PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION
    11.
    发明公开
    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION 审中-公开
    STRUKTURFORMUNGSVERFAHREN UND RESISTZUSAMMENSETZUNG

    公开(公告)号:EP2539769A4

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:EP11747578

    申请日:2011-02-24

    Applicant: FUJIFILM CORP

    Abstract: Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent sensitivity, limiting resolving power, roughness characteristic, exposure latitude (EL), dependence on post-exposure bake (PEB) temperature and focus latitude (depth of focus DOF), and a resist composition for use in the method. The method comprises (A) forming a film from a resist composition comprising a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, which resin thus when acted on by an acid decreases its solubility in a developer containing an organic solvent, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent.

    Abstract translation: 提供一种形成图案的方法,其确保极好的灵敏度,限制分辨率,粗糙度特性,曝光宽容度(EL),曝光后烘焙(PEB)温度和焦点宽容度(焦深DOF)的依赖性,以及抗蚀剂组合物 用于该方法中。 该方法包括:(A)由抗蚀剂组合物形成膜,所述抗蚀剂组合物包含含有重复单元的树脂,所述重复单元含有在被酸作用时分解从而产生醇羟基的基团,因此该树脂因此当被酸作用时降低 其在含有有机溶剂的显影液中的溶解性,(B)将该膜曝光,以及(C)使用含有有机溶剂的显影液使曝光的显影液显影。

    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION
    14.
    发明公开
    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION 审中-公开
    STRUKTURFORMUNGSVERFAHREN UND RESISTZUSAMMENSETZUNG

    公开(公告)号:EP2550562A4

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:EP11759653

    申请日:2011-03-25

    Applicant: FUJIFILM CORP

    Abstract: Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent exposure latitude (EL) and focus latitude (depth of focus DOF). The method of forming a pattern includes (A) forming a film from a resist composition, the resist composition, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, thereby forming a negative pattern. The resist composition contains (a) a resin that is configured to decompose when acted on by an acid and &Dgr;SP thereof represented by formula (1) below is 2.5 (MPa)1/2 or above, (b) a compound that is composed to generate an acid when exposed to actinic rays or radiation, and (c) a solvent. &Dgr;SP=SPF−SPI  (1)

    Abstract translation: 提供了一种形成图案的方法,确保优异的曝光宽容度(EL)和聚焦纬度(焦深DOF)。 形成图案的方法包括(A)从抗蚀剂组合物形成膜,抗蚀剂组合物,(B)将膜曝光,和(C)使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜,从而形成 负模式。 抗蚀剂组合物含有(a)在被酸作用时被分解的树脂,下式(1)表示的&Dgr; SP为2.5(MPa)1/2以上,(b) 被组合以在暴露于光化射线或辐射时产生酸,和(c)溶剂。 &DGR; SP = SPF-SPI(1)

    パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    16.
    发明专利
    パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 有权
    图案形成方法,图案和蚀刻方法,制造电子器件的方法和使用图案形成方法的电子器件

    公开(公告)号:JP2015031706A

    公开(公告)日:2015-02-16

    申请号:JP2013158741

    申请日:2013-07-31

    Abstract: 【課題】種々の形状の積層構造を有する微細パターンを形成可能なパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。【解決手段】(i)基板10上に下記工程で第1のネガ型パターン11を形成する工程、(i−1)基板上に酸により極性が増大し有機溶剤溶解性が減少する第1の樹脂を含む感光性樹脂組成物(1)の第1の膜を形成する工程、(i−2)露光工程、(i−3)有機溶剤現像工程、(iii)前記第1ネガ型パターンの未形成領域に、第2の樹脂を含む樹脂組成物(2)の下層15を形成する工程、(iv)下層上に酸により極性が増大し有機溶剤溶解性が減少する第3の樹脂を含む感光性樹脂組成物(3)の上層20を形成する工程、(v)露光工程、(vi)有機溶剤現像し、前記第1のネガ型パターン面上に第2のネガ型パターン21を形成する工程、(vii)下層の一部を除去する工程をこの順に有するパターン形成方法。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种图案形成方法,通过该图案形成方法可以形成具有各种轮廓的层状结构的精细图案,并提供一种电子装置的制造方法和电子装置。解决方案:图案形成方法包括 按照以下顺序进行步骤:(i)通过步骤(i-1)通过形成感光性树脂组合物(1)的第一膜的步骤(i-1),在基板10上形成第一负图案11,所述第一膜包含第一树脂,所述第一树脂显示极性增加 酸降低与有机溶剂的溶解度,(i-2)曝光膜,和(i-3)用有机溶剂显影膜; (iii)在不形成第一负图案的区域中形成包含第二树脂的树脂组合物(2)的下层15; (iv)在下层上形成包含酸的极性增加以降低与有机溶剂的溶解度的第三树脂的感光性树脂组合物(3)的上层20; (v)暴露层; (vi)用有机溶剂显影层,以在第一阴图案的表面上形成第二阴图案21; 和(vii)去除下层的一部分。

    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device
    17.
    发明专利
    Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method, resist film, method for manufacturing electronic device, and electronic device 审中-公开
    丙烯酸类敏感性或辐射敏感性树脂组合物,图案形成方法,电阻膜,制造电子器件的方法和电子器件

    公开(公告)号:JP2014106299A

    公开(公告)日:2014-06-09

    申请号:JP2012257846

    申请日:2012-11-26

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in an exposure latitude (EL) and line width roughness (LWR) and excellent in release property of a space pattern on a stepped substrate, which is particularly suitable for a method of forming a negative pattern by organic solvent development, and more particularly, which is suitable for KrF exposure, and to provide a pattern forming method, a resist film, a method for manufacturing an electronic device, and an electronic device using the above composition.SOLUTION: The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises a resin (A) which includes an aromatic group and (i) a repeating unit having a group that is decomposed by an action of an acid to generate a polar group, and which may include (ii) a repeating unit having a polar group other than a phenolic hydroxyl group. The total of the repeating units (i) and (ii) is 51 mol% or more with respect to the whole repeating units in the resin (A).

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供曝光宽容度(EL)和线宽粗糙度(LWR)优异且在阶梯状基板上的空间图案的剥离性优异的光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物,其中 特别适用于通过有机溶剂显影形成负型图案的方法,更特别地,适用于KrF曝光的方法,并提供图案形成方法,抗蚀剂膜,电子器件的制造方法和电子 使用上述组合物的装置。解决方案:光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含包含芳族基团的树脂(A)和(i)具有通过酸作用分解的基团的重复单元 产生极性基团,并且其可以包括(ii)具有除酚羟基以外的极性基团的重复单元。 相对于树脂(A)中的全部重复单元,重复单元(i)和(ii)的总计为51摩尔%以上。

    Pattern formation method, chemical amplification type resist composition, and resist film
    19.
    发明专利
    Pattern formation method, chemical amplification type resist composition, and resist film 有权
    图案形成方法,化学放大型耐腐蚀组合物和耐蚀膜

    公开(公告)号:JP2012073402A

    公开(公告)日:2012-04-12

    申请号:JP2010217967

    申请日:2010-09-28

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern formation method which is excellent in sensitivity, capability of reducing development defects, and pattern shape in negative pattern formation with a developer containing an organic solvent, and to provide a chemical amplification type resist composition and resist film.SOLUTION: A pattern formation method includes the steps of: (i) forming a film from a chemical amplification type resist composition which contains (A) a resin of which solubility in developer containing an organic solvent reduces due to increased polarity by an action of acid, (B) a compound which generates an acid upon exposure to actinic rays or radiation, and (C) a tertiary alcohol; (ii) exposing the film; and (iii) developing with the developer containing an organic solvent.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种图案形成方法,其具有优异的灵敏度,减少显影缺陷的能力和使用含有有机溶剂的显影剂形成负图案的图案形状,并提供化学放大型抗蚀剂组合物 并抗拒电影。 解决方案:图案形成方法包括以下步骤:(i)从化学放大型抗蚀剂组合物形成膜,其包含(A)由于极性增加而使含有有机溶剂的显影剂的溶解度降低的树脂 酸的作用,(B)暴露于光化学射线或辐射时产生酸的化合物,和(C)叔醇; (ii)曝光胶片; 和(iii)用含有机溶剂的显影剂显影。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT

    Pattern forming method and resist composition
    20.
    发明专利
    Pattern forming method and resist composition 有权
    图案形成方法和阻力组成

    公开(公告)号:JP2011215333A

    公开(公告)日:2011-10-27

    申请号:JP2010082701

    申请日:2010-03-31

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method for forming a pattern having a small number of development defects, and to provide a resist composition.SOLUTION: The pattern forming method includes (A) forming a film using the resist composition, (B) exposing the film, and (C) developing the exposed film using developing solution containing an organic solvent. The resist composition contains resin containing a repeating unit having a group that is decomposed by action of acid to generate an alcoholic hydroxy group, and a solvent containing at least one of the following component (S1) and component (S2). The component (S1) is propylene glycol monochrome alkyl ether carboxylate. The component (S2) is at least one selected from a group including propylene glycol monochrome alkyl ether, lactate, acetic acid ester, alkoxy propionic acid ester, chain ketone, cyclic ketone, lactone, and alkylene carbonate.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于形成具有少量显影缺陷的图案的图案形成方法,并提供抗蚀剂组合物。解决方案:图案形成方法包括(A)使用抗蚀剂组合物形成膜(B )曝光,和(C)使用含有机溶剂的显影溶液显影曝光的薄膜。 抗蚀剂组合物含有含有具有通过酸作用分解的基团的重复单元以产生醇羟基的树脂,和含有至少一种以下组分(S1)和组分(S2)的溶剂。 组分(S1)是丙二醇单烷基醚羧酸酯。 组分(S2)是选自丙二醇单烷基醚,乳酸,乙酸酯,烷氧基丙酸酯,链酮,环酮,内酯和碳酸亚烷基中的至少一种。

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