公开(公告)号：DE102012213649A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213649

申请日：2012-08-02

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  LIU XIAO HU ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Ein Ablösungsverfahren umfasst das Aufbringen einer Stressorschicht auf die Oberfläche eines Basissubstrats und das Kontaktieren der Stressorschicht mit einer planaren Übertragungsoberfläche. Die planare Übertragungsoberfläche wird anschließend entlang einer Ebene bewegt, die parallel zu der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist und gegenüber dieser einen vertikalen Versatz aufweist. Die planare Übertragungsoberfläche wird in einer Richtung von einem ersten Rand des Basissubstrats zu einem gegenüberliegenden zweiten Rand des Basissubstrats bewegt, um das Basissubstrat zu spalten und einen abgelösten Teil des Basissubstrats auf die planare Übertragungsoberfläche zu übertragen. Der vertikale Versatz zwischen der Ebene, entlang der die planare Übertragungsoberfläche bewegt wird, und der oberen Oberfläche des Basissubstrats ist ein feststehender Abstand. Der feststehende Abstand des vertikalen Versatzes sorgt für eine einheitliche Ablösekraft. Ein Ablösungsverfahren, das eine Übertragungswalze enthält, wird ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102012210227A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012210227

申请日：2012-06-18

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um den randbezogenen Substratbruch beim Abblättern mithilfe eines Randausschlussbereichs zu minimieren, wo die spannungserzeugende Schicht entweder nicht vorhanden ist (bei der Beschichtung ausgeschlossen oder danach entfernt wurde) oder zwar vorhanden ist, aber im Ausschlussbereich nicht erheblich an der Substratfläche haftet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Formen eines Randausschlussmaterials auf einer Oberseite und in der Nähe eines Rands eines Grundsubstrats. Eine spannungserzeugende Schicht wird dann auf freiliegenden Abschnitten der Oberseite des Grundsubstrats und über dem Randausschlussmaterial geformt. Dann wird ein Teil des Grundsubstrats, der unter der spannungserzeugenden Schicht liegt und nicht vom Randausschlussmaterial bedeckt wird, abgeblättert.

公开(公告)号：CA2783380A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783380

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102013209513A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Abtrennen lokaler Gebiete eines Basissubstrats unter Verwendung von wenigstens einem Teilbereich einer Stressorschicht, der sich auf einem Teilbereich einer obersten Oberfläche eines Basissubstrats befindet, jedoch nicht auf der gesamten. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Basissubstrats mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche, die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats hinweg erstreckt. Wenigstens ein Teilbereich der Stressorschicht, der eine Form aufweist, wird auf wenigstens einem Teilbereich der obersten Oberfläche des Basissubstrats gebildet, jedoch nicht auf der gesamten. Es wird ein Abtrennen durchgeführt, das einen Teilbereich einer Materialschicht von dem Basissubstrat entfernt und einen verbleibenden Teilbereich des Basissubstrats bereitstellt. Der Teilbereich der Materialschicht weist die Form des wenigstens einen Teilbereichs der Stressorschicht auf, während der verbleibende Teilbereich des Basissubstrats wenigstens eine darin befindliche Öffnung aufweist, die mit der Form der wenigstens einen Stressorschicht korreliert.

公开(公告)号：GB2491739A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：GB201214867

申请日：2011-01-19

Applicant: IBM

Inventor： GRUBER PETER ,  LAURO PAUL A ,  NAH JAE-WOONG

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

Abstract: A substrate comprising a plurality of wet-able pads formed on a surface of the substrate; and a solder resist layer deposited on the surface of the substrate is obtained. At least the solder resist layer is formed with recessed regions defining volumes adjacent the wet-able pads. Molten solder is directly injected into the volumes adjacent the wet-able pads, such that the volumes adjacent the wet-able pads are filled with solder and the solder solidifies forming a plurality of solder structures adhered to the wet-able pads. The substrate and the solder are re-heated after the solidification, to re-flow the solder into generally spherical balls extending above the outer surface of the solder resist layer. In an alternative approach, solder injection and solidification are carried out in a nitrogen environment or a forming gas environment, and the reflow step may be omitted.

公开(公告)号：DE60329857D1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：DE60329857

申请日：2003-05-13

Applicant: IBM

Inventor： HOUGHAM GARETH G ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  ZINTER JOSEPH

IPC: H05K1/00 ,  H01R13/24 ,  H01R43/00 ,  H05K3/40 ,  H05K3/42 ,  H05K7/10

Abstract: Methods for fabricating Land Grid Array (LGA) interposer contacts that are both conducting and elastic. Also provided are LGA interposer contacts as produced by the inventive methods. Provided is LGA type which utilizes a pure unfilled elastomer button core that is covered with an electrically-conductive material that is continuous from the top surface to the bottom surface of the button structure. In order to obviate the disadvantages and drawbacks which are presently encountered in the technology pertaining to the fabrication and structure of land grid arrays using electrically-conductive interposer contacts, there is provided both methods and structure for molding elastomer buttons into premetallized LGA carrier sheets, and wherein the non-conductive elastomer buttons are surface-metallized in order to convert them into conductive electrical contacts.

公开(公告)号：GB2490606B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：GB201208994

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: A method for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes forming a metal layer on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot; and removing the layer from the ingot at the fracture. A system for spalling a layer from an ingot of a semiconductor substrate includes a metal layer formed on the ingot of the semiconductor substrate, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the ingot, and wherein the layer is configured to be removed from the ingot at the fracture.

公开(公告)号：DE102012209708A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat. Die Zugspannungsschicht weist einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Substrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil auf, der nahe dem Rand jeder Seitenwand des Basissubstrats angeordnet ist. Dann wird oberhalb des Zugspannungsschichtteils des Basissubstrats ein Abspalthemmer aufgebracht und anschließend der selbsthaftende Zugspannungsschichtteil der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil getrennt. Dann wird ein Teil des Basissubstrats, der sich unterhalb des Zugspannungsschichtteils befindet, von dem ursprünglichen Basissubstrat abgespalten. Das Abspalten beinhaltet das Verschieben des Abspalthemmers von der Oberseite des Zugspannungsschichtteils. Nach dem Abspalten wird der Zugspannungsschichtteil von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats entfernt.

公开(公告)号：DE112011100105T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112011100105

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH ,  LAURO PAUL A ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: Ein Verfahren zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet Ausbilden einer Metallschicht auf dem Block des Halbleitersubstrats, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird; und Entfernen der Schicht von dem Block an dem Bruch. Ein System zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet eine Metallschicht, die auf dem Block des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird, und wobei die Schicht so eingerichtet ist, dass sie an dem Bruch von dem Block entfernt wird.

公开(公告)号：AT447248T

公开(公告)日：2009-11-15

申请号：AT03726799

申请日：2003-05-13

Applicant: IBM

Inventor： HOUGHAM GARETH G ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  ZINTER JOSEPH

IPC: H01R13/24 ,  H01R43/00 ,  H05K3/40 ,  H05K3/42 ,  H05K7/10

Abstract: Methods for fabricating Land Grid Array (LGA) interposer contacts that are both conducting and elastic. Also provided are LGA interposer contacts as produced by the inventive methods. Provided is LGA type which utilizes a pure unfilled elastomer button core that is covered with an electrically-conductive material that is continuous from the top surface to the bottom surface of the button structure. In order to obviate the disadvantages and drawbacks which are presently encountered in the technology pertaining to the fabrication and structure of land grid arrays using electrically-conductive interposer contacts, there is provided both methods and structure for molding elastomer buttons into premetallized LGA carrier sheets, and wherein the non-conductive elastomer buttons are surface-metallized in order to convert them into conductive electrical contacts.