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公开(公告)号：KR101460066B1
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：KR1020120150730
申请日：2012-12-21
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
Abstract: 본 발명은 대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 신규한 방법으로 나노 크기의 웰 어레이 구조를 재현성 있게 구현하여 생체물질의 검출 감도, 선택성 및 신뢰성을 개선할 수 있는 대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 좁은 영역에 고집적된 나노 크기의 웰 어레이 구조를 균일하고 재현성 있게 구현할 수 있다. 이에 의하여 다양한 효소, 단백질, DNA 등 생체분자 및 생체물질의 검출 감도(sensitivity)와 선택성(selectivity), 신뢰성(reliability)이 크게 향상된 바이오센서의 제조가 가능하다. 또한 본 발명에 따르면 종래기술과 달리 6인치 (지름 150mm) 이상의 대면적 기판으로 양산할 수 있어 상용화 가능성이 높다.-
公开(公告)号：KR1020130039477A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020110104056
申请日：2011-10-12
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0125 , G03F7/38 , G03F7/70275 , H01L21/02118 , H01L21/0274 , H01L21/32139 , H01L21/565
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nanolens array mold is provided to manufacture a nanolens array mold for manufacturing a nanolens array with a uniform nanolens shape and the low surface roughness by manufacturing a nanolens array mold through a nanopattern formation process by the photolithography and a dry etching process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nanolens array mold comprises the following steps: (a) after a silicon substrate is oxidized to form a first silicon oxide film on the surface, an anti-reflective layer and a photosensitive layer are successively formed on the silicon oxide film; (b) micro-patterns with the regular alignment are formed on the photosensitive layer with the photolithography, and the exposed anti-reflective layer is removed according to the micro-patterns; (c) the photosensitive layer is dry-etched with a mask to selectively remove the first silicon oxide film; (d) the silicon substrate is dry-etched using the selectively removed first silicon oxide film as a mask to form micro-patterns; (e) the first silicon oxide film is removed; (f) the thermal oxidation process is performed on the silicon substrate in which the micro-patterns are formed to form a second silicon oxide film on the micro-patterns; and (g) the second silicon oxide film is removed. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Forming an oxide film and BARC and applying a photosensitive agent on a silicon substrate; (CC) Step a; (DD) Forming micro-patterns on a photosensitive layer; (EE) Step b; (FF) Dry-etching a silicon oxide film; (GG) Step c; (HH) Dry-etching the silicon substrate; (II) Step d; (JJ,NN) Removing the silicon oxide film; (KK) Step e; (LL) Thermal oxidizing process; (MM) Step f; (OO) Step g; (PP) End;
Abstract translation: 目的：提供一种纳米阵列模具的制造方法，以通过通过光刻法和纳米线阵列模具的纳米图案形成工艺制造纳米阵列模具来制造具有均匀纳米形状的纳米阵列和低表面粗糙度的纳米阵列模具 蚀刻工艺。 构成：纳米阵列模具的制造方法包括以下步骤：（a）在硅衬底被氧化以在表面上形成第一氧化硅膜之后，在硅上依次形成抗反射层和感光层 氧化膜; （b）通过光刻法在感光层上形成具有规则取向的微图案，并根据微图案去除曝光的抗反射层; （c）用掩模对感光层进行干蚀刻以选择性地去除第一氧化硅膜; （d）使用选择性去除的第一氧化硅膜作为掩模来干蚀刻硅衬底以形成微图案; （e）除去第一氧化硅膜; （f）在其上形成微图案的硅衬底上进行热氧化处理，以在微图案上形成第二氧化硅膜; 和（g）去除第二氧化硅膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）形成氧化膜和BARC并在硅衬底上施加感光剂; （CC）步骤a; （DD）在感光层上形成微图案; （EE）步骤b; （FF）干蚀刻氧化硅膜; （GG）步骤c; （HH）干式蚀刻硅衬底; （二）步骤d; （JJ，NN）除去氧化硅膜; （KK）步骤e; （LL）热氧化工艺; （MM）步骤f; （OO）步骤g; （PP）结束;
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公开(公告)号：KR101743828B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150130744
申请日：2015-09-16
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L29/06 , C23C14/04
Abstract: 기판을준비하는단계, 상기기판의제1 면(first surface) 상에타겟패턴(target pattern)이형성된제1 필름(first film)을배치하는단계, 상기기판의제2 면(second surface) 상에, 상기기판의중앙부를덮고, 상기기판의가장자리부를노출하는제2 필름(second film)을배치하는단계, 및노출된상기기판의상기가장자리부를통해전류를공급하는방법으로, 상기기판을전기화학식각(electrochemical etching)하여, 상기기판내에상기타겟패턴에대응하는타겟홀(target hole)을형성하는단계를포함하는패턴마스크의제조방법이제공될수 있다.
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，包括：制备衬底;在衬底的第一表面上设置可释放地图案化的第一膜;在衬底的第二表面上形成第二膜; ，布置覆盖基板的中心部分并暴露基板的边缘部分并且通过暴露的基板的边缘部分供应电流的第二膜， 通过对图案化的掩模进行电化学蚀刻，在基板上形成与目标图案对应的靶孔。
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公开(公告)号：KR101524930B1
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130109563
申请日：2013-09-12
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
IPC: C11D7/06 , C11D7/26 , H01L21/302
Abstract: 본발명은질화갈륨기판용세정용액및 이를이용한질화갈륨기판세정방법에관한것으로서더욱상세하게는질화갈륨기판의양측표면중 층전이공정을위해다른기판과접합되는접합면인 N 표면의표면조도증가를최소화함과동시에표면에흡착되어있는파티클을용이하게제거할수 있는질화갈륨기판의 N 표면용세정용액및 이를이용한질화갈륨기판의 N 표면세정방법에관한것이다. 이를위해, 본발명은, 다른기판과의접합면이되는질화갈륨기판의 N 표면을세정하는세정용액에있어서, 염기성수용액및 유기첨가제를포함하는것을특징으로하는질화갈륨기판의 N 표면세정용액및 이를이용한질화갈륨기판의 N 표면세정방법을제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140049814A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120116089
申请日：2012-10-18
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
CPC classification number: D06C23/04 , B82Y40/00 , C23F1/02 , D06C2700/31 , D06M2200/12 , D10B2401/021 , G03F7/16
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a metallic mold for water-repellent finishing of a fabric and a method for water-repellent finishing of the fabric using the same, and more specifically, to a method for manufacturing a metallic mold for water-repellent finishing of a fabric, capable of forming fine patterns having a water-repellent function on a surface of the fabric, and a method for water-repellent finishing of the fabric using the same. According to the present invention, fine patterns having a water-repellent function can be formed on a surface of a fabric through a direct transferring method. The present invention is conducted through a simpler process than an existing coating method or an immersion method using a resin, and can be applied to even a large-area process, thereby being capable of improving productivity and economic feasibility. In addition, a solvent or the like, which is harmful to the environment, is not required to be used, thereby being capable of improving working stability. Further, since no fear exists of a decrease in the water-repellent degree due to friction or washing, the water-repellent function can be semipermanently maintained. [Reference numerals] (AA) Photosensitive layer; (BB) Substrate; (CC) Fabric; (DD) Mask
Abstract translation: 本发明涉及一种制造用于织物防水整理的金属模具的方法和使用该方法的织物的防水整理方法，更具体地说，涉及一种用于制造水溶性金属模具的方法， 能够在织物的表面上形成具有防水功能的精细图案的织物的防水整理，以及使用该织物的织物的防水整理方法。 根据本发明，可以通过直接转印法在织物的表面上形成具有防水功能的精细图案。 本发明通过比现有的涂布方法或使用树脂的浸渍法更简单的方法进行，并且甚至可以应用于大面积工艺，从而能够提高生产率和经济可行性。 此外，不需要使用对环境有害的溶剂等，从而能够提高工作稳定性。 此外，由于不会因摩擦或洗涤而导致防水性降低，所以可以半维持防水功能。 （附图标记）（AA）感光层; （BB）基材; （CC）面料; （DD）面膜
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公开(公告)号：KR101377058B1
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120015740
申请日：2012-02-16
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
Abstract: 본 발명에 의한 분사된 고체상 기체입자의 압흔 형성장치는, 기판과, 상기 기판의 일면으로 입자를 분사하는 분사노즐을 포함하여 구성되되, 상기 기판은 상기 분사노즐로부터 분사되는 입자와의 충돌로 인해 오목한 압흔이 형성되도록 구성된다. 또한 본 발명에 의한 분사된 고체상 기체입자의 충돌력 분석시스템은, 상기와 같이 구성되는 분사된 고체상 기체입자의 압흔 형성장치; 상기 압흔의 치수를 측정하는 압흔 측정장치; 상기 압흔의 치수와, 상기 입자의 경도 및 반경과, 상기 기판의 경도를 입력값으로 하여 상기 입자의 충돌력을 산출하는 연산부;를 포함하여 구성된다. 본 발명에 의한 분사된 고체상 기체입자의 압흔 형성장치를 이용하면, 분사노즐로부터 분사되는 고체상 기체입자에 의해 발생되는 압흔을 용이하게 얻을 수 있고, 사용자가 원하는 영역에만 압흔을 형성시킬 수 있다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 의한 분사된 고체상 기체입자의 충돌력 분석시스템을 이용하면, 분사되는 고체상 기체입자의 속도를 직접 측정하지 아니하고서도 입자의 충돌력을 산출할 수 있고, 실제로 충돌이 발생되는 시점에서의 충돌력 크기를 보다 정확하게 산출할 수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020160127242A
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020150057870
申请日：2015-04-24
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/66 , H01L21/033 , G03F7/20
Abstract: 노광방법이제공된다. 상기노광방법은, 노광장치내에서, 마스크및 상기마스크덮는펠리클을이용하여노광공정을수행하는단계, 상기노광공정중에발생된열에의해, 상기마스크및 상기펠리클이변형되는경우, 상기마스크및 상기펠리클의변형정도를측정하는단계, 및상기마스크및 상기펠리클의변형정도에따라서, 상기마스크및 상기펠리클을교정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150030388A
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：KR1020130109563
申请日：2013-09-12
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
IPC: C11D7/06 , C11D7/26 , H01L21/302
CPC classification number: C11D7/06 , C11D7/26 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 본 발명은 질화갈륨 기판용 세정용액 및 이를 이용한 질화갈륨 기판 세정방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 질화갈륨 기판의 양측 표면 중 층 전이 공정을 위해 다른 기판과 접합되는 접합면인 N 표면의 표면조도 증가를 최소화함과 동시에 표면에 흡착되어 있는 파티클을 용이하게 제거할 수 있는 질화갈륨 기판의 N 표면용 세정용액 및 이를 이용한 질화갈륨 기판의 N 표면 세정방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 다른 기판과의 접합면이 되는 질화갈륨 기판의 N 표면을 세정하는 세정용액에 있어서, 염기성 수용액 및 유기 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 N 표면 세정용액 및 이를 이용한 질화갈륨 기판의 N 표면 세정방법을 제공한다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于氮化镓衬底的洗涤溶液以及使用其的氮化镓衬底的洗涤方法，更具体地说，涉及一种用于氮化镓衬底的洗涤液，其可以最小化表面轮廓的增加 N表面，其是与氮化镓衬底的两个侧表面的层过渡过程的另一个衬底接触的另一个衬底，并且可以容易地去除附着在表面上的颗粒，以及使用其进行氮化镓衬底的洗涤的方法。 为此，用于洗涤氮化镓衬底的N表面的洗涤溶液包括碱溶液和有机添加剂。
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公开(公告)号：KR101429524B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130053757
申请日：2013-05-13
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/004
Abstract: According to the present invention, a 3D fine structure forming method using diffuser lithography includes a step of applying a sensitizer onto a substrate; a step of forming a pattern of a mask; a step of emitting light; and a step of forming a 3D structure on the sensitizer by using a developer. In the light emitting step, light scattered from more than two kinds of diffusers is emitted to the sensitizer through the mask. According to another type of the present invention, the diffuser is a diffuser applied to the 3D fine structure forming method using diffuser lithography and is characterized in that two kinds of diffusers are overlapped with each other. With the present invention, various 3D structures, having a lower gradient and thinner thickness than existing diffuser lithography, are made by using complexly formed light. Moreover, the present invention forms a 3D fine structure having an inclined cross section through a simpler facility in comparison with the former technology. The present invention enables mass production by using a lithography process.
Abstract translation: 根据本发明，使用漫射光刻的3D精细结构形成方法包括将敏化剂施加到基底上的步骤; 形成掩模图案的步骤; 发光的一步; 以及通过使用显影剂在敏化剂上形成3D结构的步骤。 在发光步骤中，从两种扩散器散射的光通过掩模发射到敏化剂。 根据本发明的另一种类型，扩散器是应用于使用漫射光刻的3D精细结构形成方法的扩散器，其特征在于两种扩散器彼此重叠。 利用本发明，通过使用复合形成的光来制造具有比现有扩散器光刻更低的梯度和更薄的厚度的各种3D结构。 此外，与前述技术相比，本发明通过更简单的设备形成具有倾斜横截面的3D精细结构。 本发明可以通过使用光刻工艺进行批量生产。
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