公开(公告)号：DE102019118803A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019118803

申请日：2019-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KONRATH JENS PETER ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/02 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Ein Siliziumcarbid-, SiC-, Halbleiterkörper (102) wird bereitgestellt. Ionen werden durch eine erste Oberfläche (108) des SiC-Halbleiterkörpers (102) mittels zumindest eines Ionenimplantationsprozesses in den SiC-Halbleiterkörper (102) eingebracht. Danach wird auf der ersten Oberfläche (108) des SiC-Halbleiterkörpers (102) eine SiC-Vorrichtungsschicht (110) ausgebildet. Elemente einer Halbleitervorrichtung werden in oder über der SiC-Vorrichtungsschicht (110) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102019106087B3

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102019106087

申请日：2019-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Die Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die einen SiC Halbleiterkörper (102) aufweist. Der SiC Halbleiterkörper (102) weist ein erstes Halbleitergebiet (104) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein zweites Halbleitergebiet (106) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Das erste Halbleitergebiet (104) ist an einer ersten Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) elektrisch kontaktiert und bildet einen pn-Übergang (110) mit dem zweiten Halbleitergebiet (106). Das erste Halbleitergebiet (104) und das zweite Halbleitergebiet (106) sind in einer vertikalen Richtung (y) senkrecht zur ersten Oberfläche (108) übereinander angeordnet. Das erste Halbleitergebiet (104) weist eine erste Dotierstoffspezies und eine zweite Dotierstoffspezies auf, wobei die erste Dotierstoffspezies B entspricht und die zweite Dotierstoffspezies Al oder Ga entspricht.Eine mittlere Dotierstoffkonzentration der ersten Dotierstoffspezies () ist in einem an die erste Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) angrenzenden ersten Teil (118) des ersten Halbleitergebiets (104) größer ist als eine mittlere Dotierstoffkonzentration der zweiten Dotierstoffspezies (). Eine mittlere Dotierstoffkonzentration der zweiten Dotierstoffspezies () ist in einem an das zweite Halbleitergebiet (106) angrenzenden zweiten Teil (119) des ersten Halbleitergebiets (104) größer als eine Dotierstoffkonzentration der ersten Dotierstoffspezies (), wobei die mittlere Dotierstoffkonzentrationen () entlang einer vertikalen Erstreckung des ersten und zweiten Teils (118, 119) bestimmt sind.

公开(公告)号：DE102014115303A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：DE102014115303

申请日：2014-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JÄGER CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BABURSKE ROMAN ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/74 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Transistorzellen (TC), die längs einer ersten Oberfläche (101) an einer Vorderseite eines Halbleiterkörpers (100) in einem Transistorzellgebiet (610) gebildet sind. Eine Driftzonenstruktur (120) bildet erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115) der Transistorzellen (TC). Eine Hilfsstruktur (132) zwischen der Driftzonenstruktur (120) und einer zweiten Oberfläche (102) an einer Rückseite des Halbleiterkörpers (100) umfasst einen ersten Teil (132a), der Tiefpegeldotierstoffe enthält, die zum Ionisieren wenigstens 150 meV erfordern. Eine Kollektorstruktur (138) grenzt direkt an die Hilfsstruktur (132) an. Eine Injektionseffizienz von Minoritätsträgern von der Kollektorstruktur (138) in die Driftzonenstruktur (120) verändert sich längs einer Richtung parallel zu der ersten Oberfläche (101) wenigstens in dem Transistorzellgebiet (610).

公开(公告)号：DE102015101124A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102015101124

申请日：2015-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  HÄRTL ANDREAS ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  LAVEN JOHANNES GEORG

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/26 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit entgegengesetzten ersten und zweiten Seiten (107, 108). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst weiterhin eine Driftzone (114) in dem Halbleiterkörper (105) zwischen der zweiten Seite (108) und einem pn-Übergang. Ein Profil einer Nettodotierung der Driftzone (114) zwischen den ersten und zweiten Seiten (107, 108) ist unduliert bzw. wellenförmig und umfasst Dotierungsspitzenwerte zwischen 1 × 1013 cm–3 und 5 × 1014 cm–3. Eine Vorrichtungssperrspannung Vbr ist definiert durch eine Durchbruchspannung des pn-Übergangs zwischen der Driftzone (114) und einem Halbleiterbereich (112) eines entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, der elektrisch mit der ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102023123825A1

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102023123825

申请日：2023-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHOLZ WOLFGANG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  BÖHM MARCUS ,  SCHMÖLZER BERND RICHARD ,  HOLZMANN LISA MARIE ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L23/053 ,  H10D80/20

Abstract: Ein Package (100) aufweisend einen Träger (102), einen ersten Chip (104) mit einem integrierten Transistor und aufweisend einen ersten Anschluss (106), welcher auf dem Träger (102) befestigt ist, einen zweiten Anschluss (108), und einen dritten Anschluss (110), wobei der erste Anschluss (106) und der dritte Anschluss (110) auf einer Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet sind, und der zweite Anschluss (108) auf einer gegenüberliegenden anderen Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet ist, wobei der erste Anschluss (106) ein Source- oder Emitter-Anschluss ist, der zweite Anschluss (108) ein Drain- oder Kollektoranschluss ist, und der dritte Anschluss (110) ein Gate- oder Basis-Anschluss ist, eine leitfähige Struktur (103), welche zumindest teilweise elektrisch leitfähig ist und auf dem zweiten Anschluss (108) befestigt ist, eine Einkapselung (138), welche den Träger (102), den ersten Chip (104), und die leitfähige Struktur (103) zumindest teilweise einkapselt, und eine isolierende Schicht (142), welche auf einem Oberflächenabschnitt der leitfähigen Struktur (103) oder des Trägers (102) angeordnet ist, welcher Oberflächenabschnitt über die Einkapselung (138) hinaus freiliegt, wobei die isolierende Schicht (142) thermisch leitfähig und elektrisch isolierend ist.

公开(公告)号：DE102014115303B4

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102014115303

申请日：2014-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  JÄGER CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BABURSKE ROMAN ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/74 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:Transistorzellen (TC), die längs einer ersten Oberfläche (101) an einer Vorderseite eines Halbleiterkörpers (100) in einem Transistorzellgebiet (610) gebildet sind,eine Driftzonenstruktur (120), die erste pn-Übergänge (pn1) mit Bodyzonen (115) der Transistorzellen (TC) bildet,eine Hilfsstruktur (132) zwischen der Driftzonenstruktur (120) und einer zweiten Oberfläche (102) auf einer Rückseite des Halbleiterkörpers (100), wobei wenigstens ein erster Teil (132a) der Hilfsstruktur (132) Tiefpegeldotierstoffe enthält, die zum Ionisieren wenigstens 150 meV erfordern, undeine Kollektorstruktur (138) direkt angrenzend an die Hilfsstruktur (132), wobei in als Emitter wirksamen Abschnitten der Kollektorstruktur (138) eine Injektionseffizienz von Minoritätsträgern von der Kollektorstruktur (138) in die Driftzonenstruktur (120) längs einer Richtung parallel zu der ersten Oberfläche (101) wenigstens in dem Transistorzellgebiet (610) variiert.

公开(公告)号：DE102018103550A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102018103550

申请日：2018-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEGNER ANDRE RAINER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Die Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die einen SiC Halbleiterkörper (102) aufweist. Der SiC Halbleiterkörper (102) weist ein erstes Halbleitergebiet (104) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein zweites Halbleitergebiet (106) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Das erste Halbleitergebiet (104) ist an einer ersten Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) elektrisch kontaktiert und bildet einen pn-Übergang (110) mit dem zweiten Halbleitergebiet (106). Das erste Halbleitergebiet (104) und das zweite Halbleitergebiet (106) sind in einer vertikalen Richtung (y) senkrecht zur ersten Oberfläche (108) übereinander angeordnet. Das erste Halbleitergebiet (104) weist eine erste Dotierstoffspezies und eine zweite Dotierstoffspezies auf.

公开(公告)号：DE102014223315B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), umfassend eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine eine Driftregion ausbildende zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern; wobei die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet:- eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist;- eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration;- eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123), und wobei sich die Schädigungsregion (122) entlang einer Richtung eines Flusses eines von dem Halbleiterbauelement (1) geführten Laststroms tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Kontaktregion (121), und wobei sich die Übergangsregion (123) tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Schädigungsregion (122).

公开(公告)号：DE102014223315A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement umfasst eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern. Die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist; eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration; eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123).

公开(公告)号：DE102014114235B3

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102014114235

申请日：2014-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP CHRISTOPH ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors einschließlich einer Gateelektrode umfasst ein Bilden einer Opferschicht (140) über einem Halbleitersubstrat (100), ein Bilden einer Strukturierungsschicht (150) über der Opferschicht (140), ein Strukturieren der Strukturierungsschicht (150) zu gemusterten Strukturen, ein Bilden von Abstandshaltern bzw. Spacern (160) benachbart zu Seitenwänden der gemusterten Strukturen, ein Entfernen der gemusterten Strukturen, ein Ätzen durch die Opferschicht (140) unter Verwendung der Spacer (160) als eine Ätzmaske und ein Ätzen in das Halbleitersubstrat (100), um dadurch Trenches in dem Halbleitersubstrat (100) zu bilden, und ein Füllen eines leitenden Materials (210) in die Trenches in dem Halbleitersubstrat (100), um die Gateelektrode zu bilden.