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    Elektronikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明专利
    Elektronikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014019902B3

    公开(公告)日：2021-01-28

    申请号：DE102014019902

    申请日：2014-08-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WINTER FRANK ,  GEITNER OTTMAR ,  NIKITIN IVAN ,  HÖGERL JÜRGEN

    IPC: H01L23/28 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

    Abstract: Ein Elektronikmodul (100, 110, 120), das Folgendes aufweist:einen Elektronikchip, der zumindest ein Elektronikbauteil aufweist;zumindest eine äußere Wärmeleitschicht an einer Hauptoberfläche des Elektronikmoduls (100, 110, 120);ein thermisch leitfähiges Beabstandungselement (103, 200, 210, 220), das zwischen dem Elektronikchip und der zumindest einen äußeren Wärmeleitschicht angeordnet ist, wobei das Beabstandungselement (103, 200, 210, 220) in thermisch leitfähiger Verbindung mit dem zumindest einen Elektronikbauteil und der zumindest einen äußeren Wärmeleitschicht steht;eine Formmasse (108), die den Elektronikchip und das Beabstandungselement (103, 200, 210, 220) zumindest zum Teil umschließt;wobei das Beabstandungselement (103, 200, 210, 220) eine seitliche Oberfläche (106) aufweist, die mit der Formmasse (108) in Eingriff steht und zumindest eine dreidimensionale Oberflächenstruktur (107) aufweist undwobei das Beabstandungselement (103, 200, 210, 220) einen Nivellierungseffekt erfüllt.

    Halbleitermodul
    3.
    发明专利
    Halbleitermodul 未知

    公开(公告)号：DE102009015722B4

    公开(公告)日：2020-07-09

    申请号：DE102009015722

    申请日：2009-03-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KROENINGER WERNER ,  SCHWAIGER JOSEF ,  SCHNEIDER LUDWIG ,  GEITNER OTTMAR ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  MEYER THORSTEN ,  OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  STRACK HELMUT ,  SCHLOEGEL XAVER

    IPC: H01L21/77 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, mit den folgenden Schritten:Platzieren von mindestens zwei Halbleiterchips (3) auf einem Träger (1);Überdecken der mindestens zwei Halbleiterchips (3) mit einem Vergussmaterial (7), um einen vergossenen Körper (70) zu bilden;Dünnen des vergossenen Körpers (70), wodurch eine erste Hauptoberfläche der mindestens zwei Halbleiterchips (3) freigelegt wird;Ausbilden je einer Kontaktstelle (9) auf der freigelegten Hauptoberfläche der mindestens zwei Halbleiterchips (3) nach dem Dünnen;Aufbringen einer ersten Schicht (13, 19) aus leitfähigem Material über der ersten Hauptoberfläche der mindestens zwei Halbleiterchips (3) nach dem Ausbilden je einer Kontaktstelle (9), wobei die erste Schicht (13, 19) aus leitfähigem Material elektrisch mit der Kontaktstelle (9) an jedem der mindestens zwei Halbleiterchips (3) verbunden ist;Entfernen des Trägers (1) von den mindestens zwei Halbleiterchips (3); undZertrennen des vergossenen Körpers (70) derart, dass die mindestens zwei Halbleiterchips (3) vereinzelt werden, wobei die Halbleiterchips (3) Leistungshalbleiterchips sind.

    Elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Fertigung
    5.
    发明专利
    Elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Fertigung 未知

    公开(公告)号：DE102015103849B4

    公开(公告)日：2021-07-01

    申请号：DE102015103849

    申请日：2015-03-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GEITNER OTTMAR ,  GRASSMANN ANDREAS ,  HABLE WOLFRAM ,  NEUGIRG CHRISTIAN ,  SCHWARZ ALEXANDER ,  WINTER FRANK ,  YOO INPIL

    IPC: H01L23/36 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/46

    Abstract: Elektronisches Modul, das Folgendes aufweist:einen ersten Carrier;einen elektronischen Chip, der mindestens eine elektronische Komponente aufweist und auf dem ersten Carrier angeordnet ist;ein Spacerelement, das auf dem elektronischen Chip angeordnet und in wärmeleitfähiger Verbindung mit der mindestens einen elektronischen Komponente ist;einen zweiten Carrier, der auf dem Spacerelement angeordnet ist; undeine Formmasse, die den elektronischen Chip und das Spacerelement mindestens teilweise einschließt;wobei das Spacerelement ein Material mit einem Wert eines Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist,der mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Formmasse abgeglichen ist undder mit mindestens einem Wärmeausdehnungskoeffizienten abgeglichen ist, der aus der Gruppe von Wärmeausdehnungskoeffizienten ausgewählt ist, die aus Folgendem besteht:einem Wärmeausdehnungskoeffizienten des ersten Carriers,einem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zweiten Carriers undeinem Wärmeausdehnungskoeffizienten des elektronischen Chips;wobei der Wärmeausdehnungskoeffizient des Spacermaterials im Bereich von 7 ppm/K und 15 ppm/K ist.

    Chip-Gehäuse
    6.
    发明专利
    Chip-Gehäuse 未知

    公开(公告)号：DE102013108075B4

    公开(公告)日：2021-01-28

    申请号：DE102013108075

    申请日：2013-07-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER MICHAEL ,  GEITNER OTTMAR ,  HARTNER WALTER ,  STÜCKJÜRGEN ANDREAS ,  WACHTER ULRICH ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

    Abstract: Chip-Gehäuse (210), aufweisend:einen Chip (102), der zumindest ein auf einer Chip-Vorderseite (106) gebildetes Kontaktpad (104) aufweist,wobei der Chip (102) eine Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) auf einer Chip-Rückseite (122) aufweist;ein Vergussmaterial (108), das den Chip (102) zumindest teilweise umgibt und das zumindest eine Kontaktpad (104) bedeckt; undzumindest eine durch das Vergussmaterial (108) hindurch gebildete elektrische Verbindung (112),wobei die zumindest eine elektrische Verbindung (112) eingerichtet ist, das zumindest eine Kontaktpad (104) von einer ersten Seite (114) des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Vorderseite (106) zu zumindest einer, über einer zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210) gebildeten ersten Lötstruktur (116) elektrisch umzuleiten, wobei die zweite Seite des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Rückseite gebildet ist;ferner aufweisend zumindest zwei weitere Lötstrukturen (244) über der Chip-Rückseite (122) auf der zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210), wobei die Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) die zumindest zwei weiteren Lötstrukturen (244) elektrisch miteinander verbindet.

    Leistungsmodul, das zwei Substrate aufweist, und Verfahren zu seiner Herstellung
    8.
    发明专利
    Leistungsmodul, das zwei Substrate aufweist, und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014107743B4

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：DE102014107743

    申请日：2014-06-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GEITNER OTTMAR ,  HABLE WOLFRAM ,  GRASSMANN ANDREAS ,  WINTER FRANK ,  NEUGIRG CHRISTIAN ,  NIKITIN IVAN

    IPC: H01L21/54 ,  H01L23/16 ,  H01L25/07

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls, das zwei Substrate aufweist, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:• Aufbringen einer Kompensationsschicht mit einer ersten Dicke über einem ersten Substrat;• Aufbringen eines zweiten Substrats über der Kompensationsschicht; und• Reduzieren der Dicke der Kompensationsschicht von der ersten Dicke auf eine zweite Dicke, nachdem das zweite Substrat auf der Kompensationsschicht aufgebracht worden ist; wobei• während der Herstellung das Leistungsmodul in einer Montagestruktur angeordnet oder aufgebracht ist, die eine untere Werkstück haltende Struktur und eine Deckelstruktur aufweist, wobei an der unteren, Werkstück haltenden Struktur ein Höhe einstellender Abstandshalter angeordnet ist, der während des Herstellungs- oder Montageprozesses des Moduls als ein Anschlag verwendet werden kann; und• wobei das erste Substrat und das zweite Substrat jeweils ein Substrat aus der aus Folgenden bestehenden Gruppe aufweist: ein Direct Copper Bonding Substrat oder ein Direct Aluminium Bonding Substrat.

    Elektronikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
    10.
    发明专利
    Elektronikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014111439A1

    公开(公告)日：2015-02-12

    申请号：DE102014111439

    申请日：2014-08-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WINTER FRANK ,  GEITNER OTTMAR ,  NIKITIN IVAN ,  HÖGERL JÜRGEN

    IPC: H01L23/28 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

    Abstract: Gemäß einem beispielhaften Aspekt ist ein Elektronikmodul bereitgestellt, wobei das Elektronikmodul einen Elektronikchip, der zumindest ein Elektronikbauteil umfasst, ein Beabstandungselement, das eine an dem Elektronikchip angeordnete Hauptoberfläche umfasst und in thermisch leitfähiger Verbindung mit dem zumindest einen Elektronikbauteil steht, und eine Formmasse, die den Elektronikchip und das Beabstandungselement zumindest zum Teil umschließt, umfasst, wobei das Beabstandungselement eine seitliche Oberfläche umfasst, die mit der Formmasse in Kontakt steht und Oberflächenstrukturen umfasst.

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