公开(公告)号：DE102004063991B4

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102004052643A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Lateral trench transistor (200) has a body region (4) inside which a semiconductor region (10) is provided adjoining to it. The semiconductor region is electrically connected with the source contact (12) and its type of endowment corresponds to the type of endowment of body region. An independent claim is also included for a method for manufacturing of endowed semiconductor region.

公开(公告)号：DE102004052643B4

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  WAHL UWE DR -ING ,  MEYER THORSTEN DR ,  RÜB MICHAEL DR ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kanalgebiets (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200), gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: – Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, – Definieren eines Trenchinnenwandbereichs, dessen Begrenzungslinien innerhalb des Trenchs im Wesentlichen vertikal verlaufen, indem entsprechende Masken (17) oder Abschattungseinrichtungen ausgebildet oder bereitgestellt werden, und – selektives Beaufschlagen des Trenchinnenwandbereichs mit Dotierstoffen durch Ausführen abgeschatteter bzw. maskierter Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse, derart, dass in einem an den Trenchinnenwandbereich angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers ein Sourcegebiet (3) und ein Bodygebiet (4) ausgebildet werden, deren relative Lage zueinander das Kanalgebiet definiert.

公开(公告)号：DE102004063991A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102005046007A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005046007

申请日：2005-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  RUEB MICHAEL ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: The component (1) has highly doped compensation cells (18) of p-type conduction. A drift zone (21) with complementary n-type conduction is provided, and a substrate (23) is in connection with a source region (20). Coupling layers or coupling structures are provided for electrical connection of the compensation cells with each other. The coupling layers are of p-type conduction and are in electrical connection with the source region.