公开(公告)号：DE102017104479A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：DE102017104479

申请日：2017-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf:A) Aufbringen von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (3) auf einen Zwischenträger (2), wobei es sich bei den Halbleiterchips (3) um Volumenemitter handelt,B) Aufbringen eines strahlungsdurchlässigen Klarvergusses (4) direkt auf Chipseitenflächen (34), sodass eine Dicke des Klarvergusses (4) in Richtung weg von Lichtaustrittshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) monoton oder streng monoton abnimmt,C) Erzeugen eines Reflexionselements (5), sodass sich das Reflexionselement (5) und der Klarverguss (4) an einer den Chipseitenflächen (34) gegenüberliegenden Außenseite (44) des Klarvergusses (4) berühren, undD) Ablösen der Halbleiterchips (3) von dem Zwischenträger (2) und Anbringen auf einem Bauteilträger (6), sodass Lichtaustrittshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) dem Bauteilträger (6) abgewandt sind, wobei der Schritt B) vor dem Schritt D) durchgeführt wird.

公开(公告)号：DE102015112969A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102015112969

申请日：2015-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRUNNER HERBERT ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet wird, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

公开(公告)号：DE112014005331A5

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE112014005331

申请日：2014-10-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  JEREBIC SIMON ,  SINGER FRANK

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102014108377A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102014108377

申请日：2014-06-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  CUI HAILING

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Vergussmaterials mit in das Vergussmaterial eingebetteten Partikeln, zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer Kavität, zum Einfüllen des Vergussmaterials in die Kavität derart, dass sich eine von dem Grund der Kavität abgewandte Oberfläche des Vergussmaterials ausbildet, und zum Einwirkenlassen einer in Richtung der Oberfläche gerichteten Kraft auf die Partikel, wobei sich in dem Vergussmaterial eine vom Grund der Kavität zur Oberfläche des Vergussmaterials ansteigende Konzentration der Partikel ausbildet.

公开(公告)号：DE102013220960A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013220960

申请日：2013-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Gehäusekörper, an dessen Oberseite eine Kavität ausgebildet ist. An der Oberseite des Gehäusekörpers ist außerdem ein Kanal ausgebildet, der sich von der Kavität zu einer Außenkante der Oberseite des Gehäusekörpers erstreckt.

公开(公告)号：DE102013220790A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：DE102013220790

申请日：2013-10-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  GELTL TOBIAS

IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren werden mehrere optoelektronische Halbleiterchips auf einem Träger angeordnet. Weiter vorgesehen ist ein gemeinsames Zusammendrücken von separaten Formmassen im Bereich der optoelektronischen Halbleiterchips, wobei separate Formkörper im Bereich der optoelektronischen Halbleiterchips gebildet werden.

公开(公告)号：DE102012109144A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012109144

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen von optischen Bauteilen, umfassend: Bereitstellen einer Bauteilgruppe (100) aufweisend einen Leiterrahmen (102) und eine Vielzahl von optischen Bauteilen (118), wobei der Leiterrahmen (102) die Vielzahl von optischen Bauteilen (118) verbindet und die optischen Bauteile (118) eingerichtet sind, eine elektromagnetische Strahlung aufzunehmen oder abzugeben, und Aufbringen einer für die elektromagnetische Strahlung der optischen Bauteile (118) transparenten oder transluzenten Formmasse (306) auf eine erste Seite (114) der Bauteilgruppe (100).

公开(公告)号：DE102010043378A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：DE102010043378

申请日：2010-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  PINDL MARKUS ,  PREUS STEPHAN

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist einen Halbleiterchip (106) auf. Auf einer Seitenfläche des Halbleiterchips (106) ist eine Konversionsschicht (108) aufgebracht. Auf der Konversionsschicht (108) ist eine lichtdurchlässige Platte (110) angeordnet. Die thermischen Ausdehnungskoeffizienten der lichtdurchlässigen Platte (110) und des Halbleiterchips (106) liegen in der gleichen Größenordung.

公开(公告)号：DE112017004383A5

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE112017004383

申请日：2017-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN DANIEL ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/52

公开(公告)号：DE102017117441A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102017117441

申请日：2017-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN DANIEL ,  BRUNNER HERBERT ,  DINU EMILIA ,  EBERHARD JENS ,  KEITH CHRISTINA ,  PINDL MARKUS ,  REESWINKEL THOMAS ,  RICHTER DANIEL

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Ein optoelektronischer Halbleiterchip wird über der Oberseite des Trägers angeordnet. Weiterhin wird ein Vergussmaterial über der Oberseite des Trägers angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmaterial wird an der Vergussoberfläche umgeformt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.