公开(公告)号：DE102018112378A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102018112378

申请日：2018-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements (300) wird vorgeschlagen, umfassend ein Bilden (110) einer Maskenschicht mit einem ersten Implantationsfenster auf einem Halbleitersubstrat (310) und ein Implantieren (120) von Dotierstoffen mit einer ersten Implantationsenergie in das Halbleitersubstrat (310) durch das erste Implantationsfenster, um einen ersten Abschnitt einer Dotierungsregion (320) des Halbleiterbauelements (300) zu bilden. Die Maskenschicht ist angepasst (130), um ein zweites Implantationsfenster der Maskenschicht zu bilden. Ferner werden Dotierstoffe mit einer zweiten Implantationsenergie in das Halbleitersubstrat (310) durch das zweite Implantationsfenster implantiert (140). Die zweite Implantationsenergie unterscheidet sich von der ersten Implantationsenergie, und eine laterale Abmessung des ersten Implantationsfensters unterscheidet sich von einer lateralen Abmessung des zweiten Implantationsfensters.

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102017108541A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108541

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten einer elektronischen Komponente, die wenigstens ein elektrisch leitfähiges Kontaktgebiet enthält, Folgendes enthalten: Bilden einer Kontaktstelle, die ein selbstsegregierendes Gemisch enthält, über dem wenigstens einen elektrisch leitfähigen Kontaktgebiet, um die elektronische Komponente elektrisch zu kontaktieren (101); und Bilden einer Segregationsunterdrückungsstruktur zwischen der Kontaktstelle und der elektronischen Komponente, wobei die Segregationsunterdrückungsstruktur mehr keimbildungsinduzierende Topographiemerkmale enthält als das wenigstens eine elektrisch leitfähige Kontaktgebiet, zum Stören einer chemischen Segregation des selbstsegregierenden Gemisches durch kristallographische Grenzflächen der Kontaktstelle, die durch die keimbildungsinduzierenden Topographiemerkmale definiert sind (103).

公开(公告)号：DE102015120547A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120547

申请日：2015-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK THOMAS ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KONRATH JENS PETER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/43

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement (100) Folgendes enthalten: einen Schichtenstapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist, wobei der Schichtenstapel aufweist: eine Metallisierungsschicht (106), die ein erstes Metall oder eine erste Metalllegierung enthält; eine Schutzschicht (108), die die Metallisierungsschicht (106) abdeckt, wobei die Schutzschicht (108) ein zweites Metall oder eine zweite Metalllegierung enthält, das weniger edel als das erste Metall oder die erste Metalllegierung ist.