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公开(公告)号：KR101284775B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020110099951
申请日：2011-09-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100748408B1
公开(公告)日：2007-08-10
申请号：KR1020050056195
申请日：2005-06-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: G01N33/5308 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/551
Abstract: 본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화-
公开(公告)号：KR1020050038988A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020030074318
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 기체 센서의 제조방법은 센서용 전극 패턴을 새롭게 설계하는 단계(a)와, 탄소나노튜브를 전극 패턴 위에 떨어뜨리고 인접한 두 전극 사이로 수평 이동시키는 단계(b)를 포함하며, 단계(b)는 전극 패턴위에 탄소나노튜브를 떨어뜨려 일정시간 정지 상태로 유지하는 단계와, 500rpm 이상의 고속으로 탄소나노튜브가 놓인 전극 패턴을 회전시켜 나노튜브가 원심력을 받도록 하는 단계와, 메탄올을 이용하여 불순물 나노입자와 전극 패턴에 놓이지 못한 잔류 나노튜브를 제거하여 전극 패턴을 세정하는 단계를 포함한다.
이와 같은, 본 발명에 의하면 탄소나노튜브를 화학기상증착법으로 직접 성장시킨 후 전극을 성장한 나노튜브 위에 부착시키는 고비용의 매우 어려운 공정으로 이루어진 직접 성장법과, IDT(Interdigitated) 구조로 전극을 만들고 탄소나노튜브를 그 위에 떨어뜨려 다량의 나노튜브가 다수의 위치에서 전극과 병렬 연결되도록 제조하는 직접 부착법이 갖고 있는 단점, 즉 낮은 감도 및 느린 회복속도를 쉽게 극복하고, 기존 두가지 방법의 장점만을 획득할 수 있는 효과를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101843785B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020160173775
申请日：2016-12-19
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은유해화학물질누출에따른대응정보를모바일어플리케이션모듈을통해제공할수 있도록한 유해화학물질누출대응정보시스템에관한것이다. 이를위해, 본발명은유해화학물질누출상황과환경조건을모바일어플리케이션모듈을통해입력하는유해화학물질누출정보입력부; 유해화학물질의물리및 화학적물성을저장한데이터베이스부; 컴퓨터연산알고리즘에의해유해화학물질의기체, 액체, 고체각 성상별대응정보를산출하는유해화학물질누출대응정보연산부; 및유해화학물질누출대응정보연산부에서산출된대응정보를모바일어플리케이션모듈을통해외부에제공하는유해화학물질누출대응정보제공부를포함하여구성된것을특징으로하는유해화학물질누출대응정보시스템을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够通过移动应用模块提供关于有害化学物质泄漏的相应信息的危险化学物质泄漏响应信息系统。 为此，本发明提供了一种危险化学物质泄漏信息输入单元，用于通过移动应用模块输入危险化学物质泄漏条件和环境条件; 数据库部分，用于存储有害化学物质的物理和化学特性; 一种有毒化学品泄漏对应信息计算单元，用于通过计算机操作算法计算有害化学物质的气体，液体和立体角特征的对应信息; 以及危险化学物质泄漏对应信息提供单元，用于通过移动应用模块将由危险化学物质泄漏对应信息操作单元计算出的相应信息提供给外部。
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公开(公告)号：KR1020160092969A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020160093911
申请日：2016-07-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L51/42 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , C04B2235/768 , H01L2031/0344
Abstract: 본발명은복합페로브스카이트계소재및 이를포함하는전자소자에관한것으로, 상세하게, 본발명에따른복합페로브스카이트계소재는유기양이온, 2종이상의금속양이온및 할로겐음이온을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种混合钙钛矿型材料及其电子装置。 具体地说，本发明的混合钙钛矿型材料包括有机正离子，两种或更多种金属正离子和卤素负离子。 混合钙钛矿型材料不含铅或可以降低铅含量，因此混合钙钛矿型材料是环保型的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130035571A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020110099951
申请日：2011-09-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L29/66712
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube network transistor device with a high on and off ratio and a manufacturing method thereof are provided to reduce the density of a nanotube by forming a plurality of holes through an etching process. CONSTITUTION: A substrate is made of insulating materials. A carbon nanotube network layer is formed on the upper side of an insulating layer(2). The carbon nanotube network layer includes a carbon nano tube(3). A carbon nanotube network channel is formed between a source electrode and a drain electrode(5). One or more holes(6) are formed in the carbon nanotube network layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有高开关比的碳纳米管网络晶体管器件及其制造方法，通过蚀刻工艺形成多个孔来降低纳米管的密度。 构成：基材由绝缘材料制成。 在绝缘层（2）的上侧形成碳纳米管网络层。 碳纳米管网络层包括碳纳米管（3）。 在源电极和漏电极（5）之间形成碳纳米管网络通道。 在碳纳米管网络层中形成一个或多个孔（6）。
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公开(公告)号：KR1020070105437A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060037537
申请日：2006-04-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , Y10S977/742
Abstract: A system and a method for combining multi-scale simulations are provided to combine/apply QM and MM according to the applied system by developing a general QM/MM combining algorithm irrespective of predetermined QM/MM methodology. An input device receives QM/MM method selection, a molecular structure of whole system, and the molecular structure of a cluster. An operator calculates based on input data of the input device. An output device outputs a position of a molecule in the whole system, and the molecular and electric structure in a cluster area as a calculation result of the operator. The operator comprises a cluster area selector(101), a link molecule generator(103) joining the QM and the MM, a QM/MM energy and power calculator(104), a molecular energy and power calculator(105), and a structure optimizing module(106) finding the molecular structure minimizing whole energy.
Abstract translation: 提供了一种用于组合多尺度模拟的系统和方法，通过开发一般的QM / MM组合算法，与预定的QM / MM方法无关，根据所应用的系统组合/应用QM和MM。 输入设备接收QM / MM方法选择，整个系统的分子结构和簇的分子结构。 操作者根据输入设备的输入数据进行计算。 输出装置输出整个系统中的分子的位置，以及在区域中的分子和电结构作为操作者的计算结果。 运营商包括：集群区域选择器（101），连接QM和MM的链路分子发生器（103），QM / MM能量和功率计算器（104），分子能量和功率计算器（105） 优化模块（106）找到最小化整个能量的分子结构。
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公开(公告)号：KR1020070097255A
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：KR1020060028205
申请日：2006-03-29
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L51/502 , C09K11/06 , H01L51/5004
Abstract: A quantum dot light emitting diode having a low HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) level of organic semiconductor material is provided to improve a light emitting property of the LED(Light Emitting Diode) by decreasing a difference in HOMO potentials between a quantum dot and a hole transfer layer. A quantum dot light emitting diode includes an anode, a cathode, and an activation layer. The activation layer is arranged between the anode and the cathode. The activation layer is made of a p-type organic semiconductor chemical and a quantum dot. An energy potential of an HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) of the p-type organic semiconductor chemical is lower than -5.5eV. The energy potential of the HOMO of the p-type organic semiconductor chemical is higher than that of the quantum dot. The quantum dot is doped into a p-type organic semiconductor chemical matrix.
Abstract translation: 提供具有低HOMO（最高占有分子轨道）有机半导体材料水平的量子点发光二极管，以通过减少量子点和第一个量子点之间的HOMO电位的差异来改善LED（发光二极管）的发光特性 空穴转移层。 量子点发光二极管包括阳极，阴极和激活层。 激活层设置在阳极和阴极之间。 活化层由p型有机半导体化学品和量子点构成。 p型有机半导体化学品的HOMO（最高占位分子轨道）的能量势能低于-5.5eV。 p型有机半导体化学品的HOMO的能量势能高于量子点的能量势。 量子点掺杂成p型有机半导体化学基质。
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公开(公告)号：KR1020060019907A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040068606
申请日：2004-08-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법(layer-by-layer)에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100 ㎚ 이하 크기의 고농도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.
고분자 전해질, 금속 나노 졸, 표면개질제, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR1020050102303A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020040027593
申请日：2004-04-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J3/16
Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 중합개시제와 계면활성제를 포함하는 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 기존과는 달리 수계 슬러리가 아닌 오일상에 중합개시제와 계면활성제를 주입한 후 수계 슬러리를 분산시킴으로써, 오일상에 분산시키기 전 수계 슬러리의 저장시간이 길어져서 제조공정 중 불안요인이 제거되며, 상기 수계 슬러리의 겔화 방지를 위한 저온 제어장치가 필요없어 공정설비의 단순화를 달성할 수 있고, 전체적인 공정의 제어가 용이하면서, 제조된 구가 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 단시간에 성형할 수 있는 효과가 있다.
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