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    DISPOSITIF INTEGRE DE MEMOIRE DU TYPE DRAM
    11.
    发明专利
    DISPOSITIF INTEGRE DE MEMOIRE DU TYPE DRAM 未知

    公开(公告)号：FR2955419A1

    公开(公告)日：2011-07-22

    申请号：FR1050391

    申请日：2010-01-21

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  LALANNE FREDERIC ,  VERNET MARC

    IPC: G11C11/24 ,  G11C11/40

    Abstract: Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type DRAM (DM) comportant au moins un point-mémoire (CEL) incluant un transistor (TR) possédant une première électrode (E1), une deuxième électrode (E2) et une électrode de commande (EC), et un condensateur (CDS) couplé à ladite première électrode, et au moins une première ligne électriquement conductrice (BLT, BLC) couplée à la deuxième électrode et au moins une deuxième ligne électriquement conductrice (WL) couplée à l'électrode de commande, lesdites lignes électriquement conductrices (BLT, BLC, WL) étant disposées entre le transistor (TR) et le condensateur (CDS).

    Structure d'isolation thermique et électrique
    12.
    发明专利
    Structure d'isolation thermique et électrique 未知

    公开(公告)号：FR3121544A1

    公开(公告)日：2022-10-07

    申请号：FR2103351

    申请日：2021-03-31

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： CREMER SEBASTIEN

    IPC: H01B17/36

    Abstract: Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1) comprenant une première plaquette (13) comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11), vide ou rempli d'un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC PROTECTION CONTRE DES EXTRUSIONS DE CUIVRE
    15.
    发明专利
    CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC PROTECTION CONTRE DES EXTRUSIONS DE CUIVRE 未知

    公开(公告)号：FR2967299A1

    公开(公告)日：2012-05-11

    申请号：FR1059295

    申请日：2010-11-10

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  GAILLARD SEBASTIEN

    IPC: H01L21/8242 ,  G11C11/24 ,  G11C11/40

    Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant un élément (CDS) disposé dans une région isolante (RIS56) adjacente à un niveau de métallisation en cuivre (M5) et comportant une couche barrière (CH) au contact du niveau de métallisation (M5), ledit élément (CDS) étant électriquement connecté à et espacé par rapport à une ligne en cuivre (LCU) dudit niveau de métallisation (M5) au moyen d'une liaison électrique (VX, VX1) traversant ladite couche barrière (CH) et comprenant un matériau électriquement conducteur différent du cuivre en contact direct avec ladite ligne en cuivre (LCU).

    Modulateur de phase
    17.
    发明专利
    Modulateur de phase 未知

    公开(公告)号：FR3100082A1

    公开(公告)日：2021-02-26

    申请号：FR1909284

    申请日：2019-08-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  MONFRAY STEPHANE

    IPC: H01L21/70 ,  G02B6/00 ,  G02B26/06 ,  G02F1/01

    Abstract: Modulateur de phase La présente description concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un guide d'onde (100) en un premier matériau, le guide d'onde étant configuré pour guider un signal optique ; b) former une couche (106) en un deuxième matériau conducteur électriquement et transparent à une longueur d'onde du signal optique, les étapes a) et b) étant mises en oeuvre de manière que la couche (106) en le deuxième matériau soit en contact d'au moins une des faces du guide d'onde (100), ou soit séparée de ladite au moins une des faces par une distance inférieure à la moitié, de préférence au quart, de la longueur d'onde du signal optique. La demande concerne en outre un modulateur de phase, notamment obtenu par un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    PROCEDE DE FABRICATION DE CAPACITES DANS UN CIRCUIT INTEGRE
    19.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE CAPACITES DANS UN CIRCUIT INTEGRE 未知

    公开(公告)号：FR2980915A1

    公开(公告)日：2013-04-05

    申请号：FR1158779

    申请日：2011-09-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CREMER SEBASTIEN

    IPC: H01L21/70

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de capacités et de transistors MOS dans des premières et secondes zones d'un même substrat semiconducteur (41), comprenant les étapes suivantes : a) former des grilles sacrificielles à la surface du substrat, les grilles sacrificielles étant entourées d'une couche d'encapsulation (48) ; b) éliminer les grilles sacrificielles des premières zones de façon à former des premières ouvertures ; c) déposer de façon conforme une couche d'un premier matériau conducteur (51) et l'éliminer ailleurs que dans les premières ouvertures et autour de celles-ci ; d) éliminer les grilles sacrificielles des secondes zones de façon à former des secondes ouvertures ; et e) déposer successivement et de façon conforme une couche d'au moins un matériau isolant (52) et une couche d'au moins un deuxième matériau conducteur (53), et remplir les premières et les secondes ouvertures d'un troisième matériau conducteur (55).

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