킬기이다.]-
公开(公告)号：KR1020120102985A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020110020943
申请日：2011-03-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F7/2232 , C23C16/18 , C23C16/407 , C23C16/45525
Abstract: PURPOSE: A novel tin compound with fluoro-ligand is provided to ensure high vapor pressure and to be used as a material for thin film deposition. CONSTITUTION: A tin alkoxide compound is denoted by chemical formula 1(Sn[O-A-OR^1]_2) or formula 2(Sn[O-CR^2R^3(CH_2)_m-OR^1]_2). The tin alkoxide compound is Sn(OCMe_2CH_2OCH_2CF_3)_2, or Sn(OCMeEtCH_2OCH_2CF_3)_2. A method for preparing the tin alkoxide compound comprises a step of reacting a tin halide compound of chemical formula 3(SnX_2) with an alkali metal salt of alcohol of chemical formula 4(M[O-A-OR^1]). A thin film containing tin compounds is prepared by MOCVD(modified chemical vapor deposition) or ALD(atomic layer deposition) using the tin alkoxide compounds as a precursor.
Abstract translation: 目的：提供具有氟配体的新型锡化合物以确保高蒸气压，并用作薄膜沉积材料。 组成：锡化合物化合物由化学式1（Sn [O-A-OR 1] 2）或式2（Sn [O-CR 2 R 2 3（CH 2）m -OR 1] 2）表示。 锡醇盐化合物是Sn（OCMe 2 CH 2 OCH 2 CF 3）2或Sn（OCMeEtCH 2 OCH 2 CF 3）2。 制备锡醇盐化合物的方法包括使化学式3（SnX_2）的卤化锡化合物与化学式4的醇的碱金属盐（M [O-A-OR 1]）反应的步骤。 使用锡醇盐化合物作为前体，通过MOCVD（改性化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）制备含有锡化合物的薄膜。
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