公开(公告)号：DE102013200215B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102013200215

申请日：2013-01-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GAMBINO JEFFREY P ,  ADKISSON JAMES W ,  CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L

IPC: H03H9/64 ,  H01L41/08 ,  H03H3/08

Abstract: Verfahren, aufweisend:Bilden mindestens eines akustischen Oberflächenwellenfilters (SAW-Filter), das eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat (12) gebildet sind, aufweisend:Bilden einer auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats festliegenden Elektrode (14) mit einer ersten Vielzahl von Fingern auf dem piezoelektrischen Substrat; undBilden einer beweglichen Elektrode (22) mit einer zweiten Vielzahl von Fingern über dem piezoelektrischen Substrat, wobei die bewegliche Elektrode funktionsfähig ist sich derart zu bewegen, dass die Finger der ersten und der zweiten Vielzahl in einem eingeschalteten Zustand des SAW-Filters miteinander auf der Oberfläche verzahnt sind, wobei sich die bewegliche Elektrode in einem ausgeschalteten Zustand des SAW-Filters über der Oberfläche befindet,wobei das Bilden des SAW-Filters ferner aufweist:Bilden einer ersten (16) Vielzahl von Betätigungselementen, wobei das Bilden der ersten Vielzahl von Betätigungselementen das Ätzen eines Grabens auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats und das Abscheiden eines Metalls oder einer Metalllegierung in dem Graben einschließt; undBilden einer zweiten (24) Vielzahl von Betätigungselementen, wobei sich die bewegliche Elektrode zwischen der ersten und der zweiten Vielzahl von Betätigungselementen bewegt, um Umschalten zwischen dem ausgeschalteten und eingeschalteten Zustand zu ermöglichen.

公开(公告)号：DE112010006130B3

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE112010006130

申请日：2010-08-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS L ,  STAMPER ANTHONY K ,  COSTA JULIO CARLOS ,  HAMMOND JONATHAN HALE

IPC: B81C1/00

Abstract: Verfahren zum Erzeugen einer MEMS-Struktur, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Ausführen eines Nass-Ätzprozesses zum Entfernen von Opfermaterial (32, 36), in dem ein Auslegerbalken (34) der MEMS-Struktur und eine mit einer Lage einer dünnen Opferschicht (44) bedeckte Metallschicht (28) eingebettet sind, wobei die MEMS-Struktur in einer Kuppelstruktur (38) ausgebildet ist, wobei die Lage der dünnen Opferschicht (44) eine zum Auslegerbalken (34) weisende Seite der Metallschicht (28) vollständig bedeckt, wobei der Auslegerbalken (34) durch das Opfermaterial (32, 36) von der Lage der dünnen Opferschicht (44) vollständig beanstandet ist, wobei die Lage der dünnen Opferschicht (44) beim Nass-Ätzprozess intakt bleibt; undnach dem Ausführen des Nass-Ätzprozesses Ausführen eines Trocken-Ätzprozesses zum Entfernen der Lage der dünnen Opferschicht (44) wobei der Nass-Ätzprozess und der Trocken-Ätzprozess durch Öffnungen (40) in der Kuppelstruktur (38) hindurch durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE112011102135B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  HE ZHONG-XIANG ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolatorschicht (24),Strukturieren zur Bildung einer Öffnung (28) mit Rändern (26a) des Resist (26), die eine darunter angeordnete Siliciumschicht (18) überlappen, welche als Opferschicht verwendet wird, um einen des mindestens einen Hohlraumes zu bilden, und wobei die Isolatorschicht derart geätzt wird, um einen bilderrahmenartige Rand (30) zu bilden, welcher die darunter angeordnete Siliciumschicht (18) umgibt, und Planarisieren der Isolatorschicht (24) mit der darunter angeordneten Siliciumschicht (18).

公开(公告)号：DE102017207777A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017207777

申请日：2017-05-09

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHONG-XIANG HE ,  JAFFE MARK ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/76

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung kann ein Transistorgate in einer Vorrichtungsschicht; eine Zwischenverbindungsschicht über der Vorrichtungsschicht; und einen Luftspalt umfassen, der sich durch die Zwischenverbindungsschicht erstreckt, um mit einer oberseitigen Oberfläche des Transistorgates in Kontakt zu treten. Der Luftspalt stellt einen Mechanismus zur Verringerung des Ein-Widerstands und der Aus-Kapazität für Anwendungen unter Verwendung von SOI-Substraten bereit, wie z. B. Radiofrequenzschalter.

公开(公告)号：DE102017207873B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102017207873

申请日：2017-05-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HE ZHONG-XIANG ,  JAFFE MARK D ,  WOLF RANDY L ,  JOSEPH ALVIN J ,  CUCCI BRETT T ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Luftspalts (188; 288; 388) für eine Halbleitervorrichtung (100; 200), wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer Luftspaltmaske (160), die einen Bereich einer Zwischenverbindungsschicht (104) über einer Vorrichtungsschicht (102) freilegt, wobei die Vorrichtungsschicht (102) ein Transistorgate (118) umfasst;Ätzen einer Öffnung (166) durch die Zwischenverbindungsschicht (104) unter Verwendung der Luftspaltmaske (160) über dem Transistorgate (118), wobei die Öffnung (166) Seitenwände (170) eines Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) freilegt;Entfernen der Luftspaltmaske (160);Ausnehmen der freiliegenden Seitenwände (170) des Dielektrikums der Zwischenverbindungsschicht (104) in der Öffnung (166) nach dem Entfernen der Luftspaltmaske (160); undBilden eines Luftspalts (188; 288; 388) über dem Transistorgate (118) durch Abscheiden einer Luftspaltdeckschicht (190) zum Verschließen der Öffnung (166) an einer Oberfläche der Zwischenverbindungsschicht (104).

公开(公告)号：DE112011102134B4

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE112011102134

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren zum Bilden eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), aufweisend: Bilden einer Verdrahtungsschicht aus mehreren Drähten (14) auf einem Substrat (10); Bilden und Strukturieren einer ersten Hohlraum-Opferschicht (18) über der Verdrahtungsschicht und dem Substrat (10); Bilden einer Isolatorschicht (24) über und neben der ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Durchführen eines reversen Damaszener-Rückätzverfahrens der Isolatorschicht (24) bis diese vollständig von der ersten Hohlraum-Opferschicht (18) entfernt ist; Planarisieren der verbleibenden Isolatorschicht (24) und der ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Abscheiden eines Isolatormaterials (34) auf der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Bilden einer Elektrode (38) über dem Isolatormaterial (34); Bilden eines zweiten Isolatormaterials (40) über der Elektrode (38) und frei liegenden Teilen des Isolatormaterials (34); Bilden einer zweiten Elektrode (44) über dem zweiten Isolatormaterial (40) und innerhalb von Durchkontaktierungen (42) im zweiten Isolatormaterial (40), um die Elektrode (38) zu kontaktieren; Bilden eines Grabens (48) in dem zweiten Isolatormaterial (40), so dass Teile der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18) frei gelegt werden; Bilden und Strukturiren einer zweiten Hohlraum-Opferschicht (50) über der zweiten Elektrode (44) und in Kontakt mit der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18) durch den Graben (48) hindurch; ...