公开(公告)号：DE102013218494B4

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：DE102013218494

申请日：2013-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMITT MARKUS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/56

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der ein Innengebiet (110) und ein Randgebiet (120) aufweist;eine Passivierungsschicht (20), die wenigstens auf einer an das Randgebiet angrenzenden Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, die ein Halbleiteroxid aufweist und die einen Defektbereich mit Kristalldefekten aufweist, die als Getterzentren für Verunreinigungen dienen.

公开(公告)号：DE10130158A1

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：DE10130158

申请日：2001-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE ,  SCHMITT MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Semiconductor body has drift zone between two electrodes with regions of two different conductor types. The drift zone is complementary so that in a region closer to the first electrode, higher doped zones of e.g. the first type are arranged in a weaker doped zone of the second type and vice versa for the other electrode. The device consists of a semiconducting body with a drift zone (2) between first and second electrodes (8,9) and containing regions of first and second conductor types. The drift zone is complementary so that in a region (15) closer to the first electrode, higher doped zones (11) of e.g. the first type are arranged in a weaker doped zone (12) of the second type and a region (16) nearer the second electrode higher doped zones (13) of the second type are arranged in a weaker doped zone (14) of the first type. AN Independent claim is also included for the following: a method of manufacturing a compensation component.

公开(公告)号：DE102004052643B4

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  WAHL UWE DR -ING ,  MEYER THORSTEN DR ,  RÜB MICHAEL DR ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kanalgebiets (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200), gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: – Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, – Definieren eines Trenchinnenwandbereichs, dessen Begrenzungslinien innerhalb des Trenchs im Wesentlichen vertikal verlaufen, indem entsprechende Masken (17) oder Abschattungseinrichtungen ausgebildet oder bereitgestellt werden, und – selektives Beaufschlagen des Trenchinnenwandbereichs mit Dotierstoffen durch Ausführen abgeschatteter bzw. maskierter Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse, derart, dass in einem an den Trenchinnenwandbereich angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers ein Sourcegebiet (3) und ein Bodygebiet (4) ausgebildet werden, deren relative Lage zueinander das Kanalgebiet definiert.

公开(公告)号：DE102004063991A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102005046007A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005046007

申请日：2005-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  RUEB MICHAEL ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: The component (1) has highly doped compensation cells (18) of p-type conduction. A drift zone (21) with complementary n-type conduction is provided, and a substrate (23) is in connection with a source region (20). Coupling layers or coupling structures are provided for electrical connection of the compensation cells with each other. The coupling layers are of p-type conduction and are in electrical connection with the source region.

公开(公告)号：DE10130158C2

公开(公告)日：2003-06-05

申请号：DE10130158

申请日：2001-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE ,  SCHMITT MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：DE102013218494A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102013218494

申请日：2013-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMITT MARKUS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/56

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100), der ein Innengebiet (110) und ein Randgebiet (120) aufweist; eine Passivierungsschicht (20), die wenigstens auf einer an das Randgebiet angrenzenden Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, die ein Halbleiteroxid aufweist und die einen Defektbereich mit Kristalldefekten aufweist, die als Getterzentren für Verunreinigungen dienen.

公开(公告)号：DE10120656A1

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：DE10120656

申请日：2001-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLOEGL ANDREAS ,  SCHMITT MARKUS ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  VOSSEBUERGER MARKUS ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L21/261 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78

Abstract: Semiconductor element comprises a semiconductor body having electrodes (S, D) in which regions of one conducting type and regions of a further opposing conducting type are arranged in a drift zone (7) so that charge carrier compensation is produced in the region of the drift zone formed by these regions. The voltage between the electrodes in the case of an avalanche at the nominal current of the semiconductor component lies at around 6 % or more above the static blocking voltage at a current strength of approximately 10 micro-A/mm . Preferred Features: The regions of the conducting type have a higher doped region between two lower doped regions.

公开(公告)号：DE102004063991B4

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102004052643A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Lateral trench transistor (200) has a body region (4) inside which a semiconductor region (10) is provided adjoining to it. The semiconductor region is electrically connected with the source contact (12) and its type of endowment corresponds to the type of endowment of body region. An independent claim is also included for a method for manufacturing of endowed semiconductor region.