-
公开(公告)号：KR1020170055274A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
-
公开(公告)号：KR1020160133727A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066622
申请日：2015-05-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것으로, 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)을이용하여높은광흡수계수를가지고있어태양전지의광흡수층으로이용가능한금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR1020160005946A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造和控制氧化锡薄膜的方法及其制造方法，包括以下步骤：从H_2O存在下沉积新的SnO态的p型氧化锡薄膜 相等的锡前体。 本发明的方法使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）。 本发明的目的是提供一种用于制造诸如包括p沟道和n沟道的晶体管的逻辑器件的方法，以及具有堆叠（或替代地堆叠）结构的二极管。
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101799158B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
-
公开(公告)号：KR101742391B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020170055268A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的热稳定性和挥发性的新型铟前体，并且提供一种通过使用该铟前体和由此制备的薄膜而在低温下容易地生产高质量氧化铟薄膜的方法。
-
公开(公告)号：KR101610623B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.02 seconds)
