公开(公告)号：DE102015120848A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102015120848

申请日：2015-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO ,  WELLENZOHN GUENTHER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KONRATH JENS PETER ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Herstellen einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers; das Bestrahlen der Metallschicht mit Partikeln, um Metallatome aus der Metallschicht in den Halbleiterkörper zu bewegen und in dem Halbleiterkörper ein Metallatome enthaltendes Gebiet zu bilden; und Ausheilen des Halbleiterkörpers, wobei das Ausheilen das Aufheizen wenigstens der Metallatome enthaltenden Schicht auf eine Temperatur von weniger als 500°C umfasst.

公开(公告)号：DE102004052643B4

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  WAHL UWE DR -ING ,  MEYER THORSTEN DR ,  RÜB MICHAEL DR ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kanalgebiets (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200), gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: – Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, – Definieren eines Trenchinnenwandbereichs, dessen Begrenzungslinien innerhalb des Trenchs im Wesentlichen vertikal verlaufen, indem entsprechende Masken (17) oder Abschattungseinrichtungen ausgebildet oder bereitgestellt werden, und – selektives Beaufschlagen des Trenchinnenwandbereichs mit Dotierstoffen durch Ausführen abgeschatteter bzw. maskierter Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse, derart, dass in einem an den Trenchinnenwandbereich angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers ein Sourcegebiet (3) und ein Bodygebiet (4) ausgebildet werden, deren relative Lage zueinander das Kanalgebiet definiert.