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    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    11.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020115226A1

    公开(公告)日：2020-06-11

    申请号：PCT/EP2019/083855

    申请日：2019-12-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  SCHMID, Wolfgang

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Strahlungsseite (10), einer ersten Halbleiterschicht (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite (14), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur (31) und eine zweite Kontaktstruktur (32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die zweite Kontaktstruktur ist auf der Rückseite angeordnet und steht in elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die Strahlungsseite ist zum Einkoppeln oder Auskoppeln der Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Die Rückseite ist strukturiert und umfasst Streustrukturen (410), die zur Streuung und Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet sind.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    14.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2017005866A1

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：PCT/EP2016/066165

    申请日：2016-07-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER, Philipp ,  VARGHESE, Tansen ,  SCHMID, Wolfgang ,  BRÖLL, Markus

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/382

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt. Eine Strahlungsfläche (13) grenzt direkt an die zweite Schicht (12). Außerdem umfasst das Bauelement (100) eine Mehrzahl von Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10) sowie eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12). Die Durchkontaktierungen (23) sind durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt und münden in die zweite Schicht (12). Die Kontaktinseln (20) sind lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht. In Draufsicht auf die Rückseite (15) sind die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet. Jede Kontaktinsel (20) ist lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet. Ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) beträgt höchstens ein Viertel eines lateralen Flächenwiderstands der ersten Schicht (10).

    Abstract translation: 光电子器件（100）包括具有第一层（10），第二层（12）和第一（10）之间，并且第二层（12）布置在所述活性层（11）的半导体层序列（1），所述有源 层（11）直接连接到第一（10）和第二层（12）相邻。 一种辐射表面（13）相邻的第二层（12）。 另外，部件（100）包括多个接触垫（20），用于对所述第二层（12）电接触的第一层（10）和多个通孔的（23）电接触。 通孔（23）是穿过所述第一层（10）和流出有源层（11）和通向所述第二层（12）。 接触垫（20）在横向上彼此相邻的辐射表面（13）的后侧从（15）背向施加的第一层（10）。 在后侧（15）的平面图，在所述接触垫（20）之间的区域的通孔（23）。 每个接触垫（20）由电绝缘区域（3），并通过在横向上间隔开的其它焊盘（20）的隔离区（3）包围的完全横向。 所述第二层（12）的薄层电阻为至多所述第一层（10）的横向表面电阻的四分之一。

    STRAHLUNGSKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSKÖRPERS
    15.
    发明申请
    STRAHLUNGSKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSKÖRPERS 审中-公开
    辐射本体和方法用于产生辐射BODY

    公开(公告)号：WO2016131871A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：PCT/EP2016/053361

    申请日：2016-02-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER, Philipp ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

    Abstract: Es wird ein Strahlungskörper (100) mit einem Basiskörper (1) angegeben, der im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert. Der Strahlungskörper (100) umfasst zumindest eine Hauptseite (11) mit einer Grobstruktur (2) aus ersten Erhebungen (20) und zumindest eine Strahlungsfläche (12) mit einer Feinstruktur (3) aus zweiten Erhebungen (30). Über die Strahlungsfläche (12) wird die Strahlung aus dem Strahlungskörper (100) ausgekoppelt oder in den Strahlungskörper (100) eingekoppelt, sodass die Strahlung die Feinstruktur (3) passiert und die Feinstruktur (3) dabei für die Strahlung einen graduellen Brechungsindexübergang zwischen an die Strahlungsfläche (12) angrenzenden Materialien bewirkt. Die Strahlung weist ein globales Maximum der Strahlungsintensität bei einer Hauptwellenlänge (λ max ) gemessen im Vakuum auf. Die ersten Erhebungen (20) weisen Höhen und Breiten von jeweils mindestens λ max /n auf, wobei n der Brechungsindex des Materials ist, aus dem die Strahlung auf die Strahlungsfläche (12) trifft. Die zweiten Erhebungen (30) verjüngen sich jeweils hin zum Maximum und weisen jeweils Höhen von mindestens 0,6·λ max /n und Breiten von höchstens λ max /(2n) auf. Der Abstand zwischen benachbarten zweiten Erhebungen beträgt jeweils höchstens λ max /(2n).

    Abstract translation: 公开的是具有基体（1），其生成在正常操作中或吸收的电磁辐射的辐射体（100）。 的辐射体（100）包括至少一个页面（11）具有与所述第一隆起粗略结构（2）（20）和具有微细结构（3）包括第二凸起（30）的至少一个辐射表面（12）。 关于辐射表面（12）向外耦合，从辐射体（100）或辐射耦合到所述辐射体（100），以使辐射穿过的精细结构（3）和精细结构（3），从而为所述辐射之间的逐渐折射率过渡 辐射使表面（12）相邻的材料。 辐射具有辐射强度中的在真空中在测得的峰值波长（λmax）全局最大值。 所述第一凸起（20）具有的高度和宽度中的每个至少的λmax/ n，其中n是从其中辐射至辐射表面（12）施加的材料的折射率的。 所述第二凸起（30）朝相应的最大锥和各自具有至少0.6·λ最大/ N的高度和上至多的λmax/（2N）的宽度。 相邻的第二突出部之间的间隔在每种情况下的最大的λmax/（2N）。

    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    19.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022243014A1

    公开(公告)日：2022-11-24

    申请号：PCT/EP2022/061595

    申请日：2022-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura ,  HALBRITTER, Hubert ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01L21/02

    Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device (10) comprises epitaxially growing (S100) a sacrificial layer (105) over a GaN substrate (100), epitaxially growing (S110) a first semiconductor layer (120) over the sacrificial layer (105) and forming (S120) a first layer (124) over a first main surface (121) of the first semiconductor layer (120), the first main surface (121) being on a side of the first semiconductor layer (120) remote from the GaN substrate (100). The method further comprises forming (S130) a fluid channel or trench (130, 108) extending through the first layer (124) and the first semiconductor layer (120) to the sacrificial layer (105), etching (S140) the sacrificial layer (105), comprising introducing an etchant into the fluid channel or trench (130, 108), to remove the GaN substrate (100) and forming (S150) a second dielectric layer (137) over a second main surface (122) of the first semiconductor layer (120).

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