公开(公告)号：DE102016120778A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016120778

申请日：2016-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HABLE WOLFRAM ,  HOEGERL JÜRGEN ,  GRASSMANN ANDREAS ,  LEDUTKE MICHAEL ,  KNAUER EDUARD

IPC: H01L23/057 ,  H01L21/52 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Baugruppe (100) mit mindestens einem elektronischen Chip (102), einem Verkapselungsstoff (108), der zumindest einen Teil des mindestens einen elektronischen Chips (102) verkapselt, eine erste elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (118), die sich teilweise innerhalb und teilweise außerhalb des Verkapselungsstoffs (108) erstreckt und die mit mindestens einem ersten Anschluss von mindestens einem von dem mindestens einen elektronischen Chip (102) elektrisch gekoppelt ist, und eine zweite elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (119), die sich teilweise innerhalb und teilweise außerhalb des Verkapselungsstoffs (108) erstreckt und die mit mindestens einem zweiten Anschluss von mindestens einem von dem mindestens einen elektronischen Chip (102) elektrisch gekoppelt ist, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (118) und zumindest ein Abschnitt der zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (119) innerhalb des Verkapselungsstoffs (108) in einer Richtung zwischen zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Baugruppe (100) beabstandet sind.

公开(公告)号：DE102016117843A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117843

申请日：2016-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSMANN ANDREAS ,  HOEGERL JÜRGEN ,  NIKITIN IVAN ,  HABLE WOLFRAM ,  STRASS ACHIM

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433

Abstract: Eine Packung (100), die mindestens einen elektronischen Chip (102), ein Kapselungsmittel (104), das mindestens einen Teil des mindestens einen elektronischen Chips (102) einkapselt, und eine Abschirmschicht (106) auf mindestens einem Teil einer Außenoberfläche des Kapselungsmittels (104), die dazu konfiguriert ist, einen Innenbereich der Packung (100) in Bezug auf Kühlfluid zum Abführen von Wärmeenergie von dem mindestens einen elektronischen Chip (102) abzuschirmen, umfasst.

公开(公告)号：DE102015103849A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE102015103849

申请日：2015-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEITNER OTTMAR ,  GRASSMANN ANDREAS ,  HABLE WOLFRAM ,  NEUGIRG CHRISTIAN ,  SCHWARZ ALEXANDER ,  WINTER FRANK ,  YOO INPIL

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/46

Abstract: Ein elektronisches Modul wird bereitgestellt, das einen ersten Carrier umfasst; einen elektronischen Chip, der mindestens eine elektronische Komponente umfasst und auf dem ersten Carrier angeordnet ist; ein eine Oberfläche umfassendes Spacerelement, das auf dem elektronischen Chip angeordnet und in wärmeleitfähiger Verbindung mit der mindestens einen elektronischen Komponente ist; einen zweiten Carrier, der auf dem Spacerelement angeordnet ist; und eine Formmasse, die den elektronischen Chip und das Spacerelement mindestens teilweise einschließt; wobei das Spacerelement ein Material mit einem CTE-Wert umfasst, der mit mindestens einem anderen CTE abgeglichen ist.

公开(公告)号：DE10326508A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：DE10326508

申请日：2003-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSMANN ANDREAS

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304

Abstract: Semiconductor circuit arrangement comprises a thin carrier substrate (1A, B, I) containing semiconductor components (D, G, S), a galvanic seed layer (SL) formed partially on the upper surface of the carrier substrate, a galvanic filler material (GF) galvanically formed on the surface of the seed layer and a material (TK) resistant to shearing stress and formed on the surface of the carrier substrate not covered by seed layer up to the height of the filler material. An independent claim is also included for a process for the production of the semiconductor circuit arrangement.

公开(公告)号：DE102019109209A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019109209

申请日：2019-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  GRASSMANN ANDREAS

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/473

Abstract: In einigen Beispielen umfasst eine Vorrichtung einen High-Side-Schalter, ein erstes High-Side-Leiterelement, das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss des High-Side-Schalters verbunden ist und ein zweites High-Side-Leiterelement, das elektrisch mit einem zweiten Lastanschluss des High-Side-Schalters verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst auch eine Schicht aus Kühlmaterial, die den High-Side-Schalter, das erste High-Side-Leiterelement und das zweite High-Side-Leiterelement einkapselt. Die Vorrichtung umfasst ferner einen Low-Side-Schalter, ein erstes Low-Side-Leiterelement, das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss des Low-Side-Schalters verbunden ist und ein zweites Low-Side-Leiterelement, das elektrisch mit einem zweiten Lastanschluss des Low-Side-Schalters verbunden ist. Die Schicht aus Kühlmaterial kapselt den Low-Side-Schalter, das erste Low-Side-Leitelement und das zweite Low-Side-Leiterelement ein.

公开(公告)号：DE102014107743B4

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102014107743

申请日：2014-06-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEITNER OTTMAR ,  HABLE WOLFRAM ,  GRASSMANN ANDREAS ,  WINTER FRANK ,  NEUGIRG CHRISTIAN ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/54 ,  H01L23/16 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls, das zwei Substrate aufweist, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Aufbringen einer Kompensationsschicht mit einer ersten Dicke über einem ersten Substrat;• Aufbringen eines zweiten Substrats über der Kompensationsschicht; und• Reduzieren der Dicke der Kompensationsschicht von der ersten Dicke auf eine zweite Dicke, nachdem das zweite Substrat auf der Kompensationsschicht aufgebracht worden ist; wobei• während der Herstellung das Leistungsmodul in einer Montagestruktur angeordnet oder aufgebracht ist, die eine untere Werkstück haltende Struktur und eine Deckelstruktur aufweist, wobei an der unteren, Werkstück haltenden Struktur ein Höhe einstellender Abstandshalter angeordnet ist, der während des Herstellungs- oder Montageprozesses des Moduls als ein Anschlag verwendet werden kann; und• wobei das erste Substrat und das zweite Substrat jeweils ein Substrat aus der aus Folgenden bestehenden Gruppe aufweist: ein Direct Copper Bonding Substrat oder ein Direct Aluminium Bonding Substrat.

公开(公告)号：DE102016103788A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102016103788

申请日：2016-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSMANN ANDREAS ,  YOO INPIL

IPC: H01L23/46

Abstract: Eine Kühlvorrichtung weist einen Halbleiterchip, der von einer Formmasse eingekapselt ist, eine Mehrzahl von Anschlüssen, die mit dem Halbleiterchip elektrisch verbunden sind und aus der Formmasse hervorstehen, und eine erste Kühlplatte auf, die mindestens teilweise von der Formmasse nicht abgedeckt ist. Jedes Modul weist einen Halbleiterchip, der von einer Formmasse eingekapselt ist, eine Mehrzahl von Anschlüssen, die mit dem Halbleiterchip elektrisch verbunden sind und aus der Formmasse hervorstehen, und eine erste Kühlplatte auf, die von der Formmasse mindestens teilweise nicht abgedeckt ist. Das Kunststoffgehäuse umgibt die Peripherie jedes Moduls umgibt, um ein Mehrchipmodul zu bilden. Das Kunststoffgehäuse weist ein erstes singuläres Kunststoffteil, das die Module aufnimmt, und ein zweites singuläres Kunststoffteil auf, das an einer Peripherie des ersten Kunststoffteils befestigt ist. Das zweite Kunststoffteil weist Ausschnitte, die die ersten Kühlplatten freilegen, und eine Abdichtstruktur auf, die ein Dichtungsmaterial enthält, das eine wasserdichte Dichtung um die Peripherie jedes Moduls auf einer Seite der Module mit den ersten Kühlplatten bildet.

公开(公告)号：DE102014113694A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：DE102014113694

申请日：2014-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEITNER OTTMAR ,  GRASSMANN ANDREAS ,  HABLE WOLFRAM ,  HERBRANDT ALEXANDER ,  SCHWARZ ALEXANDER ,  WINTER FRANK

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/15 ,  H05K7/20

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Substrat (100A) bereitgestellt. Das Substrat (100A) kann Folgendes aufweisen: einen Keramikträger (102) mit einer ersten Seite (112) und einer der ersten Seite (112) entgegengesetzten zweiten Seite (114), eine erste Metallschicht (104), die über der ersten Seite (112) des Keramikträgers (102) angeordnet ist, eine zweite Metallschicht (106), die über der zweiten Seite (114) des Keramikträgers (102) angeordnet ist, und eine in oder über der zweiten Metallschicht (106) gebildete Kühlstruktur (110).

公开(公告)号：DE102012207470B3

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102012207470

申请日：2012-05-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  GRASSMANN ANDREAS

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitermodulanordnung (30). Hierbei wird ein Halbleitermodul (10) bereitgestellt, das ein Gehäuse (15) aufweist, sowie eine erste Seite (11) und eine der ersten Seite (11) entgegengesetzte zweite Seite (12). Die erste Seite (11) und die zweite Seite (12) bilden einander entgegengesetzte Außenseiten des Halbleitermoduls (10). Ebenfalls bereitgestellt wird ein Kühlkörper (20) mit einer Aussparung (23), die durch eine erste Wärmekontaktfläche (21) und eine zweite Wärmekontaktfläche (22) des Kühlkörpers (20) begrenzt ist. Die Aussparung (23) besitzt ein Untermaß, so dass das Halbleitermodul (10) nicht in die Aussparung (23) eingesetzt werden kann. Durch Erhitzen des Kühlkörpers (20) wird die Aussparung (23) vergrößert, so dass das Halbleitermodul (10) in die vergrößerte Aussparung (23) eingesetzt werden kann, was derart erfolgt, dass die erste Seite (11) der ersten Wärmekontaktfläche (21) und die zweite Seite (12) der zweiten Wärmekontaktfläche (22) zugewandt ist. Nach dem Einsetzen des Halbleitermoduls (10) wird der Kühlkörper (20) abgekühlt, wodurch sich die Aussparung (23) verkleinert und ein Verbund zwischen dem Halbleitermodul (10) und dem Kühlkörper (20) entsteht.

公开(公告)号：DE59912166D1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：DE59912166

申请日：1999-09-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSMANN ANDREAS ,  FRIEDRICH CHRISTOPH ,  GRIESINGER UWE ,  PFORR RAINER ,  WIDMANN DIETRICH

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20

Abstract: The invention relates to a phase shift mask for lithographically producing small structures at the limit of a resolution that is predetermined by the wavelength of the exposure radiation. The phase shift mask has first regions A and second regions B that effect a phase-shift relative to the first regions. The second regions are arranged beside the first regions for producing a sudden phase shift along the boundaries between the first and the second regions. Individual first regions touch one another via corners at points, at which the second regions also touch one another via corners. The result is that the boundaries between first and second regions merge at these points and these points are opaque to the radiation. The invention makes it possible to expose extremely small contact holes with just a single exposure and thus leads to a reduction of costs in the fabrication of integrated semiconductor circuits.