公开(公告)号：DE102007021730A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：DE102007021730

申请日：2007-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FORSTNER HANS PETER ,  LACHNER RUDOLF

IPC: H04B1/40 ,  G01S7/03 ,  H03D7/00

Abstract: The high frequency sending and receiving unit (120) has an entrance for an oscillator signal, a distribution assembly to distribute oscillator signal on multiple Signal trails. Two or multiple mixer arrangements are provided which are connected with the distribution assembly for sending a send signal (TX) or for receiving of a received signal (RX). The mixer arrangement has a mixer and an amplifier for amplification of the oscillator signal and for the production of a send signal. An independent claim is also included for a mixer arrangement, which has an oscillator connection.

公开(公告)号：DE19611692C2

公开(公告)日：2002-07-18

申请号：DE19611692

申请日：1996-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERBER MARTIN ,  LACHNER RUDOLF

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732 ,  H01L29/73

公开(公告)号：DE102016125190A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102016125190

申请日：2016-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  JAEGER HERBERT ,  LACHNER RUDOLF

IPC: G01S7/03 ,  G01S7/42 ,  G01S13/48 ,  H01Q21/00

Abstract: Ein Radarsystem für ein Fahrzeug umfasst zumindest ein Antennenelement, das an einer Außenhülle des Fahrzeugs installierbar ist. Ferner umfasst das Radarsystem zumindest einen dielektrischen Wellenleiter. Ferner umfasst das Radarsystem eine Radareinheit, die ausgebildet ist zum Kommunizieren mit dem Antennenelement über den dielektrischen Wellenleiter.

公开(公告)号：DE102010017109B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102010017109

申请日：2010-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLERS KARL-HEINZ ,  BOECK JOSEF ,  GOLLER KLAUS ,  LACHNER RUDOLF ,  LIEBL WOLFGANG

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Halbleiterchip (130, 140), der Folgendes enthält:eine Kondensatoranordnung (410), die zwischen eine erste Metallisierungsebene Mn und eine zweite Metallisierungsebene Mn+1 des Chips (130, 140) gekoppelt ist, wobei die zweite Metallisierungsebene Mn+1 der ersten Metallisierungsebene Mn benachbart ist, wobei n einen Index repräsentiert, der eine Metallisierungsebene anzeigt; und wobei die erste Metallisierungsebene Mn wenigstens eine erste Leitung (Mn(1)) und die zweite Metallisierungsebene Mn+1 wenigstens eine zweite Leitung (Mn+1(1)) aufweist, und wobei die Kondensatoranordnung (410) Folgendes aufweist:einen ersten Kondensator (CAP1) mit einer ersten Elektrodenoberfläche (S1A) und einer zweiten Elektrodenoberfläche (S1B) undeinen zweiten Kondensator (CAP2), der über dem ersten Kondensator (CAP1) gestapelt und elektrisch mit diesem in Reihe gekoppelt ist, wobei der zweite Kondensator (CAP2) eine dritte Elektrodenoberfläche (S2A) und eine vierte Elektrodenoberfläche (S2B) enthält, wobei die zweite Elektrodenoberfläche (S1B) und dritte Elektrodenoberfläche (S2A) elektrisch potentialfrei sind,wobei die vierte Elektrodenoberfläche (S2B) durch mindestens ein leitendes Via (Vn(1)) elektrisch an die zweite Metallisierungsebene Mn+1 gekoppelt ist undwobei die vierte Elektrodenoberfläche (S2B) eine Oberfläche des leitenden Vias (Vn(1)) ist.

公开(公告)号：DE102009002291B4

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102009002291

申请日：2009-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER WERNER ,  LACHNER RUDOLF

IPC: G01N21/35

Abstract: Gasüberwachungssystem (100), aufweisend: einen frequenzabstimmbaren Sender (106), in einer Silizium-Halbleiterschaltung, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung durch ein Gasvolumen (104) zu senden, das eine interessierende Molekülgattung enthält, wobei die elektromagnetische Strahlung eine erste Intensität bei einer charakteristischen Frequenz aufweist, die mit der interessierenden Molekülgattung assoziiert ist; wobei der Sender (106) aufweist: eine als Patchantenne ausgebildete Sendeantenne (502); mit der Sendeantenne (502) gekoppelte Sende-Halbleiterschaltkreise (504) mit einer Silizium-Halbleiterschaltung, die dazu ausgebildet ist, eine zeitveränderliche Spannung an der Sendeantenne (502) bereitzustellen; Frequenzabstimmungs-Schaltkreise (506), die dazu ausgebildet sind, eine Frequenz anzupassen, mit der die elektromagnetische Strahlung gesendet wird; und einen frequenzabstimmbaren, in einer Silizium-Halbleiterschaltung implementierten Empfänger (108), der dazu ausgebildet ist, auf der Basis einer zweiten Intensität, mit der die gesendete elektromagnetische Strahlung durch das Gasvolumen empfangen wird, eine zeitveränderliche Spannung oder einen zeitveränderlichen Strom zu erzeugen, wobei der Empfänger aufweist: eine als Patchantenne ausgebildete Empfangsantenne...

公开(公告)号：DE102009002291A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：DE102009002291

申请日：2009-04-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER WERNER ,  LACHNER RUDOLF

IPC: G01N21/35

Abstract: One embodiment relates to a method for determining a concentration of a molecular species of interest. In this method, electromagnetic radiation is transmitted into a volume of gas within an output exhaust system. The transmitted electromagnetic radiation has a first intensity at a characteristic frequency that is associated with a transition of the molecular species of interest. Electromagnetic radiation is then received from the volume of gas at a second intensity. The method then correlates the first intensity to the second intensity to determine the concentration of the molecular species of interest within the volume of gas. Other methods and systems are also disclosed.

公开(公告)号：DE102006011240A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：DE102006011240

申请日：2006-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFER HERBERT ,  BOECK JOSEF ,  LACHNER RUDOLF ,  MEISTER THOMAS

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: A bipolar transistor has a base, an emitter and an emitter contact. The emitter has a monocrystalline layer and a polycrystalline layer, which are disposed between the base and the emitter contact in the mentioned order.

公开(公告)号：DE10250204A1

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：DE10250204

申请日：2002-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STENGL REINHARD ,  MEISTER THOMAS ,  SCHAEFER HERBERT ,  BOECK JOSEF ,  SECK MARTIN ,  LACHNER RUDOLF

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732

Abstract: A method for fabricating a transistor structure with a first and a second bipolar transistor having different collector widths is presented. The method includes providing a semiconductor substrate, introducing a first buried layer of the first bipolar transistor and a second buried layer of the second bipolar transistor into the semiconductor substrate, and producing at least a first collector region having a first collector width on the first buried layer and a second collector region having a second collector width on the second buried layer. A first collector zone having a first thickness is produced on the second buried layer for production of the second collector width. A second collector zone having a second thickness is produced on the first collector zone. At least one insulation region is produced that isolates at least the collector regions from one another.

公开(公告)号：AU2002340557A1

公开(公告)日：2003-06-17

申请号：AU2002340557

申请日：2002-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LACHNER RUDOLF

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/732

Abstract: A method for producing a bipolar transistor is described, which comprises providing a layer sequence, which comprises a substrate, a first oxide layer and a SOI layer, generating a collector region in the substrate, generating a second oxide layer on the layer sequence, generating a base region in the first oxide layer, such that the base region is in contact with the SOI layer, generating an emitter region on the base region such that the emitter region is isolated from the SOI layer, and generating a collector contact, a base contact and an emitter contact. The present invention is based on the knowledge that the production of a bipolar transistor can be made significantly less expensive when the above layer sequence is used for its production, and thereby, the base region is generated in the BOX layer while the collector region is formed in the substrate. Thereby, otherwise required production process steps and particularly layer deposition steps, such as for a polysilicon or oxide layer, are saved.

公开(公告)号：DE102014119049A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014119049

申请日：2014-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOECK JOSEF ,  HARTNER WALTER ,  LACHNER RUDOLF ,  WOJNOWSKI MARCIEJ

IPC: G01S7/03 ,  G01S13/06 ,  G01S13/93 ,  G08C17/02 ,  H04B1/00 ,  H04B5/00 ,  H04B7/00

Abstract: Ein Drahtloskommunikationssystem umfasst ein erstes Halbleitermodul und ein zweites Halbeitermodul. Das erste Halbleitermodul umfasst einen Halbleiterchip, der mit einer Antennenstruktur verbunden ist. Der Halbleiterchip des ersten Halbleitermoduls und die Antennenstruktur des ersten Halbleitermoduls sind innerhalb eines gemeinsamen Gehäuses angeordnet. Der Halbleiterchip des ersten Halbleitermoduls umfasst ein Sendermodul, das ausgebildet ist, das Drahtloskommunikationssignal durch eine Antennenstruktur des ersten Halbleitermoduls zu übertragen. Das zweite Halbleitermodul umfasst einen Halbleiterchip, der mit einer Antennenstruktur verbunden ist. Der Halbleiterchip des zweiten Halbleitermoduls umfasst ein Empfängermodul, das ausgebildet ist, um das Drahtloskommunikationssignal durch die Antennenstruktur des zweiten Halbleitermoduls von dem ersten Halbleitermodul zu empfangen.