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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10306557A1

    公开(公告)日：2004-02-26

    申请号：DE10306557

    申请日：2003-02-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SORG JOERG ERICH ,  KRAEUTER GERTRUD

    IPC: H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/68 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L21/60

    Abstract: The electrically conductive frame (10), especially for a light diode component with two electrical connections (2,3), has an insulated plastics carrier layer and a conductive layer. The carrier layer is structured by masking and etching to give at least one window (7,8) though to the conductive layer, where at least one electrical connection passes through. A semiconductor laser diode chip (1) is fitted at a window, with external connections (4,5) for the frame connections, and embedded in an encapsulation (6)

    Gehäuse, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
    12.
    发明专利
    Gehäuse, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses 未知

    公开(公告)号：DE102009055786A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：DE102009055786

    申请日：2009-11-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  BARCHMANN BERND

    IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Gehäuse (1) für ein optoelektronisches Bauelement (7) angegeben, mit - einem Gehäusegrundkörper (2), der eine Ausnehmung (4) aufweist, - einer Beschichtung (3), die zumindest im Bereich der Ausnehmung (4) zumindest stellenweise mit dem Gehäusegrundkörper (2) verbunden ist und in direktem Kontakt mit dem Gehäusegrundkörper (2) steht, wobei - der Gehäusegrundkörper (2) mit einem ersten Kunststoffmaterial gebildet ist, - die Beschichtung (3) mit einem zweiten Kunststoffmaterial gebildet ist, - das erste Kunststoffmaterial vom zweiten Kunststoffmaterial verschieden ist, und - das erste Kunststoffmaterial und das zweite Kunststoffmaterial sich hinsichtlich zumindest einer der folgenden Material-Eigenschaften voneinander unterscheiden: Temperaturbeständigkeit, Beständigkeit gegenüber elektromagnetischer Strahlung.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    13.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102009025266A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：DE102009025266

    申请日：2009-06-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD

    IPC: H01L33/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen Gehäusegrundkörper (2) und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf, der an dem Gehäusegrundkörper (2) angebracht ist. Im Betrieb emittiert der optoelektronische Halbleiterchip (3) eine Primärstrahlung, wobei die Primärstrahlung einen ultravioletten Strahlungsanteil aufweist. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Filtermittel (4), das dazu eingerichtet ist, den ultravioletten Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren, wobei sich das Filtermittel (4) mindestens zum Teil zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (2) und/oder zwischen dem Halbleiterchip (3) und einer optischen Komponente (7) befindet. Der ultraviolette Strahlungsanteil beträgt, bezogen auf eine optische Gesamtleistung der Primärstrahlung, zwischen einschließlich 0,1% und 4,0%.

    14.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE502005008192D1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：DE502005008192

    申请日：2005-06-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  PLOESSL ANDREAS ,  WIRTH RALPH ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/46

    Abstract: The invention describes a method for producing a reflective layer system and a reflective layer system for application to a III/V compound semiconductor material, wherein a first layer, containing phosphosilicate glass, is applied directly to the semiconductor substrate Disposed thereon is a second layer, containing silicon nitride. A metallic layer is then applied thereto.

    15.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50210938D1

    公开(公告)日：2007-10-31

    申请号：DE50210938

    申请日：2002-10-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  KRAEUTER GERTRUD ,  WAITL GUENTER

    IPC: H01L31/0203 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

    Abstract: Optoelectronic component, having a housing body (2), an optoelectronic semiconductor chip (3) arranged in a recess (6) of the housing body, and having electrical terminals (1A, 1B), the semiconductor chip being electrically conductively connected to the electrical terminals of the leadframe. The housing body (2) is formed from an encapsulation material, with a filler which has a high degree of reflection in a wavelength range from the UV range.

    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
    19.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102009022682A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：DE102009022682

    申请日：2009-05-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD

    IPC: H01L33/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/08

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Leuchtdiodenchips (1), umfassend einen Halbleiterkörper (10), und - Aufbringen eines Lumineszenzkonversionsmaterials (3) auf die Außenfläche (14) des Halbleiterkörpers (10) mittels thermischen Spritzens, derart, dass zumindest ein Teil der im Betrieb der Leuchtdiode erzeugten elektromagnetischen Strahlung (4) auf das Lumineszenzkonversionsmaterial (3) trifft.

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