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    VERBUND-LADUNGSPARTIKELSTRAHL-VORRICHTUNG
    11.
    发明专利
    VERBUND-LADUNGSPARTIKELSTRAHL-VORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102013102535A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：DE102013102535

    申请日：2013-03-13

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： MAN XIN ,  YAMAMOTO YO ,  UEMOTO ATSUSHI ,  ASAHATA TATSUYA

    IPC: H01J37/304 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225

    Abstract: Es ist eine Verbund-Ladungspartikelstrahl-Vorrichtung bereitgestellt, welche enthält: eine Elektronenstrahl-Säule zum Bestrahlen einer Probe mit einem Elektronenstrahl; eine Ionenstrahl-Säule zum Bestrahlen der Probe mit einem Ionenstrahl, um eine Ätz-Verarbeitung durchzuführen; einen Probenstufen-Antriebsabschnitt zum Bewegen einer Probenstufe in einer Bestrahlungs-Achsenrichtung des Elektronenstrahls; und einen Säulen-Einstellabschnitt zum derartigen Bewegen der Ionenstrahl-Säule in Relation zu einer Probenkammer, dass die Probe durch den Ionenstrahl an einer durch den Elektronenstrahl bestrahlten Position bestrahlt wird.

    Vorrichtung eines fokussierten Ionenstrahls und Verfahren zum Einstellen einer Ionenstrahl-Optik
    12.
    发明专利
    Vorrichtung eines fokussierten Ionenstrahls und Verfahren zum Einstellen einer Ionenstrahl-Optik 未知

    公开(公告)号：DE102013102657A1

    公开(公告)日：2013-09-19

    申请号：DE102013102657

    申请日：2013-03-15

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  ASAHATA TATSUYA ,  DOI TOSHIO ,  OBA HIROSHI

    IPC: H01J37/31 ,  H01J37/09

    Abstract: Es ist eine Vorrichtung eines fokussierten Ionenstrahls bereitgestellt, welche einen Steuerabschnitt enthält, welcher ausgelegt ist, um: zuvor in einer Kondensor-Spannung-Tabelle einen Berechnungswert einer Kondensor-Spannung zum Erlangen eines Referenz-Strahl-Stroms für alle aus einer Mehrzahl von Aperturen zu speichern; einen experimentellen Wert der Kondensor-Spannung zum Erlangen des Referenz-Strahl-Stroms für eine Referenz-Apertur zu erlangen; einen Korrekturwert der Kondensor-Spannung durch ein Subtrahieren des für die Referenz-Apertur gespeicherten Berechnungswerts vom experimentellen Wert für die Referenz-Apertur zu erlangen; Einsetzwerte der Kondensor-Spannung durch ein Addieren des Korrekturwerts mit den Berechnungswerten, welche für jede der Mehrzahl von Aperturen gespeichert sind, zu erlangen; und den erlangten Einsetzwert in der Kondensor-Spannung-Tabelle zu speichern.

    GERÄT MIT FOKUSSIERTEM IONENSTRAHL
    13.
    发明专利
    GERÄT MIT FOKUSSIERTEM IONENSTRAHL 未知

    公开(公告)号：DE102020211903A1

    公开(公告)日：2021-03-25

    申请号：DE102020211903

    申请日：2020-09-23

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： ISHII HARUYUKI ,  UEMOTO ATSUSHI ,  ASAHATA TATSUYA

    IPC: H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

    Abstract: Bereitgestellt wird ein Gerät mit fokussiertem Ionenstrahl, welches in der Lage ist, jede einer Vielzahl von Bestrahlungspositionen eines fokussierten Ionenstrahls automatisch und exakt auf eine euzentrische Höhe einzustellen. Das Gerät mit fokussiertem Ionenstrahl (100) umfasst: eine Elektronenstrahlsäule (10); eine fokussierte Ionenstrahlsäule (20); eine Probenplattform (50) , welche um eine Neigungsachse (TA) neigbar und in einer Höhenrichtung beweglich ist; eine Koordinatenerfassungseinheit (6A), welche dafür ausgelegt ist, um, wenn eine Vielzahl von Bestrahlungspositionen (P1 bis P3), auf welche der fokussierte Ionenstrahl aufzubringen ist, auf der Probe (200) gekennzeichnet ist, Flächenkoordinaten jeder der Vielzahl von Bestrahlungspositionen zu erlangen; eine Bewegungsbetragberechnungseinheit (6B), welche dafür ausgelegt ist, um auf der Grundlage der Flächenkoordinaten einen Bewegungsbetrag zu berechnen, um welchen die Probenplattform auf eine euzentrische Höhe (Zs) zu bewegen ist, so dass die euzentrische Höhe (Zs) mit einer Schnittposition übereinstimmt, an welcher der Elektronenstrahl und der fokussierte Ionenstrahl an jeder der Vielzahl von Bestrahlungspositionen miteinander übereinstimmen; und eine Probenplattformbewegungssteuereinheit (6C), welche dafür ausgelegt ist, um die Probenplattform auf der Grundlage des Bewegungsbetrags auf die euzentrische Höhe (Zs) an jeder der Vielzahl von Bestrahlungspositionen zu bewegen.

    TEILCHENSTRAHL-BESTRAHLUNGSVORRICHTUNG
    14.
    发明专利
    TEILCHENSTRAHL-BESTRAHLUNGSVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102020211688A1

    公开(公告)日：2021-03-25

    申请号：DE102020211688

    申请日：2020-09-17

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： ASO TAKUMA ,  MAN XIN ,  SATO MAKOTO ,  ASAHATA TATSUYA

    IPC: G01N23/2206 ,  H01J37/26

    Abstract: Vorgesehen ist eine Teilchenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung, mit der auch bei Beobachtungen mit mehreren Erfassern eine Zeitspanne verkürzt werden kann, die für Helligkeitseinstellungen der mehreren Erfasser benötigt wird. Die Teilchenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung umfasst: eine Bestrahlungseinheit, eine erste Erfassungseinheit; eine zweite Erfassungseinheit; eine Bilderzeugungseinheit; und eine Steuereinheit, die konfiguriert ist, um eine Helligkeit eines ersten Bereichs in einem gebildeten ersten Beobachtungsbild zu berechnen und eine Helligkeitseinstellung der ersten Erfassungseinheit auf der Grundlage einer ersten Zielhelligkeit als eine erste Helligkeitseinstellung durchzuführen, wenn die Helligkeit des ersten Bereichs von der ersten Zielhelligkeit verschieden ist, und um eine Helligkeit eines zweiten Bereichs in dem gebildeten zweiten Beobachtungsbild zu berechnen und eine Helligkeitseinstellung der zweiten Erfassungseinheit auf der Grundlage einer zweiten Zielhelligkeit als eine zweite Helligkeitseinstellung durchzuführen, wenn die Helligkeit des zweiten Bereichs von der zweiten Zielhelligkeit verschieden ist.

    Vorrichtung zum Aussenden eines Strahls geladener Teilchen
    15.
    发明专利
    Vorrichtung zum Aussenden eines Strahls geladener Teilchen 未知

    公开(公告)号：DE102018128718A1

    公开(公告)日：2019-05-23

    申请号：DE102018128718

    申请日：2018-11-15

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： TOMIMATSU SATOSHI ,  ASAHATA TATSUYA ,  SATO MAKOTO ,  SUZUKI MASATO

    IPC: H01J37/20

    Abstract: (Aufgabe) Einen Vorgang der Entnahme eines Probenstücks, das geformt wird, indem eine Probe mit einem lonenstrahl bearbeitet wird, und des Übertragens des entnommenen Probenstücks auf einen Probenstückhalter wiederholt durchzuführen.(Mittel zum Lösen der Aufgabe) Eine Vorrichtung zum Aussenden eines Strahls geladener Teilchen umfasst einen Computer, der, nachdem eine Nadel das Probenstück hält, einen Formungsbearbeitungsbereich einstellt, der in einer Dickenrichtung des Probenstücks, die einer Tiefenrichtung zu dem Zeitpunkt des Bearbeitens eines Probenstücks entspricht, einen unteren Abschnitt des Probenstücks umfasst, und ein optisches FIB-Bestrahlungssystem steuert, um den Formungsbearbeitungsbereich mit einem fokussierten lonenstrahl zu bestrahlen, um hierdurch das Probenstück zu formen.

    Querschnittbearbeitungs- und -beobachtungsverfahren und Querschnitbearbeitungs- und -beobachtungsvorrichtung
    16.
    发明专利
    Querschnittbearbeitungs- und -beobachtungsverfahren und Querschnitbearbeitungs- und -beobachtungsvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102013112492A1

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE102013112492

    申请日：2013-11-13

    Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

    Inventor： UEMOTO ATSUSHI ,  MAN XIN ,  ASAHATA TATSUYA

    IPC: G01N23/22 ,  G01N23/225 ,  H01J37/20

    Abstract: Querschnittbearbeitungs- und -beobachtungsverfahren, das durch eine Querschnittbearbeitungs- und -beobachtungsvorrichtung durchgeführt wird, wobei das Verfahren umfasst: einen Querschnittbearbeitungsschritt zum Ausbilden eines Querschnitts durch Bestrahlen einer Probe mit einem Ionenstrahl; einen Querschnittbeobachtungsschritt zum Erhalten eines Beobachtungsbilds des Querschnitts durch Bestrahlen des Querschnitts mit einem Elektronenstrahl; und Wiederholen des Querschnittbearbeitungsschritts und des Querschnittbeobachtungsschritts, um Beobachtungsbilder einer Vielzahl von Querschnitten zu erhalten, wobei in einem Fall, in dem eine energiedispersive Röntgenspektrometrie-(EDS)-Messung des Querschnitts erfolgt und ein Röntgenstrahl eines spezifizierten Materials erfasst wird, eine Bestrahlungsbedingung des Ionenstrahls verändert wird, um Beobachtungsbilder einer Vielzahl von Querschnitten des spezifizierten Materials zu erhalten, und die Querschnittbearbeitung und -beobachtung des spezifizierten Materials durchgeführt wird.

    AUTOMATED SAMPLE-PREPARATION DEVICE
    17.
    发明公开
    AUTOMATED SAMPLE-PREPARATION DEVICE 审中-公开
    AUTOMATISIERTE PROBENVORBEREITUNGSVORRICHTUNG

    公开(公告)号：EP3163283A1

    公开(公告)日：2017-05-03

    申请号：EP15815501

    申请日：2015-06-29

    Applicant: HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORP

    Inventor： UEMOTO ATSUSHI ,  ASAHATA TATSUYA ,  SATO MAKOTO ,  YAMAMOTO YO

    IPC: G01N1/28 ,  H01J37/31 ,  H01J37/317

    CPC classification number: G01N1/44 ,  G01N1/28 ,  H01J37/31 ,  H01J37/317

    Abstract: A charged particle beam device (10a) includes a computer (21) which controls multiple charged particle beam irradiation optical systems, the needle (18), and a gas supply portion (17) to transfer a sample piece Q to a predetermined position of the sample piece holder P, based on at least images of a sample piece holder (P), a needle (18), and the sample piece (Q) previously acquired by multiple charged particle beams.

    Abstract translation: 本发明的带电粒子束装置（10a）具备控制多个带电粒子束照射光学系统的计算机（21），针（18）和气体供给部（17），将样本片Q移送到 样品片保持器P，至少基于由多个带电粒子束预先获得的样品片保持器（P），针（18）和样品片（Q）的图像。

    Composite charged particle beam device, and thin sample processing method
    20.
    发明专利
    Composite charged particle beam device, and thin sample processing method 有权
    复合充电颗粒束装置，以及薄型加工方法

    公开(公告)号：JP2014063726A

    公开(公告)日：2014-04-10

    申请号：JP2013174802

    申请日：2013-08-26

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： TORIKAWA SHOTA ,  ASAHATA TATSUYA ,  SUZUKI HIDEKAZU

    IPC: H01J37/317 ,  G01N1/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28

    CPC classification number: H01J37/3005 ,  H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a curtain effect accompanying a finishing processing and acquire a less-striped observation image formed by ion beam processing, even when thinning a sample having a structure such as a semiconductor device.SOLUTION: A composite charged particle beam device comprises: an FIB (Focused Ion Beam) lens barrel 1 irradiating a thin sample 7 with an FIB 1b; a GIB (Gas Ion Beam) lens barrel 3 irradiating with a GIB 3b; a sample table 5 for mounting the thin sample 7; first inclination means inclining the thin sample 7 around a first inclination axis 8a of the sample table 5 that exists in a plane of a first surface 21 orthogonal to an FIB irradiation axis 1a and formed by the FIB irradiation axis 1a and a GIB irradiation axis 3a; and second inclination means inclining the thin sample 7 around an axis orthogonal to the FIB irradiation axis 1a and the first inclination axis 8a.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了抑制伴随精加工的帘式效果，并且即使在使具有半导体装置的结构的样品变薄时，也能获得由离子束处理形成的较小条纹的观察图像。解决方案：复合带电粒子束装置 包括：用FIB 1b照射薄样品7的FIB（聚焦离子束）镜筒1; 用GIB 3b照射的GIB（气体离子束）镜筒3; 用于安装薄样品7的样品台5; 第一倾斜装置使薄样品7围绕存在于与FIB照射轴1a正交并由FIB照射轴1a形成的第一表面21的平面中的样品台5的第一倾斜轴8a和GIB照射轴3a ; 并且第二倾斜装置使薄样品7围绕与FIB照射轴线1a和第一倾斜轴线8a正交的轴线倾斜。

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