公开(公告)号：DE102015119413A8

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015119413

申请日：2015-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  MISCHITZ MARTIN ,  ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/283

公开(公告)号：DE102015100491A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102015100491

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/306 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen einzelner Dies eines Halbleiter-Wafers umfasst das Ausbilden einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei der Halbleiter-Wafer eine Mehrzahl von Dies umfasst, Trennen der Mehrzahl von Dies voneinander und elektroerosives Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente, von denen jedes auf einem der Dies befestigt bleibt. Ein entsprechender Halbleiter-Die, welcher durch ein solches Verfahren hergestellt ist, wird ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102013106994A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：DE102013106994

申请日：2013-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAYER KARL ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  PINCZOLITS MICHAEL ,  STERNAD MICHAEL ,  ROESNER MICHAEL

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/50 ,  H01L23/043

Abstract: Ein System und Verfahren zur Herstellung eines gehäusten Bauteils wird offenbart. Eine Ausführungsform umfasst das Formen einer Mehrzahl von Bauteilen auf einem Träger, wobei die Mehrzahl von Bauteilen voneinander mittels Kerbgebieten auf einer Vorderseite des Trägers beabstandet ist, und das Formen eines Metallmusters auf einer Rückseite des Trägers, wobei das Metallmuster die Rückseite des Trägers mit der Ausnahme von den Kerbgebieten entsprechenden Gebieten überdeckt. Das Verfahren umfasst weiter das Erstellen des Bauteils, indem es vom Träger getrennt wird.

公开(公告)号：DE102018204376B4

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：DE102018204376

申请日：2018-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  MENATH MARKUS

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L29/161

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Siliziumcarbidschicht (2);eine Metallcarbidschicht (4), die auf der Siliziumcarbidschicht (2) angeordnet ist; undeine Lotschicht (6), die direkt auf der Metallcarbidschicht (4) angeordnet ist, wobei die Lotschicht (6) Atome eines carbidausbildenden Metalls (10) umfasst, welches dem Metall der Metallcarbidschicht (4) entspricht, und wobei die Lotschicht (6) ein Seltenerdmetall umfasst.

公开(公告)号：DE102018207651A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018207651

申请日：2018-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Siliciumschicht, eine Metallsilicidschicht, die direkt auf der Siliciumschicht angeordnet ist, und eine Lotschicht, die direkt auf der Metallsilicidschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102018107922A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102018107922

申请日：2018-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  MENATH MARKUS ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren zum Verarbeiten eines Siliciumcarbid enthaltenden kristallinen Substrats ist bereitgestellt. Das Verfahren kann Pyrolysieren einer Oberfläche des Substrats, um eine Silicium und Kohlenstoff enthaltende Rückstandschicht über dem Siliciumcarbid enthaltenden kristallinen Substrat zu produzieren, und Entfernen der Silicium und Kohlenstoff enthaltenden Rückstandschicht beinhalten, wobei das Pyrolysieren und das Entfernen wenigstens einmal wiederholt werden.

公开(公告)号：DE102015100491B4

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102015100491

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/306

Abstract: Verfahren zum Trennen von einzelnen Dies eines Halbleiter-Wafers, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche des Halbleiter-Wafers, wobei der Halbleiter-Wafer eine Mehrzahl von Dies umfasst; Trennen der Mehrzahl von Dies voneinander; und elektroerosives Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente, von denen jedes auf einem der Dies befestigt bleibt, wobei das elektroerosive Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente umfasst: Anordnen wenigstens einer Elektrode über einem Bereich der Metallschicht zwischen benachbarten Dies; und Anlegen von Hochspannungs-Hochfrequenzimpulsen an die wenigstens eine Elektrode und die Metallschicht, welche ausreichen, um Metallionen von jedem Bereich der Metallschicht freizusetzen, welcher von der wenigstens einen Elektrode bedeckt ist.

公开(公告)号：DE102016111325A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：DE102016111325

申请日：2016-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTHMALER RUDOLF ,  STRANZL GUDRUN ,  ORTNER JOERG ,  ROESNER MICHAEL

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/301 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers umfasst ein Bereitstellen eines Wafers und ein Ätzen des Wafers, um Chips zwischen Sägerahmenliniensegmenten, die innerhalb einer inneren Region des Wafers definiert sind, zu vereinzeln, und um eine Mehrzahl von Waferrandbereichen zwischen den Sägerahmenliniensegmenten und einem Umfangsrand des Wafers zu vereinzeln. Jeder einzelne der Mehrzahl von Waferrandbereichen wird durch Sägerahmenlinien vereinzelt, die sich jeweils zwischen einem von zwei Endpunkten von einem von den Sägerahmenliniensegmenten und dem Umfangsrand des Wafers erstrecken.

公开(公告)号：DE102013200761A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013200761

申请日：2013-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  ROESNER MICHAEL

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/56

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements das Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats mit einem Bauelementgebiet. Das Bauelementgebiet befindet sich neben der oberen Oberfläche als eine gegenüberliegende untere Oberfläche. Der Graben umgibt die Seitenwände des Bauelementgebiets. Der Graben wird mit einem Kleber gefüllt. Eine Kleberschicht wird über der oberen Oberfläche des Substrats ausgebildet. Ein Träger wird mit der Kleberschicht angebracht. Das Substrat wird von der unteren Oberfläche aus verdünnt, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren. Die Kleberschicht wird entfernt und Kleber wird geätzt, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren.