公开(公告)号：DE102016120778A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016120778

申请日：2016-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HABLE WOLFRAM ,  HOEGERL JÜRGEN ,  GRASSMANN ANDREAS ,  LEDUTKE MICHAEL ,  KNAUER EDUARD

IPC: H01L23/057 ,  H01L21/52 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Baugruppe (100) mit mindestens einem elektronischen Chip (102), einem Verkapselungsstoff (108), der zumindest einen Teil des mindestens einen elektronischen Chips (102) verkapselt, eine erste elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (118), die sich teilweise innerhalb und teilweise außerhalb des Verkapselungsstoffs (108) erstreckt und die mit mindestens einem ersten Anschluss von mindestens einem von dem mindestens einen elektronischen Chip (102) elektrisch gekoppelt ist, und eine zweite elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (119), die sich teilweise innerhalb und teilweise außerhalb des Verkapselungsstoffs (108) erstreckt und die mit mindestens einem zweiten Anschluss von mindestens einem von dem mindestens einen elektronischen Chip (102) elektrisch gekoppelt ist, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (118) und zumindest ein Abschnitt der zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur (119) innerhalb des Verkapselungsstoffs (108) in einer Richtung zwischen zwei gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Baugruppe (100) beabstandet sind.

公开(公告)号：DE102005025465A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：DE102005025465

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  KNAUER EDUARD ,  ROESL KONRAD ,  MEDERER PETER

IPC: H01L23/16 ,  C08G59/18 ,  C08G73/06 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D177/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49

Abstract: Semiconductor unit comprises: a circuit carrier (2) with interior contact areas (5), exhibiting a first material with a first electro-chemical potential; a semiconductor chip (3) with an active surface (13) and a flipside (11), where the active surface exhibits chip contact areas (14) having a second material with second electro-chemical potential; and bonding wire connections (15) between the chip contact areas and the interior contact areas of the circuit carrier, where the bonding wire connection exhibits a third material with a third electro-chemical potential. Semiconductor unit comprises: a circuit carrier (2) with interior contact areas (5), exhibiting a first material with a first electro-chemical potential; a semiconductor chip (3) with an active surface (13) and a flipside (11), where the active surface exhibits chip contact areas (14) having a second material with second electro-chemical potential; and bonding wire connections (15) between the chip contact areas and the interior contact areas of the circuit carrier, where the bonding wire connection exhibits a third material with a third electro-chemical potential, and the connection place between the chip contact areas and the bonding wire connection and/or the connection place between the interior contact areas and the bonding wire connection are coated with a corrosion protecting layer. An independent claim is included for the preparation of the semiconductor unit.

公开(公告)号：DE102014110967A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102014110967

申请日：2014-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNAUER EDUARD ,  SCHULTES SIGRID ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG ,  LEHNER RUDOLF

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/31 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung (100) umfassend einen Träger (102) mit einer Befestigungsfläche (104), mindestens ein elektronischer Chip (108), der auf der Befestigungsfläche (104) befestigt ist, mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106), die auf der Befestigungsfläche (104) befestigt ist, eine Verkapselung (110), die den Träger (102) und den mindestens einen elektronischen Chip (108) mindestens teilweise verkapselt und die mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106) teilweise verkapselt, sodass ein Teil einer Fläche der mindestens einen elektronischen Verbindungsstruktur (106) einer Umgebung ausgesetzt ist, und eine Befestigungseinrichtung (112), die zur Befestigung der elektronischen Vorrichtung (100) an einer Peripherievorrichtung (902) konfiguriert ist.

公开(公告)号：DE102014110967B4

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：DE102014110967

申请日：2014-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNAUER EDUARD ,  SCHULTES SIGRID ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG ,  LEHNER RUDOLF

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/31 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung (100), die Vorrichtung (100) aufweisend:• einen Träger (102) mit einer Befestigungsfläche (104);• mindestens einen elektronischen Chip (108), der auf der Befestigungsfläche (104) angebracht ist;• mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106), die auf der Befestigungsfläche (104) angebracht ist;• eine Verkapselung (110), die den Träger (102) und den mindestens einen elektronischen Chip (108) mindestens teilweise verkapselt und die mindestens eine elektrische Verbindungsstruktur (106) teilweise verkapselt, sodass ein Teil einer Fläche der mindestens einen elektrischen Verbindungsstruktur (106) einer Umgebung ausgesetzt ist;• eine Befestigungseinrichtung (112), die zur Befestigung der elektronischen Vorrichtung (100) an einer Peripherievorrichtung (902) konfiguriert ist, wobei die Befestigungseinrichtung (112) sich mindestens teilweise durch die Verkapselung (110) erstreckt, wobei die Befestigungseinrichtung (112) mindestens teilweise durch einen separaten Verstärkungskörper (200) definiert ist, wobei der Verstärkungskörper (200) mit dem Träger (102) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014109870A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102014109870

申请日：2014-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FÖRG RAIMUND ,  KNAUER EDUARD ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SCHERL PETER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L23/373

Abstract: Ein Ausführungsverfahren zur Herstellung von elektronischen Vorrichtungen, die zwei von einer Metallschicht verbundene Bauteile aufweisen, enthält das Auftragen einer Metallschicht auf jedes Bauteil und das Verbinden der Metallschichten, sodass eine einzelne Metallschicht gebildet wird.

公开(公告)号：DE102008046729A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102008046729

申请日：2008-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  BEHRENS THOMAS ,  LANDAU STEFAN ,  KNAUER EDUARD ,  FISCHER RUPERT

IPC: H01L21/58 ,  C09J9/02 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102005025465B4

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102005025465

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  KNAUER EDUARD ,  ROESL KONRAD ,  MEDERER PETER

IPC: H01L23/16 ,  C08G73/06 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D177/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49

公开(公告)号：DE102006026023A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：DE102006026023

申请日：2006-06-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  LANDAU STEFAN ,  KNAUER EDUARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/52 ,  H01L25/00

Abstract: The component has a semiconductor chip stack (2) and a component carrier (4), where a semiconductor chip (5) in its rear side (6) is fixed on the carrier. Another semiconductor chip (8) in its rear side (9) is glued on an upper side (7) of the former chip over an adhesive layer (10). A plastic compound is arranged between another plastic compound (11) and edge sides (12-15) of the adhesive layer and the latter chip and the upper side of the latter chip in such a manner that the latter plastic compound does not have physical contact to the latter chip and to the adhesive layer. An independent claim is also included for a method of manufacturing a semiconductor component.