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公开(公告)号：DE102008025923B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102008025923
申请日：2008-05-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WIRTH RALPH DR , STREUBEL KLAUS DR , ENGL KARL DR
IPC: F21V9/30 , F21K9/64 , F21K9/68 , F21Y105/10 , F21Y115/10 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend einen Träger (1), auf dem zumindest zwei Halbleiterbauelemente (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei jedes der Halbleiterbauelemente (2)- im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und- eine vom Träger (1) abgewandte Hauptoberfläche (21) aufweist, auf der ein Wellenlängenkonversionselement (3) zur zumindest teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung angeordnet ist,wobei- das Wellenlängenkonversionselement (3) eine Strahlungseintrittsfläche (31), eine Strahlungsaustrittsfläche (32) und Seitenflächen (33), die die Strahlungseintrittsfläche (31) mit der Strahlungsaustrittsfläche (32) verbinden, umfasst und mit der Strahlungseintrittsfläche (31) auf der Hauptoberfläche (21) angeordnet ist,- die Strahlungsaustrittsfläche (32) größer als die Strahlungseintrittsfläche (31) ist,- auf den Seitenflächen (33) ein erstes nicht-transparentes Material (4) angeordnet ist, und- das erste nicht-transparente Material (4) ein Gitter (42) mit Öffnungen umfasst, in denen das Wellenlängenkonversionselement (3) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE10329398B4
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：DE10329398
申请日：2003-06-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STEIN WILHELM DR , ZOELFL MICHAEL DR , WIRTH RALPH DR
Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen in einem Abstand neben dem Anschlußbereich (4) angeordneten und mit diesem elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und dem Strominjektionsbereich (5) und/oder gesehen vom Anschlußbereich (4) außerhalb des Strominjektionsbereiches (5) auf einer vorderseitigen Strahlungsauskoppelfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (3) eine Helligkeitseinstellschicht (12) aufgebracht ist, die gezielt einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge (3) erzeugten Strahlung absorbiert, und unter dem Anschlußbereich (4) ein Stromdurchlaßbereich (61) angeordnet ist, der von einem Stromsperrbereich (62) ringartig umschlossen ist, wobei der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.
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公开(公告)号：DE102004026231B4
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：DE102004026231
申请日：2004-05-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN DR , STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , WALTER ROBERT
IPC: H01L33/02 , H01L33/42 , H01L21/20 , H01L21/24 , H01L21/363 , H01L21/76 , H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/06
Abstract: Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3), dadurch gekennzeichnet, dass auf einen ersten Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine erste ZnO-Schicht (1) und auf einen zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) eine zweite ZnO-Schicht (6) aufgebracht und anschließend getempert wird, wobei die Abscheidtemperatur der zweiten ZnO-Schicht (6) gegenüber der Abscheidtemperatur der ersten ZnO-Schicht (1) derart erhöht ist, dass bei dem Tempern die Leitfähigkeit des zweiten Bereichs der Halbleiterschicht (3) zumindest weniger reduziert wird als die Leitfähigkeit des ersten Bereichs der Halbleiterschicht (3).
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公开(公告)号：DE102006057747B4
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：DE102006057747
申请日：2006-12-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WIRTH RALPH DR
Abstract: Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst, wobei die Halbleiterschichtenfolge zwei Kontaktschichten (6, 7) umfasst, zwischen denen der aktive Bereich angeordnet ist, den Kontaktschichten jeweils eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Anschlussschicht (12, 13) zugeordnet ist, die jeweilige Anschlussschicht mit der zugeordneten Kontaktschicht elektrisch leitend verbunden ist, die jeweilige Anschlussschicht auf der von dem aktiven Bereich abgewandten Seite der zugeordneten Kontaktschicht angeordnet ist, die Anschlussschichten für die in dem aktiven Bereich zu erzeugende Strahlung durchlässig sind, beide Kontaktschichten (6, 7) p-leitend ausgeführt sind, die Kontaktschichten (6, 7) GaAs oder AlGaAs enthalten, und der aktive Bereich (3) ein Material aus dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP, mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 enthält.
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15.发明专利
公开(公告)号：DE10329365B4
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：DE10329365
申请日：2003-06-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WIRTH RALPH DR
Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3), die mindestens eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (2) umfaßt, und mit einer elektrischen Kontaktschicht (7), die einen Anschlußbereich (4) und einen außerhalb des Anschlußbereichs angeordneten und mit dem Anschlußbereich elektrisch verbundenen Strominjektionsbereich (5) umfaßt, wobei zwischen dem Anschlußbereich (4) und der aktiven Schicht (2) eine Helligkeitseinstellschicht (6) angeordnet ist, die mindestens einen elektrisch isolierenden Stromsperrbereich (62) und mindestens einen elektrisch leitenden Stromdurchlaßbereich (61) umfaßt, wobei der Stromsperrbereich (62) den Stromdurchlaßbereich (61) ringartig umschließt und der Anschlußbereich (4) über den Stromdurchlaßbereich (61) mit der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch leitend verbunden ist, derart, daß im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Teil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung unter dem Anschlußbereich (4) erzeugt und von diesem absorbiert wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102004040277B4
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：DE102004040277
申请日：2004-08-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KRÄUTER GERTRUD DR , WIRTH RALPH DR , PLÖSSL ANDREAS DR , ZULL HERIBERT DR
IPC: H01L33/46
Abstract: Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip der ein reflektierendes Schichtsystem zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial (4) beinhaltet, gekennzeichnet durch: eine dielektrische Schicht (1) auf dem III/V-Verbindungshalbleitermaterial (4), die Phosphosilikatglas enthält, und eine Schicht (3), die ein Metall enthält und sich auf der dielektrischen Schicht (1) befindet.
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公开(公告)号：DE10308322B4
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：DE10308322
申请日：2003-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR , ILLEK STEFAN DR , STAUSS PETER DR , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH DR , STEIN WILHELM DR , PIETZONKA INES DR , DIEPOLD GUDRUN
IPC: H01L33/00 , H01L21/283 , H01L33/30 , H01L33/40
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.
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公开(公告)号：DE10261675B4
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE10261675
申请日：2002-12-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STEIN WILHELM DR , WIRTH RALPH DR , ALBRECHT TONY
Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit, – einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, die eine elektromagnetische Strahlung emittierende aktive Zone aufweist, – mindestens einem elektrischen Kontaktbereich, der mindestens eine strahlungsdurchlässige, ZnO enthaltende elektrische Kontaktschicht aufweist, die mit einer äußeren Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist, – einem Bondpad (9), das unmittelbar auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, und – einem auf sämtliche freie Flächen der Kontaktschicht aufgebrachten wasserdichten Material, wobei die Dicke des wasserdichten Materials 50 bis 200 nm, einschließlich der Grenzen beträgt, wobei das Bondpad (9) ein Metall aufweist und einen Schottky-Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge ausbildet.
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公开(公告)号：DE102010034915A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：DE102010034915
申请日：2010-08-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WIRTH RALPH DR
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) auf. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Streukörper (34), der ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial (3) und darin eingebettete Streupartikel (4) aus einem Partikelmaterial beinhaltet. Der Streukörper (34) ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Bei einer Temperaturänderung verändert sich ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial. Bei einer Temperatur von 300 K beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial höchstens 0,15.
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公开(公告)号：DE102010013493A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：DE102010013493
申请日：2010-03-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WIRTH RALPH DR , VARGA HORST
Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Abstrahlung von Mischlicht umfasst: – eine erste Halbleiterlichtquelle (1) mit einer ersten Licht emittierenden Diode (11), die im Betrieb Licht in einem ersten Wellenlängenbereich mit einer ersten Intensität abstrahlt, wobei der erste Wellenlängenbereich und/oder die erste Intensität eine erste Temperaturabhängigkeit aufweist, – eine zweite Halbleiterlichtquelle (2) mit einer zweiten Licht emittierenden Diode (21, 22), die im Betrieb Licht in einem zweiten Wellenlängenbereich mit einer zweiten Intensität abstrahlt, wobei der erste und der zweite Wellenlängenbereich voneinander verschieden sind und wobei der zweite Wellenlängenbereich und/oder die zweite Intensität eine zweite Temperaturabhängigkeit aufweist, die verschieden von der ersten Temperaturabhängigkeit ist, – eine dritte Halbleiterlichtquelle (3) mit einer dritten Licht emittierende Diode (31), die im Betrieb Licht in einem dritten Wellenlängenbereich mit einer dritten Intensität abstrahlt, – ein Widerstandselement (4) mit einem temperaturabhängigen elektrischen Widerstand, und – ein Halbleiterlichtquellensteuerelement (9) zur Intensitätssteuerung der dritten Halbleiterlichtquelle (3), – wobei in einer Parallelschaltung geschaltet sind: eine erste Serienschaltung mit dem Widerstandselement (4) und der ersten Halbleiterlichtquelle (1) in einem ersten Zweig (101) der Parallelschaltung, die zweite Halbleiterlichtquelle (2) in einem zweiten Zweig (102) der Parallelschaltung und eine zweite Serienschaltung mit der dritten Halbleiterlichtquelle (3) und dem Halbleiterlichtquellensteuerelement (9) in einem dritten Zweig (103) der Parallelschaltung.
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