公开(公告)号：DE102013216633A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013216633

申请日：2013-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOEWER LARS ,  HEUCK NICOLAS ,  OESCHLER NIELS ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/50

Abstract: Eine gesinterte Verbindung wird durch Pressen eines Halbleiter-Chips gegen ein Substrat gebildet, während sich ein getrocknetes Sintermaterial zwischen dem Substrat und dem Halbleiter-Chip befindet, wobei das getrocknete Sintermaterial Sinterteilchen und ein Lösungsmittel enthält. Das Substrat wird auf eine Temperatur unterhalb einer Sintertemperatur des getrockneten Sintermaterials erwärmt, während der Halbleiter-Chip gegen das Substrat gedrückt wird, um lokale Sinterverbindungen zwischen benachbarten Sinterteilchen zu bilden. Die lokalen Sinterverbindungen bilden zusammen eine stabile Verbindung, die den Halbleiter-Chip vor dem Sintern an dem Substrat befestigt. Dann wird eine gesinterte Verbindung zwischen dem Halbleiter-Chip und dem Substrat aus dem getrockneten Sintermaterial gebildet, nachdem die stabile Verbindung gebildet wurde.

公开(公告)号：DE102008033651B4

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102008033651

申请日：2008-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN ,  HARTUNG HANS ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Stützfilms (12), wobei der Stützfilm (12) eine Klebeschicht (30) aufweist; Anordnen mehrerer, durch einen Abstand (d) voneinander getrennter Sätze von Halbleitereinzelchips (10) auf dem Stützfilm (12) in einem vorgegebenen Layout, wobei die Halbleitereinzelchips (10) durch die Klebeschicht (30) an dem Stützfilm (12) angebracht werden; und Anpressen des Stützfilms (12) zusammen mit einem der daran angebrachten Sätze von Halbleiterchips (10) an einen Träger (27), um diesen Satz Halbleitereinzelchips (10) fest auf dem Träger (27) zu montieren.

公开(公告)号：DE102008048869A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102008048869

申请日：2008-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPECKELS ROLAND ,  LICHT THOMAS ,  GUTH KARSTEN

IPC: H01L21/687

Abstract: A device and a method for making a semiconductor device including bonding a first bonding partner to a second bonding partner. The device comprises a lower tool and an upper tool, the upper tool including a plunger having a bottom side facing the lower tool at which bottom side a vacuum is creatable, so that the first bonding partner can be picked up by vacuum from the upper tool and positioned on the second bonding partner.

公开(公告)号：DE102023205266A1

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE102023205266

申请日：2023-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SAUERLAND FRANK ,  SPECKELS ROLAND ,  FINK MARKUS

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L23/15 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleitermodul umfasst ein Leistungselektroniksubstrat, umfassend eine erste leitende Schicht, eine zweite leitende Schicht und eine Isolierschicht, die die erste und die zweite leitende Schicht trennt; mindestens einen Halbleiterchip, der über der ersten leitenden Schicht angeordnet ist; und einen Formkörper, umfassend eine erste Seite und eine gegenüberliegende zweite Seite, wobei der Formkörper den Halbleiterchip einkapselt und das Leistungselektroniksubstrat teilweise einkapselt, so dass die zweite leitende Schicht zumindest teilweise von der zweiten Seite des Formkörpers freiliegt, wobei die Isolierschicht über eine Kontur der ersten leitenden Schicht und/oder über eine Kontur der zweiten leitenden Schicht an lateralen Seiten des Leistungselektroniksubstrats durch einen Vorsprung ungleich Null vorsteht, und wobei ein Verhältnis einer Dicke der Isolierschicht zu einer Länge des Vorsprungs 0,8 oder mehr beträgt.

公开(公告)号：DE102012214901B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102012214901

申请日：2012-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ÖSCHLER NIELS ,  TRUNOV KIRILL ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L23/15 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: Halbleiteranordnung umfassend:ein Substrat (110);eine auf dem Substrat (110) angeordnete, erste gesinterte Silberschicht (152a);einen ersten Halbleiterchip (116a); undeine erste Diffusionslotschicht (154a); wobei die erste gesinterte Silberschicht (152a) und die erste Diffusionslotschicht (154a) zwischen dem ersten Halbleiterchip (116a) und dem Substrat (110) angeordnet sind und diese miteinander verbinden,wobei die erste gesinterte Silberschicht (152a) Poren aufweist, welche ganz oder teilweise mit Diffusionslot gefüllt sind, undwobei das Diffusionslot ein Ag-Sn-Lot ist, welches eine Ag-Konzentration von bis zu 4 Atom% besitzt.

公开(公告)号：DE102007047698B4

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：DE102007047698

申请日：2007-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KEMPER ALFRED ,  SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102008050798A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：DE102008050798

申请日：2008-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPECKELS ROLAND

IPC: H01L21/58 ,  H05K3/30 ,  H01L21/68 ,  H05K1/18 ,  H05K13/04

Abstract: The method involves fitting semiconductor chip (3) to a suitable position on another component i.e. direct copper bonding substrate (1) by a placing device (5) over an electrically conducting intermediate layer (2). The placing device is activated relatively to another component such that a prefixing is obtained by the intermediate layer and one of the components. The intermediate layer is heated on a temperature that is increased opposite to room temperature. The components are pressed together such that an electrical connection and a mechanical fixing of the components are obtained. The placing device is equipped with a pressing element made of ceramic material or porous sintered metal material. An independent claim is also included for an arrangement for positioning and fixing electrical and electronic component on another component.